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ALD 공정에서 금속 전구체 환원용 환원제 조성물 및 금속 박막의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2020011711
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 디에틸아미노 보란을 포함하며, 원자층 증착(ALD)에 사용되는 금속 전구체를 환원시키는 환원제 조성물, 및 이를 이용한 금속 박막의 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/18 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200017815 (2020.02.13)
출원인 세종대학교산학협력단, 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0099112 (2020.08.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190016911   |   2019.02.13
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.13)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
2 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원준 서울특별시 마포구
2 김성윤 서울특별시 마포구
3 히다야트 로멜 서울특별시 광진구 동일로**길 **-*(군
4 김수현 대구광역시 수성구
5 이민영 대구광역시 동구
6 김태현 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이윤직 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(역삼동) 인호 IP 빌딩 **층(명문특허법률사무소)
2 박건우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(역삼동) 인호 IP 빌딩 **층(명문특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0155219-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.12.07 수리 (Accepted) 4-1-2020-5277862-17
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번호 청구항
1 1
디에틸아미노 보란 (diethylamino borane, DEAB)을 포함하는, 환원제 조성물로서,상기 디에틸아미노 보란은 금속 박막 형성을 위한 원자층 증착(ALD)에 사용되는 금속 전구체를 환원시키는 것인, 환원제 조성물
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체는 F 리간드를 함유하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 환원제 조성물
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체는 F 리간드를 함유하지 않는 액상 금속 화합물을 포함하는 것인, 환원제 조성물
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 F 리간드를 포함하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 환원제 조성물
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 리간드로서 F 리간드를 포함하지 않으며 액상인 금속 화합물을 포함하는 것인, 환원제 조성물
6 6
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 하기의 리간드들 및 이들의 유도체들 중 한 개 이상의 리간드를 포함하며 F 리간드를 포함하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 환원제 조성물:-PMe3, -CO, -H, -Bz, -COD, -NtBu, -Cl, -Br, -NO, -Cp, -hexyne, -DMBD, -(알릴)tBu, -(아미딘)iPr, -CpEt, -인데닐, -DAD;여기에서, Bz는 벤젠고리, COD은 사이클로옥타디엔, tBu는 tert-부틸, Cp는 사이클로펜타디에닐기, DMBD는 디메텔부타디엔, DAD는 디아자디엔이고, 상기 금속에 포함되는 모든 리간드가 수소는 아님
7 7
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체는 하기 화학식들 중 하나로 표시되는 금속 화합물 또는 그의 유도체를 포함하는 것인, 환원제 조성물:[화학식 1]MR1m ;상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고,m은 5 또는 6이고, 상기 m 개의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며 각각 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;[화학식 2]M(R2Cp)(CO)3R3 ;상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 R2는 H, Cl, Br, PMe3, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴기이고, 상기 R3은 H, Cl, Br, PMe3, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;[화학식 3]M(R4Cp)(R4'Cp)R5R6 ;상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 R4 및 R4' 각각은 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기이고; 상기 R5 및 R6 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;[화학식 4]M(R7Bz) (R8Bz) ;상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 R7 및 R8 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임;[화학식 5]W4R10n ;상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 n은 1 내지 4의 정수이고, 상기 n개의 R10은 서로 동일하거나 상이하며 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6 의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;[화학식 6];상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 R11, R12 및 R13 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임;[화학식 7]M(ND)x(R15DADR16)yR14z ;상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 각각의 ND 는 중성 도너 리간드이고,상기 각각의 DAD는 디아자디엔이고,상기 각각의 R14는 음이온성 또는 2이온성 리간드이고,x는 0 내지 4, y는 1 내지 3, z는 0 내지 4, x+z는 1 이상이고, R15 및 R16 각각은 독립적으로 H, Cl, Br, 탄소수 1 내지 6 의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 하이드라지도, 알데하이드, 케토, 또는 실릴기임;[화학식 8];[화학식 9];[화학식 10]; 및[화학식 11];상기 화학식 8 내지 11에서, M은 W 또는 Mo임;[화학식 12];상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,R17 내지 R20은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 3의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임;[화학식 13]M[Cp(CR17'R18')(CR19'R20')NR21']R26 ;상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R17' 내지 R21'은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체이고, R26은 CO, H, NO 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드이거나 R26은 1개 또는 2개의 =NR27(imido)이고 (R27은 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임) 임;[화학식 14];상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R27 내지 R30은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R31은 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임;[화학식 15]상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R27' 내지 R30'은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체이고, R31'은 NR32R33 (R32 및 R33은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임), CO, H, NO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드임;[화학식 16]상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R34 내지 R42은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임;[화학식 17]상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R34' 내지 R38'은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R43은 CO, H, NO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드이거나 R43은 1개 또는 2개의 =NR44(imido) (R44은 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기)임; [화학식 18];상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R45 내지 R48은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임;[화학식 19];상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R49 내지 R52는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임
