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EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2020011585
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 의한 EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조 방법은 KOH 용액을 이용하여, 실리콘 기판 및 상기 실리콘 기판 상에 형성된 실리콘 나이트라이드 멤브레인 박막을 구비하는 구조체 중에서 상기 실리콘 기판의 적어도 일부를, 습식각하는 단계; 습식각된 상기 구조체를 탈이온수(DIW)에 침지하여 세정(rinse)하는 단계; 상기 탈이온수의 표면에 이소프로필알콜(IPA)층을 형성하는 단계; 및 상기 구조체를 상기 이소프로필알콜층을 거치면서 상기 탈이온수로부터 분리함으로써, 상기 실리콘 나이트라이드 멤브레인 박막을 건조시키는 단계;를 포함한다.
Int. CL G03F 1/62 (2012.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01)
출원번호/일자 1020190020656 (2019.02.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0102250 (2020.08.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이기성 대전광역시 서구
2 박남수 대전광역시 유성구
3 황해철 충청북도 청주시 흥덕구
4 강희오 대전광역시 유성구
5 서창호 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0186650-22
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.10.11 수리 (Accepted) 9-1-2019-0046813-82
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0394660-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
8 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0830214-37
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0954147-40
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.09.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0954148-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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KOH 용액을 이용하여, 실리콘 기판 및 상기 실리콘 기판 상에 형성된 실리콘 나이트라이드 멤브레인 박막을 구비하는 구조체 중에서 상기 실리콘 기판의 적어도 일부를, 습식각하는 단계;습식각된 상기 구조체를 탈이온수(DIW)에 침지하여 세정(rinse)하는 단계;상기 탈이온수의 표면에 이소프로필알콜(IPA)층을 형성하는 단계; 및상기 구조체를 상기 이소프로필알콜층을 거치면서 상기 탈이온수로부터 분리함으로써, 상기 실리콘 나이트라이드 멤브레인 박막을 건조시키는 단계; 를 포함하는,EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 KOH 용액과 상기 탈이온수(DIW)는 동일한 하나의 배스(bath) 내에 각각 수용되고 배출되는 것을 특징으로 하는,EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 실리콘 나이트라이드 멤브레인 박막을 건조시키는 단계는 표면에 상기 이소프로필알콜(IPA)층이 형성된 상기 탈이온수의 상방으로 상기 구조체를 이동시키는 단계를 포함하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 실리콘 나이트라이드 멤브레인 박막을 건조시키는 단계는 표면에 상기 이소프로필알콜(IPA)층이 형성된 상기 탈이온수를 상기 배스의 하방으로 드레인시키는 단계를 포함하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조 방법
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챔버;상기 챔버 내에 배치되되, KOH 용액과 탈이온수(DIW)를 각각 수용하고 배출할 수 있도록 구성된, 하나의 배스(bath); 상기 챔버 내에 배치되되, 탈이온수(DIW)를 분사할 수 있는, 제 1 분사부; 및상기 챔버 내에 배치되되, 이소프로필알콜(IPA)층을 분사할 수 있는, 제 2 분사부;를 구비하는, EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 나노종합기술원 나노·소재기술개발 대면적 EUV 펠리클 박막 공정 플랫폼 개발
2 산업통상자원부 전자부품연구원 센서산업고도화전문기술개발사업 사물인터넷/스마트공장/안전산업 수요대응 첨단센서 활성화를 위한 고신뢰/지능화/공정 기술 개발