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(A) MAX와 SnY2를 SnY2와 MASnXY2에 대한 비용매 중에서 반응시켜 MASnXY2 입자를 제조하는 단계, 이때, MA는 C1~C4인 알킬아모늄 또는 이미노메탄아미니움, X와 Y는 각각 독립적으로 Cl, Br 또는 I임; 및(B) 상기 MASnXY2 입자의 현탁액을 사용하여 기재 상에 MASnXY2 박막을 제조하는 단계;로 이루어지며,상기 (A) 단계에서 제조된 MASnXY2 입자 또는 상기 (B) 단계에서 제조된 MASnXY2 박막을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 Sn-계 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,(C) 열처리 순서와 무관하게 상기 MASnXY2 박막을 가압처리하는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 Sn-계 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 가압 압력은 5~50 MPa인 것을 특징으로 하는 Sn-계 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (A) 단계의 비용매는 C5~C12인 알칸, 톨루엔, 자일렌, 에틸 에테르, 에틸 아세테이트, 디클로로메탄, 클로로포름으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 Sn-계 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열처리 온도는 180~220℃인 것을 특징으로 하는 Sn-계 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (B) 단계의 박막의 제조는 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 닥터블레이드 코팅, 잉크젯 프린팅 또는 슬롯 다이 코팅에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 Sn-계 페로브스카이트 박막의 제조방법
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(A) MAX와 SnY2를 SnY2와 MASnXY2에 대한 비용매 중에서 반응시켜 MASnXY2 입자를 제조하는 단계, 이때, MA는 C1~C4인 알킬아모늄 또는 이미노메탄아미니움, X와 Y는 각각 독립적으로 Cl, Br 또는 I임; 및(B) 상기 MASnXY2 입자를 열처리하는 단계; 및(C) 상기 열처리된 MASnXY2 입자의 현탁액을 사용하여 고분자 박막 상에 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 Sn-계 페로브스카이트-고분자 복합체 박막의 제조방법
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제 7 항에 있어서,(D) 상기 (C) 단계 이후에, MASnXY2 박막을 가압처리하는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 Sn-계 페로브스카이트-고분자 복합체 박막의 제조방법
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제1전극층 위에 형성된 압전물질의 박막층과, 제2전극층이 절연층을 사이에 두고 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅 소자에 있어서, 상기 압전물질의 박막층은,제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 Sn-계 페로브스카이트 박막 또는 제 7 항 또는 제 8 항의 방법에 의해 제조된 Sn-계 페로브스카이트-고분자 복합체 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅 소자
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제 9 항에 있어서,상기 압전물질의 박막층에는 분극을 유도하기 위한 전기장이 인가되는 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅 소자
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제 10 항에 있어서,상기 전기장의 세기는 20~100 kV/cm2인 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅 소자
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제 9 항에 있어서,상기 압전 에너지 하베스팅 소자는 광전 에너지 하베스팅 효과를 동시에 나타내는 하이브리드 에너지 하베스팅 소자인 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅 소자
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제 9 항에 있어서,상기 압전물질의 박막층이 Sn-계 페로브스카이트-고분자 복합체 박막으로 이루어지는 경우,상기 복합체를 형성하는 고분자는 PVDF(폴리비닐리덴 플루오라이드)인 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅 소자
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제 9 항에 있어서,상기 복합체를 형성하는 고분자는 다공성인 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅 소자
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제 13 항에 있어서,상기 PVDF는 β-상인 것을 특징으로 하는 압전 에너지 하베스팅 소자
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