8 8
기재 표면을 금속 전구체와 환원제에 순차적으로 노출시키는 것을 포함하는 증착 사이클을 1회 이상 포함하는, 원자층 증착에 의한 금속 박막의 형성 방법으로서,상기 환원제는 디에틸아미노 보란 (diethylamino borane, DEAB)을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 증착 사이클은 하기 단계들을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법:(a) 상기 금속 전구체의 펄스;(b) 불활성 기체를 이용한 퍼지;(c) 상기 환원제의 펄스; 및(d) 불활성 기체를 이용한 퍼지
10 10
제 8 항에 있어서,상기 금속 전구체는 F 리간드를 함유하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 금속 전구체는 F 리간드를 함유하지 않는 액상 금속 화합물을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법
12 12
제 8 항에 있어서,상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 F 리간드를 포함하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법
13 13
제 8 항에 있어서,상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 리간드로서 F 리간드를 포함하지 않으며 액상인 금속 화합물을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법
14 14
제 8 항에 있어서,상기 금속 전구체는 W 또는 Mo 원소를 포함하며 하기의 리간드들 및 이들의 유도체들 중 한 개 이상의 리간드를 포함하며 F 리간드를 포함하지 않는 금속 화합물을 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법:-PMe3, -CO, -H, -Bz, -COD, -NtBu, -Cl, -Br, -NO, -Cp, -hexyne, -DMBD, -(알릴)tBu, -(아미딘)iPr, -CpEt, -인데닐, -DAD;여기에서, Bz는 벤젠고리, COD은 사이클로옥타디엔, tBu는 tert-부틸, Cp는 사이클로펜타디에닐기, DMBD는 디메텔부타디엔, DAD는 디아자디엔이고, 상기 금속에 포함되는 모든 리간드가 수소는 아님
15 15
제 8 항에 있어서,상기 금속 전구체는 하기 화학식들 중 하나로 표시되는 금속 화합물 또는 그의 유도체를 포함하는 것인, 금속 박막의 형성 방법:[화학식 1]MR1m ;상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고,m은 5 또는 6이고, 상기 m 개의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며 각각 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;[화학식 2]M(R2Cp)(CO)3R3 ;상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 R2는 H, Cl, Br, PMe3, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴기이고, 상기 R3은 H, Cl, Br, PMe3, 탄소수 1 내지 6 의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;[화학식 3]M(R4Cp)(R4'Cp)R5R6 ;상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 R4 및 R4' 각각은 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기이고; 상기 R5 및 R6 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;[화학식 4]M(R7Bz)(R8Bz) ;상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 R7 및 R8 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임;[화학식 5]M4R10n ;상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 n은 1 내지 4의 정수이고, 상기 n개의 R10은 서로 동일하거나 상이하며 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, CO, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 실릴, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기, 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기 또는 그의 유도체임;[화학식 6];상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 R11, R12 및 R13 각각은 서로 독립적으로 H, Cl, Br, PMe3, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 또는 실릴기임;[화학식 7]M(ND)x(R15DADR16)yR14z상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,상기 각각의 ND는 중성 도너 리간드이고,상기 각각의 DAD는 디아자디엔이고,상기 각각의 R14는 음이온성 또는 2이온성 리간드이고,x는 0 내지 4, y 는 1 내지 3, z는 0 내지 4, x+z는 1 이상이고,R15 및 R16 각각은 독립적으로 H, Cl, Br, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알케닐기, 탄소수 2 내지 6의 선형 또는 분지형 알키닐기, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기아미도, 하이드라지도, 알데하이드, 케토, 또는 실릴기임;[화학식 8];[화학식 9];[화학식 10]; 및[화학식 11];상기 화학식 8 내지 11에서, M은 W 또는 Mo임;[화학식 12];상기 화학식에서,M은 W 또는 Mo이고,R17 내지 R20은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 3의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임;[화학식 13]M[Cp(CR17'R18')(CR19'R20')NR21']R26 ;상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R17' 내지 R21'은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체이고, R26은 CO, H, NO 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드이거나 R26은 1개 또는 2개의 =NR27(imido)이고 (R27은 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임) 임;[화학식 14];상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R27 내지 R30은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R31은 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임;[화학식 15]상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R27' 내지 R30'은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체이고, R31'은 NR32R33 (R32 및 R33은 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형, 포화 또는 불포화된 알킬기 또는 이들의 이성질체임), CO, H, NO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드임;[화학식 16]상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R34 내지 R42은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임;[화학식 17]상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R34' 내지 R38'은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R43은 CO, H, NO, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 2개 내지 4개의 리간드이거나 R43은 1개 또는 2개의 =NR44(imido) (R44은 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기)임; [화학식 18];상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R45 내지 R48은 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임;[화학식 19];상기 화학식에서, M은 W 또는 Mo이고, R49 내지 R52는 각각 독립적으로 H 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임
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1 과학기술정보통신부 세종대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 텅스텐 원자층증착을 위한 불소없는 액상 전구체 개발