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정전용량식 터치센서, 압전센서 및 듀얼게이트 트랜지스터를 포함하고;상기 듀얼게이트 트랜지스터는 하부게이트전극; 상기 하부게이트전극 상부에 위치한 하부게이트절연층; 상기 하부게이트절연층 상부에 위치한 반도체층; 상기 반도체층 상부에 위치한 상부게이트절연층; 상기 상부게이트절연층 상부에 위치한 상부게이트전극; 및 서로 이격되어 위치하는 소스전극 및 드레인전극; 을 포함하는 트랜지스터 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 정전용량식 터치센서로부터 감지되는 전압은 상기 상부게이트전극에 인가되고;상기 압전센서로부터 감지되는 전압은 상기 하부게이트전극에 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 정전용량식 터치센서로부터 감지되는 전압은 상기 하부게이트전극에 인가되고;상기 압전센서로부터 감지되는 전압은 상기 상부게이트전극에 인가되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 상부게이트전극 및 하부게이트전극에 동시에 인가되는 서로 다른 전압의 유형은 4가지 이상인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 정전용량식 터치센서 및 압전센서는 적층된 형태인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 정전용량식 터치센서는 금속메시 타입, 금속나노와이어 타입, 이황화몰리브덴(MoS2) 필름 타입, 그래핀 필름 타입, ITO 필름 타입 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 타입인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 압전센서는 PVDF, P(VDF-TrFe), P(VDFTeFe), TGS, PZT-PVDF, PZT-실리콘고무, PZT-에폭시, PZT-발포폴리머, PZT-발포 우레탄 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 탄소 물질; 산화물 반도체 물질; 유기반도체 물질; 금속나노와이어(metal nanowire); 갈륨 질화물(GaN) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 모듈
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 트랜지스터 모듈을 포함하는 터치센서
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제 9 항에 있어서,상기 터치센서는 4가지 이상의 터치 레벨을 감지하는 것을 특징으로 하는 터치센서
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제 9 항의 터치센서를 포함하는 전자기기
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