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희토류 원소를 포함하는 제1 전구체, 전이금속 원소를 포함하는 제2 전구체, 및 Cu를 포함하는 제3 전구체를 포함하는 소스 용액을 준비하는 단계;상기 소스 용액을 전기 방사하여, 희토류 산화물, 전이금속 산화물, 및 Cu 산화물을 포함하는 예비 자성 나노 구조체를 형성하는 단계; 및상기 예비 자성 나노 구조체를 환원시켜, 상기 희토류 원소, 상기 전이금속 원소, 및 상기 Cu의 합금 조성물을 포함하는 자성 나노 구조체를 제조하는 단계를 포함하되,상기 합금 조성물 내에서, 상기 Cu의 함량은 5
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제1 항에 있어서, 상기 합금 조성물은 ReM5(Re: 희토류 원소, M: 전이금속 원소 또는 Cu 중에서 적어도 어느 하나)의 단일상 구조를 갖는 것을 포함하는 자성 나노 구조체의 제조방법
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제1 항에 있어서, 상기 자성 나노 구조체 형성 단계는, 상기 예비 자성 나노 구조체를 환원제와 혼합하는 단계; 상기 환원제와 혼합된 상기 예비 자성 나노 구조체를 열처리하는 단계; 및 열처리된 상기 예비 자성 나노 구조체를, 세척 용액으로 세척하는 단계를 포함하는, 자성 나노 구조체 제조방법
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제3 항에 있어서, 상기 환원제는, 칼슘(Ca)를 포함하는 자성 나노 구조체 제조방법
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제1 항에 있어서, 상기 Cu의 함량을 제어하여, 보자력(coercive force)을 제어하는 것을 포함하는 자성 나노 구조체 제조방법
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희토류 원소, 전이금속 원소, 및 Cu의 합금 조성물을 포함하고,상기 합금 조성물은 ReM5(Re: 희토류 원소, M: 전이금속 원소 또는 Cu 중에서 적어도 어느 하나)로 표시되는 단위 격자(unit cell)로 구성되되,상기 합금 조성물 내에서, 상기 Cu의 함량은 5
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제6 항에 있어서,상기 합금 조성물은 ReM5(Re: 희토류 원소, M: 전이금속 원소 또는 Cu 중에서 적어도 어느 하나)의 단일상 구조를 갖는 것을 포함하는 자성 나노 구조체
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제7 항에 있어서, 상기 ReM5의 결정 구조는, 육방정계(hexagonal)를 포함하는 자성 나노 구조체
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제7 항에 있어서, 상기 Cu는, 상기 단위 격자 내 2c, 2g 사이트(site) 중 적어도 어느 하나의 사이트에 배치되는 것을 포함하는 자성 나노 구조체
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제6 항에 있어서, 상기 희토류 원소는, La, Ce, Pr, Nd, Sm, 또는 Gd 중 어느 하나를 포함하는 자성 나노 구조체
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제6 항에 있어서, 상기 전이금속 원소는, Co 또는 Ni 중 어느 하나를 포함하는 자성 나노 구조체
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12
제6 항에 있어서, 단결정(single crystal), 및 이방성(anisotropic) 특성을 갖는 자성 나노 구조체
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제6 항에 있어서, 상기 합금 조성물 내에서, 상기 희토류 원소의 함량은 16
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아래의 003c#화학식 2003e#로 표시되는 단위 격자를 포함하는 합금 조성물에서 TM의 7% 초과 및 12% 미만이 Cu로 치환되어, 003c#화학식 1003e#로 표시되는 단위 격자를 갖는 합금 조성물을 포함하는 자성 나노 구조체
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제14 항에 있어서,상기 Cu는, 단위 격자 내 2c, 2g 사이트(site) 중 적어도 어느 하나의 사이트에 배치되는 것을 포함하는 자성 나노 구조체
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제14 항에 있어서, 40000 Oe 이상의 보자력을 갖는 자성 나노 구조체
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