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다음의 단계를 포함하는 지지체 상에 나노로드(rod)를 형성하는 방법:(a) 지지체의 표면을 카르복시기(-COOH)로 개질하는 단계;(b) 상기 카르복시기의 수소를 금속 양이온으로 치환하는 단계;(c) 상기 치환된 금속 양이온을 시드 이온으로 치환하는 단계; 및(d) 용매열합성 방법으로 상기 지지체 상에 나노로드를 형성하는 단계
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제 1 항에 있어서, 상기 나노로드가 황화카드뮴(CdS), 산화카드뮴(CdO), 산화구리(CuO), 이산화티타늄(TiO2) 및 산화아연(ZnO), 텔루르화카드뮴(CdTe), 카드뮴셀레나이드 (CdSe), 황화 아연(ZnS), 셀렌화아연(ZnSe), 황화구리(CuS), 산화철(Fe2O3), 삼산화텅스텐(WO3), 산화니켈(NiO) 및 비스무스바나데이트(BiVO4)으로 구성된 군에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 지지체가 3차원 전도성 지지체인 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 지지체가 탄소계 지지체, 금속계 지지체, 전도성 폴리머계 지지체 및 전도성 세라믹계 지지체로 구성된 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 탄소계 지지체가 그래핀, 산화그래핀, 탄소나노튜브 및 풀러렌(fullerene)에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 금속계 지지체가 철, 금, 은, 알루미늄, 스테인리스 스틸, 아연, 하프늄, 인듐, 주석, 이들의 산화물 및 이들의 복합산화물로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전도성 폴리머가 폴리피롤(polypyrrole, PPy) 또는 폴리아닐린(polyaniline, PANI)인 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 양이온이 나트륨 양이온 또는 칼륨 양이온인 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 시드 이온이 Cd2+, Cu2+, Zn2+, Ti2+, Fe3+, W3+, Ni2+ 및 Bi3+로 구성된 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계가 오토클레이브 내에 상기 지지체, 전구체 물질 및 용매를 위치시키고 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 11 항에 있어서,상기 가열이 150 내지 300℃에서 1 내지 10시간 수행되는 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 11 항에 있어서,상기 전구체 물질이 질산카드뮴, 염화카드뮴(CdCl2), 카드뮴설페이트(CdSO4) 및 카드뮴아세테이트(Cd(CH3COO)2)로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 카드뮴 전구체 물질; 및 싸이오요소(thiourea), 티오아세트아미드(C2H5NS), 황화나트륨(Na2S) 및 황(sulfur powder)으로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 황 전구체 물질;을 포함하는 것을 특징으로 하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 11 항에 있어서,상기 전구체 물질이 글루타티온(glutathione), 폴리비닐피로리돈(PVP) 및 시스테인(C3H7NO2S)으로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 캡핑제(capping agent)를 포함하는, 지지체 상에 나노로드를 형성하는 방법
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제 1 항 및 제 3 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되고, 지지체 상에 나노로드가 형성된 구조체
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제 15 항에 따른 지지체 상에 나노로드가 형성된 구조체를 포함하는 광전변환 소자
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