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1
벌크 실리콘 기판 상에서, 상기 벌크 실리콘 기판 상면에 평행한 제1 방향을 따라 서로 이격되도록 배치되는 제1 및 제2 광 도파로 부분; 및상기 벌크 실리콘 기판 상에서, 일측이 상기 제1 광 도파로 부분과 접하고 타측이 상기 제2 광 도파로 부분과 접하도록 상기 제1 및 제2 광 도파로 부분 사이에 개재되는 액티브(active) 부분;을 포함하되,상기 제1 및 제2 광 도파로 부분과 상기 액티브 부분은, GeSi를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광 전자 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 광 도파로 부분 중 적어도 하나와 상기 액티브 부분은, 서로 다른 조성비의 GeSi를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광 전자 소자
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3
제2 항에 있어서,상기 제1 및 제2 광 도파로 부분 중 적어도 하나의 Si 함량은, 상기 액티브 부분의 Si 함량보다 큰 것을 특징으로 하는, 광 전자 소자
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4
제2 항에 있어서, 상기 액티브 부분의 일측과 상기 제1 광 도파로 부분 사이, 및 상기 액티브 부분의 타측과 상기 제2 광 도파로 부분 사이에 개재되는 버퍼층;을 더 포함하는, 광 전자 소자
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5
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 광 도파로 부분 중 적어도 하나와 상기 액티브 부분은, 서로 동일한 조성비의 GeSi를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광 전자 소자
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6
제1 항에 있어서,상기 액티브 부분의 상기 제1 방향으로의 길이는, 5 내지 300μm 인 것을 특징으로 하는, 광 전자 소자
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7
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 광 도파로 부분 중 적어도 하나의 상기 제1 방향과 수직을 이루는 단면은, 상기 액티브 부분의 상기 제1 방향과 수직을 이루는 단면과 대칭인 것을 특징으로 하는 광 전자 소자
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8
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 광 도파로 부분 중 적어도 하나와 상기 액티브 부분 각각의 상기 제1 방향에 수직한 단면은, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로의 폭이 상기 벌크 실리콘 기판 상면에 수직한 제3 방향을 따라 일정한 것을 특징으로 하는, 광 전자 소자
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9
제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 광 도파로 부분 중 적어도 하나와 상기 액티브 부분 각각의 상기 제1 방향에 수직한 단면은, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로의 폭이 상기 벌크 실리콘 기판 상면에 수직한 제3 방향을 따라 달라지는 것을 특징으로 하는, 광 전자 소자
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10
제1 항에 있어서, 상기 액티브 부분의 상면과 접하고, 상기 액티브 부분으로 바이어스 전압을 인가하거나 상기 액티브 부분을 통과하는 광을 검출하기 위한 제1 전극과 연결되는 제1 전극 패드;를 더 포함하는, 광 전자 소자
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11
제10 항에 있어서, 상기 벌크 실리콘 기판에 형성되되, 상기 액티브 부분의 하면과 접하고, 상기 액티브 부분으로 바이어스 전압을 인가하거나 상기 액티브 부분을 통과하는 광을 검출하기 위한 제2 전극과 연결되는 제2 전극 패드;를 더 포함하는, 광 전자 소자
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12
제1 항에 있어서, 각각이, 상기 액티브 부분의 일 측면으로부터 상기 벌크 실리콘 기판으로 연장되며, 상기 액티브 부분으로 바이어스 전압을 인가하거나 상기 액티브 부분을 통과하는 광을 검출하기 위한 제1 및 제2 전극 중 어느 하나의 전극과 연결되는 제1 및 제2 전극 패드;를 더 포함하는, 광 전자 소자
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13
벌크 실리콘 기판 상에, 상기 벌크 실리콘 기판의 상면에 평행한 일방향을 따라 연장되고 제1 반도체 화합물을 포함하는 구조체를 형성하는 단계;상기 벌크 실리콘 기판의 상면 및 상기 구조체를 덮는 절연층을 형성하는 단계;상기 벌크 실리콘 기판의 상면의 일부와 상기 구조체의 내측벽이 노출되도록 상기 절연층 및 상기 구조체의 일부를 제거하여, 제1 및 제2 광 도파로 부분을 정의하는 단계; 및상기 제1 및 제2 광 도파로 부분 사이에서 노출되는 상기 벌크 실리콘 기판의 상면과 상기 구조체의 내측벽을 덮고 제2 반도체 화합물을 포함하는 액티브 부분을 형성하는 단계;를 포함하는, 광 전자 소자의 제조 방법
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14
제13 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 광 도파로 부분을 정의하는 단계 후 상기 액티브 부분을 형성하는 단계 전에,상기 구조체의 내측벽 상에 버퍼층을 형성하는 단계;를 더 포함하고,상기 액티브 부분을 형성하는 단계는,상기 벌크 실리콘 기판의 상면과 상기 버퍼층의 적어도 일부를 덮도록 상기 액티브 부분을 형성하는 것을 특징으로 하는, 광 전자 소자의 제조 방법
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