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NFC 태그에 포함되는 인쇄 슈퍼 캐패시터를 제조하는 방법에 있어서,이산화망간이 코팅된 다중벽 탄소나노튜브를 획득하는 단계;상기 이산화망간이 코팅된 다중벽 탄소나노튜브, 그라파이트, 및 PTFE 용액을 무게비 8:1:1로 혼합하고, 용매 NMP(N-methyl 2-pyrorolidone)에 대해 20 wt%로 혼합 분산하여 캐패시터 전극 재료를 제조하는 단계; 및상기 캐패시터 전극 재료를 사용하여 알루미늄 호일에 캐패시터 전극 패턴을 인쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, NFC 태그에 포함된 인쇄 슈퍼 캐패시터 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 캐패시터 전극 재료를 사용하여 상기 캐패시터 전극 패턴을 인쇄하는 단계는, 상기 캐패시터 전극 재료를 점도 20 내지 200 센티포이즈(cP)를 갖는 잉크로 만들어 R2R(Roll-to-Roll) 그라비아 방식으로 인쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, NFC 태그에 포함된 인쇄 슈퍼 캐패시터 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 캐패시터 전극 재료를 사용하여 상기 캐패시터 전극 패턴을 인쇄하는 단계는, 상기 캐패시터 전극 재료를 점도 10,000 내지 300,000 센티포이즈(cP)를 갖는 페이스트로 사용하여 R2R 또는 S2S(Sheet-to-Sheet) 스크린 방식으로 인쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, NFC 태그에 포함된 인쇄 슈퍼 캐패시터 제조 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 알루미늄 호일에 캐패시터 전극 패턴을 인쇄한 이후, 이온분리막을 인쇄하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, NFC 태그에 포함된 인쇄 슈퍼 캐패시터 제조 방법
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제4항에 있어서,알루미늄 호일에 상기 캐패시터 전극 재료를 사용하여 캐패시터 전극 패턴을 인쇄한 다른 롤 또는 시트를 준비하는 단계;상기 이온분리막이 인쇄된 캐패시터 전극 패턴을 큐어링하는 단계; 및상기 큐어링된 캐패시터 전극 패턴과 상기 다른 롤 또는 시트를 합지하여 라미네이팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, NFC 태그에 포함된 인쇄 슈퍼 캐패시터 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 라미네이팅한 인쇄 슈퍼 캐패시터를 접어서 직렬로 연결하는 단계를 더 포함하는, NFC 태그에 포함된 인쇄 슈퍼 캐패시터 제조 방법
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NFC 신호를 정류하여 DC 전력으로 제공하는 렉테나, 상기 렉테나로부터 수신된 DC 전력을 저장하는 인쇄 슈퍼 캐패시터, 및 상기 인쇄 슈퍼 캐패시터로부터 저장되어 제공되는 DC 전력에 기초하여 동작하는 회로요소를 포함하는 NFC 태그를 인쇄하여 제조하는 방법에 있어서,상기 렉테나에 포함된 안테나를 유연 기판에 인쇄하는 단계;상기 렉테나에 포함된 다이오드, 캐패시터 및 상기 회로요소에 포함된 회로 소자들의 하부 전극을 포함하는 제1 전도성 배선을 인쇄하는 단계;상기 다이오드, 캐패시터 및 상기 회로요소에 포함되는 절연층 및 다이오드 활성층을 인쇄하는 단계;이산화망간이 코팅된 다중벽 탄소나노튜브, 그라파이트, 및 PTFE 용액을 무게비 8:1:1로 혼합하고, 용매 NMP(N-methyl 2-pyrorolidone)에 대해 20 wt%로 혼합 분산하여 캐패시터 전극 재료를 사용하여 알루미늄 호일에 캐패시터 전극 패턴을 인쇄하는 단계;상기 캐패시터 전극 패턴에 이온분리막을 인쇄하는 단계;다른 알루미늄 호일에 상기 캐패시터 전극 재료를 사용하여 인쇄된 캐패시터 전극 패턴을 준비하고, 상기 이온분리막이 인쇄된 캐패시터 전극 패턴이 형성된 알루미늄 호일과 합지하여 라미네이팅함에 따라 인쇄 슈퍼 캐패시터를 제조하는 단계; 및상기 인쇄 슈퍼 캐패시터를, 상기 유연 기판에 인쇄된 렉테나 및 회로요소와 연결하는 제2 전도성 배선을 인쇄하는 단계를 포함하는, NFC 태그 제조 방법
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