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실리콘 분말 소재 제조방법

  • 기술번호 : KST2020016376
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 분말 소재 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 분말 소재 제조방법은, 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 분말 소재 제조방법은, 실리카(SiO2)를 함유한 유리 소재를 미세분말화하여 미세유리분말을 생성하는 단계(S100), 미세유리분말을 볼밀링(ball milling)하는 단계(S200), 볼밀링된 미세유리분말을 산처리하는 단계(S300), 및 산처리된 미세유리분말에 함유된 실리카를 환원시켜 실리콘 분말을 제조하는 단계(S400)를 포함한다.
Int. CL C01B 33/023 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190096598 (2019.08.08)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0130054 (2020.11.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190053554   |   2019.05.08
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동완 서울특별시 서초구
2 강우현 서울특별시 송파구
3 김재찬 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정은열 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, ***호(정앤김특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0812809-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.12.06 수리 (Accepted) 9-1-2019-0055128-25
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0696940-02
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번호 청구항
1 1
실리카(SiO2)를 함유한 유리 소재를 미세분말화하여 미세유리분말을 생성하는 단계;상기 미세유리분말을 볼밀링(ball milling)하는 단계; 볼밀링된 상기 미세유리분말을 산처리하는 단계; 및산처리된 상기 미세유리분말에 함유된 상기 실리카를 환원시켜 실리콘 분말을 제조하는 단계;를 포함하는 실리콘 분말 소재 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 유리 소재는, 폐 LCD 패널로부터 분리된 유리 기판인 실리콘 분말 소재 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 유리 소재는, LCD 패널 제조공정에서 발생한 유리 스크랩(scrap)인 실리콘 분말 소재 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 미세유리분말 생성 단계는,상기 유리 소재를 분쇄하여 미분화하는 단계; 및미분화된 상기 유리 소재를 체질(sieving)하여 선별하는 단계;를 포함하는 실리콘 분말 소재 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 볼밀링은, 습식 볼밀링인 실리콘 분말 소재 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 산처리는, 상기 미세유리분말을 산 용액에 침지하여 처리하는 것인 실리콘 분말 소재 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 산 용액은, 질산 수용액인 실리콘 분말 소재 제조방법
8 8
청구항 6에 있어서,상기 미세유리분말은, 50 ~ 70℃에서 65 ~ 80시간 동안 상기 산 용액에 침지되는 실리콘 분말 소재 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 산처리 단계와 상기 실리카 환원 단계 사이에,산처리된 상기 미세유리분말을 세척하고 동결건조하는 단계;를 더 포함하는 실리콘 분말 소재 제조방법
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1 WO2020226253 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 과학기술정보통신부 고려대학교 (이공)중견연구자지원(3억초과~5억이하) 하이퍼 이온/전하 전도형 소재 디자인 및 혁신 계층 나노 엔지니어링