맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체와 금속 간의 박리 방지를 위한 열처리방법

  • 기술번호 : KST2020004723
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체와 금속 간의 박리 방지를 위한 열처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체와 금속 간의 접촉력을 향상시킴으로써 반도체에 하부의 금속이 박리되는 현상을 원천적으로 방지할 수 있도록 하는 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 탄화규소 기판에 티타늄층을 적층하는 제1단계; 티타늄층에 니켈층을 적층하는 제2단계; 열처리를 통하여 탄화규소 기판의 하부에 배치되는 금속의 박리가 방지되도록 하는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체와 금속 간의 박리 방지를 위한 열처리방법을 기술적 요지로 한다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76864(2013.01) H01L 21/76864(2013.01) H01L 21/76864(2013.01) H01L 21/76864(2013.01) H01L 21/76864(2013.01) H01L 21/76864(2013.01)
출원번호/일자 1020180131243 (2018.10.30)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0048785 (2020.05.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 나문경 경상남도 창원시 성산구
2 강인호 경상남도 진주시 강남로 **,
3 김상철 경상남도 창원시 성산구
4 김형우 경상남도 창원시 성산구
5 문정현 경상남도 김해시 율하*로 **, *
6 방욱 경상남도 창원시 성산구
7 석오균 부산광역시 강서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-1075009-05
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄화규소 기판에 티타늄층을 적층하는 제1단계;상기 티타늄층에 니켈층을 적층하는 제2단계; 및열처리를 통하여 상기 탄화규소 기판의 하부에 배치되는 금속의 박리가 방지되도록 하는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체와 금속 간의 박리 방지를 위한 열처리방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제3단계의 금속은,음극(cathode), 드레인(drain) 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체와 금속 간 박리를 방지하기 위한 열처리방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제4단계에서의 열처리는,900~1,100℃ 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체와 금속 간 박리를 방지하기 위한 열처리방법
4 4
제1항에 있어서,상기 니켈층의 두께는,상기 티타늄층의 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 HVDC 기술 개발 사업 고전압, 고전류밀도 SiC기반 차세대 전력소자 개발