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인공 기저막;상기 인공 기저막의 일면에 형성된 전극; 및상기 인공 기저막의 타면에 형성된 물질층을 포함하고,상기 물질층은 고분자 재료, 금속 재료 및 세라믹 재료로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 재료를 포함하는, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 인공 기저막의 영 계수(Young's modulus)는 상기 물질층의 영 계수보다 10 ~ 1000 배 더 큰 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 물질층의 두께는 상기 인공 기저막의 두께보다 10 ~ 100 배 더 두꺼운 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 인공 기저막은 일측과 타측의 양 끝단이 부채꼴 모양의 원호 형상을 갖는 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 물질층은 상기 인공 기저막의 타면에 적층된 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 물질층과 상기 인공 기저막 사이에 접착층을 더 포함하는 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서, 상기 인공 기저막은 저주파 구간 및 고주파 구간을 포함하며,상기 물질층은 상기 저주파 구간에서 상기 고주파 구간보다 질량이 더 큰 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 물질층은 상기 인공 기저막의 타면에 서로 크기가 다른 복수 개의 기둥이 이격되어 패턴화 되는 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 인공 기저막은 폴리에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에스테르이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스터, 폴리에틸레나프탈레이트 및 폴리에테르설폰으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 고분자 재료를 포함하는 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 인공 기저막은 ZnO, 금속원소가 도핑된 ZnO계, PZT(PbZrTiO계), PTO(PbTiO계), BTO(BiTiO계),BLT(BiLaTiO계), SBT(SrBiTaO계), BNT(BiNaTiO계), LNO(LiNbO계), BSTO(BaSrTiO3계) 및 폴리비닐리덴플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 압전 재료를 포함하는 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 전극은 압전 특성을 가진 재료로 이루어진 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 전극은 복수의 주파수를 분리할 수 있는 채널을 포함하고, 상기 인공 기저막에 배치된 위치에 따라 상기 채널 간격을 달리하여 배치하는 것인, 청각 센서
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제12항에 있어서,상기 채널의 배치는 상기 인공 기저막의 일측에서 타측으로 진행하는 방향에 따라 폭이 변하는 사다리꼴 형상으로 배치되는 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 물질층은 상기 인공 기저막의 타면 중 일측에서 타측으로 진행되는 어느 하나의 지점에서부터 타측까지 적층되는 것인, 청각 센서
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제1항에 있어서,상기 물질층은 제1 물질층 및 제2 물질층을 포함하고,상기 제1 물질층 및 상기 제2 물질층은 서로 다른 재료를 포함하는 것인, 청각 센서
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