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기판;상기 기판 상에 형성된 슬릿;상기 기판 상에서 상기 슬릿 내에 위치된 플라즈몬 공진기 패턴; 및상기 기판의 하단에 형성된 반사층을 포함하는, 분자 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 플라즈몬 공진기 패턴은 그래핀 플라즈몬 공진기 패턴이고, 상기 그래핀 플라즈몬 공진기 패턴은 적외선 광이 조사될 때 플라즈몬 공진을 발생시키고, 상기 적외선 광이 조사될 때 측정된 상기 그래핀 플라즈몬 공진기 패턴의 광 흡수율에 기반하여 타겟 분자의 종류가 검출되는, 분자 감지 센서
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제2항에 있어서,상기 적외선 광은 중적외선 영역의 파장을 갖는 광인, 분자 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 슬릿은 상기 기판 상에 복수개 형성되고, 상기 기판 상의 복수개의 슬릿들 각각 내에 상기 플라즈몬 공진기 패턴이 위치되는, 분자 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 플라즈몬 공진기 패턴은 일 측이 상기 슬릿의 일 측에 인접하도록 위치되는, 분자 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 플라즈몬 공진기 패턴은 상기 슬릿을 통해 노출되는 상기 기판의 표면이 상기 슬릿의 양 측에 인접하도록 상기 슬릿 내에서 위치되는, 분자 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 플라즈몬 공진기 패턴의 폭은 상기 슬릿의 폭의 1/2 이상인, 분자 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 슬릿은 상기 슬릿 내의 상기 플라즈몬 공진기 패턴에 대응하는 가상의 플라즈몬 공진기 패턴을 형성하기 위한 미러로서 동작하는, 분자 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 슬릿은 금속 스트립에 의해 형성되는, 분자 감지 센서
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제9항에 있어서,상기 금속 스트립을 구성하는 금속은 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)이고,상기 반사층은 금(Au), 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 구성되는, 분자 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 기판은 상기 반사층 상에 위치되는 제1 층 및 상기 제1 층 상에 위치되는 제2 층을 포함하고,상기 제1 층은 SiNx로 구성되고, 상기 제2 층은 SiO2로 구성되는, 분자 감지 센서
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제2항에 있어서,상기 그래핀 플라즈몬 공진기 패턴은 그래핀 리본으로 형성되는, 분자 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 플라즈몬 공진기 패턴의 공진점을 변경하기 위한 전압을 인가하는 전압 인가부를 더 포함하는, 분자 감지 센서
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분자 감지 센서의 제조 방법에 있어서, 기판을 제조하는 단계;상기 기판 상에 플라즈몬 공진기 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 슬릿을 형성하는 단계; 및상기 기판의 하단에 반사층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 플라즈몬 공진기 패턴은 상기 슬릿 내에 위치되는, 분자 감지 센서의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 플라즈몬 공진기 패턴을 형성하는 단계 및 상기 슬릿을 형성하는 단계에 있어서,상기 슬릿은 상기 기판 상에 복수개 형성되고, 상기 기판 상의 복수개의 슬릿들 각각 내에 상기 플라즈몬 공진기 패턴이 위치되는, 분자 감지 센서의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 기판을 제조하는 단계는,상기 반사층 상에 위치되는 제1 층을 제조하는 단계; 및 상기 제1 층 상에 위치되는 제2 층을 제조하는 단계를 포함하고,상기 제1 층은 SiNx로 구성되고, 상기 제2 층은 SiO2로 구성되는, 분자 감지 센서의 제조 방법
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분자 감지 센서의 제조 방법에 있어서, 기저(base) 층으로서 반사층을 제조하는 단계;반사층 상에 기판을 적층하는 단계; 상기 기판 상에 플라즈몬 공진기 패턴을 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 슬릿을 형성하는 단계를 포함하고,상기 플라즈몬 공진기 패턴은 상기 슬릿 내에 위치되는, 분자 감지 센서의 제조 방법
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