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도전성 금속으로 형성되는 금속층; 및상기 금속층의 일면에 구비되는 금속-절연체 전이 물질(MIT)을 포함하는 온도스위치층;을 포함하는 세라믹 필름
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제 1항에 있어서,상기 금속층은,상기 금속층을 관통하는 관통홀이 복수개 형성되는 메쉬구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 필름
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제 1항에 있어서,상기 온도스위치층은,상기 금속-절연체 전이 물질의 전이 온도가 임계 온도 + 100K 보다는 낮은 것을 특징으로 하는 세라믹 필름
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제 3항에 있어서,상기 온도스위치층은,상기 금속-절연체 전이 물질의 전이 온도 전후로 전기 전도도가 103배 이상 증가하는 것을 특징으로 하는 세라믹 필름
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제 3항에 있어서,상기 온도스위치층은,상기 금속-절연체 전이 물질의 전이 온도 전후로 전기 전도도가 105배 이상 증가하는 것을 특징으로 하는 세라믹 필름
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제 3항에 있어서,상기 온도스위치층은,상기 금속-절연체 전이 물질이 상온 이하의 전이온도를 갖는 것을 특징으로 하는 세라믹 필름
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제 1항에 있어서,상기 온도스위치층은,상기 금속-절연체 전이 물질이 바나듐 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 필름
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제 7항에 있어서,상기 온도스위치층은,상기 금속-절연체 전이 물질이 VO를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 필름
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제 7항에 있어서,상기 온도스위치층은,상기 금속-절연체 전이 물질이 VnO2n-1(여기서 n=2~9)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 필름
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제 7항에 있어서,상기 온도스위치층은,상기 금속-절연체 전이 물질이 Fe3O4, RNiO3(R=La, Sm, Nd 또는 Pr), La1-xSrxNiO4(여기서 x003c#1), NiS1-xSex(여기서 x003c#1) 및 BaVS3로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 필름
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상기 제 1항 내지 제 10항에 의한 세라믹 필름을 이용한 초전도 코일에 있어서,소정 폭으로 길이 방향으로 연장되는 초전도부를 포함하는 고온 초전도 선재; 및상기 고온 초전도 선재의 적어도 일부를 감싸며 구비되는 상기 세라믹 필름;을 포함하는 초전도 코일
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