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고분자 매트릭스 또는 이의 전구체; 하기 화학식1의 화합물을 포함하는 염료;광반응성 단량체; 및 광개시제;를 포함하는, 홀로그램 기록용 포토폴리머 조성물:[화학식1]상기 화학식1에서, X는 산소 또는 황이고, R1 내지 R4는 각각 수소; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 탄소수 4 내지 20의 사이클로알킬기; 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기; 시아노아크릴레이트 또는 이의 에스터기가 결합된 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기; 아민기; 할로겐; 산소, 황 또는 질소를 1이상 포함하는 탄소수 4 내지 20의 지환족 또는 방향족 헤테로 고리; 또는산소, 황 또는 질소를 1이상 포함하는 탄소수 4 내지 20의 지환족 또는 방향족 헤테로 고리가 1이상 치환된 탄소수 4 내지 20의 사이클로알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기; 이다
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제1항에 있어서, 상기 화학식1에서, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 산소, 황 또는 질소를 1이상 포함하는 탄소수 4 내지 20의 지환족 또는 방향족 헤테로 고리; 또는산소, 황 또는 질소를 1이상 포함하는 탄소수 4 내지 20의 지환족 또는 방향족 헤테로 고리가 1이상 치환된 탄소수 4 내지 20의 사이클로알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기;인,포토폴리머 조성물
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제1항에 있어서, 상기 화학식1에서, 상기 R2 및 R3는 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 할로겐이고, 상기 R1 및 R4 중 하나는 아민기이고, 다른 하나는 R1 내지 R4 중 적어도 다른 하나는 산소, 황 또는 질소를 1이상 포함하는 탄소수 4 내지 20의 지환족 또는 방향족 헤테로 고리; 또는 산소, 황 또는 질소를 1이상 포함하는 탄소수 4 내지 20의 지환족 또는 방향족 헤테로 고리가 1이상 치환된 탄소수 4 내지 20의 사이클로알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기;인, 포토폴리머 조성물
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제1항에 있어서, 상기 화학식1에서, 상기 R2 및 R3는 각각 탄소수 1 내지 5의 알콕시기이고, 상기 R1 및 R4는 각각 R1 내지 R4 중 적어도 다른 하나는 산소, 황 또는 질소를 1이상 포함하는 탄소수 4 내지 20의 지환족 또는 방향족 헤테로 고리; 또는 산소, 황 또는 질소를 1이상 포함하는 탄소수 4 내지 20의 지환족 또는 방향족 헤테로 고리가 1이상 치환된 탄소수 4 내지 20의 사이클로알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기;인, 포토폴리머 조성물
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제1항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스 또는 이의 전구체는 1) 1이상의 이소시아네이트기를 포함한 화합물과 폴리올 간의 반응 생성물; 또는 2) 실란계 작용기가 분지쇄에 위치하는 (메트)아크릴레이트계 (공)중합체 및 실란 가교제를 포함하는 고분자 매트릭스;를 포함하는, 포토폴리머 조성물
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제5항에 있어서, 상기 실란 가교제는 중량평균분자량이 100 내지 2000인 선형의 폴리에테르 주쇄 및 상기 주쇄의 말단 또는 분지쇄로 결합한 실란계 작용기를 포함하는, 포토폴리머 조성물
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제5항에 있어서, 상기 실란계 작용기가 분지쇄에 위치하는 (메트)아크릴레이트계 (공)중합체는 실란계 작용기가 분지쇄에 위치하는 (메트)아크릴레이트 반복단위 및 (메트)아크릴레이트 반복단위를 포함하고, 100,000 내지 1,000,000의 중량평균분자량을 갖는, 포토폴리머 조성물
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제1항에 있어서, 상기 광반응성 단량체는 다관능 (메트)아크릴레이트 단량체, 또는 단관능 (메트)아크릴레이트 단량체를 포함하는, 포토폴리머 조성물
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제1항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스 또는 이의 전구체 1 중량% 내지 80중량%; 상기 광반응성 단량체 1 중량% 내지 80중량%; 상기 염료 0
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제1항에 있어서, 상기 포토폴리머 조성물은 촉매, 포스페이트계 화합물 및 저굴절율 불소계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함하는, 홀로그램 기록 매체
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제10항에 있어서, 상기 저굴절율 불소계 화합물은 에테르기, 에스터기 및 아마이드기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기 및 2이상의 다이플루오로메틸렌기를 포함하는, 홀로그램 기록 매체
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제1항의 포토폴리머 조성물로부터 제조된 홀로그램 기록 매체
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고분자 매트릭스 또는 이의 전구체; 하기 화학식1의 화합물을 포함하는 염료; 및 광반응성 단량체를 포함하는 코팅층을 포함하고, 5㎛ 내지 30 ㎛의 두께 범위에서 0
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제13항에 있어서, 상기 코팅층은 에테르기, 에스터기 및 아마이드기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기 및 2이상의 다이플루오로메틸렌기를 포함하는 저굴절율 불소계 화합물을 더 포함하는, 홀로그램 기록 매체:
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제12항 또는 제13항의 홀로그램 기록 매체를 포함한 광학 소자
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가간섭성 광원에 의해 제1항의 포토폴리머 조성물에 포함된 광반응성 단량체를 선택적으로 중합시키는 단계를 포함하는, 홀로그래픽 기록 방법
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