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그래핀 시트 상에 형성된 다공성 금속 산화물 나노클러스터를 포함하는, 슈도커패시터 전극용 복합체로서,상기 다공성 금속 산화물 나노클러스터는 1 nm 내지 5 nm 크기의 과립형 나노결정들을 함유하는 것이고, 상기 과립형 나노결정들 사이에 형성된 동공(pore)을 갖는 것이고,상기 다공성 금속 산화물 나노클러스터의 크기는 직경 5 nm 내지 50 nm인 것인, 슈도커패시터 전극용 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 금속 산화물 나노클러스터는 Ni, Fe, Co, Ge, Sn, Mn, Ti, V, Cu, Zn, W, Ag, Pt, Ga, P, Au, Sb, Te, Pb, Bi, Mo 및 Cd 로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 것인, 슈도커패시터 전극용 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 금속 산화물 나노클러스터의 비표면적은 10 m2g-1 내지 500 m2g-1인 것인, 슈도커패시터 전극용 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 금속 산화물 나노클러스터와 상기 그래핀 시트의 중량비는 1:0
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 금속 산화물 나노클러스터는, 상기 그래핀 시트 상에 형성된 금속 산화물의 나노입자를 리튬화(lithiation)한 후, 탈리튬화(delithiation)를 수행하여 형성되는 것인, 슈도커패시터 전극용 복합체
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제 1 항에 따른 슈도커패시터 전극용 복합체를 양극 및/또는 음극으로서 포함하는,수성 하이브리드 커패시터
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제 8 항에 있어서,상기 양극 및 상기 음극의 슈도커패시터 전극용 복합체의 금속은 서로 상이한 것인, 수성 하이브리드 커패시터
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제 8 항에 있어서,상기 양극은 다공성 산화망간(Mn3O4) 나노클러스터를 포함하는 것이고, 상기 음극은 다공성 산화철(Fe2O3) 나노클러스터를 포함하는 것인, 수성 하이브리드 커패시터
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제 8 항에 있어서,황산나트륨, 황산칼륨, 질산나트륨, 질산칼륨, 탄산나트륨 및 탄산칼륨으로 이루어진 군에서 선택되는 전해질을 추가 포함하는, 수성 하이브리드 커패시터
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제 8 항에 있어서,상기 슈도커패시터 전극용 복합체는 충전 및 방전 시 산화/환원 사이클 동안 상(phase) 변화가 일어나지 않고,상기 다공성 금속 산화물 나노클러스터는 단순 금속 나노입자에 비해 이온 확산 길이(ion diffusion length)가 감소된 것인, 수성 하이브리드 커패시터
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제 8 항에 있어서,상기 다공성 금속 산화물 나노클러스터의 동공은 전해질 이온들이 전극에 쉽게 침투하게 하기 위한 채널을 제공하는 것인, 수성 하이브리드 커패시터
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그래핀 시트 상에 금속 산화물의 나노입자를 형성하고;상기 그래핀 시트 상에 형성된 금속 산화물의 나노입자를 리튬화(lithiation)한 후, 탈리튬화(delithiation)를 수행하여 다공성 금속 산화물 나노클러스터를 형성하는 것을 포함하는, 제 1 항에 따른 슈도커패시터 전극용 복합체의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 그래핀 시트 상에 형성된 금속 산화물의 나노입자를 리튬화(lithiation)하는 것은 0
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