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슬러리 조성물 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020016789
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 슬러리 조성물은 탄소 동소체 및 그 유도체로부터 선택되는 물질로 이루어지는 부식 방지제와, 산화제를 포함한다. 집적회로 소자의 제조 방법에서는 기판 상에 서로 다른 금속을 포함하는 제1 금속막 및 제2 금속막을 형성하고, 상기 제1 금속막 및 상기 제2 금속막이 노출된 연마 대상면을 상기 슬러리 조성물을 이용하여 연마한다.
Int. CL C09G 1/02 (2006.01.01) C09K 3/14 (2006.01.01) C23F 3/04 (2006.01.01) C23F 11/18 (2006.01.01) H01L 21/304 (2006.01.01) H01L 21/321 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01)
CPC C09G 1/02(2013.01) C09K 3/1409(2013.01) C23F 3/04(2013.01) C23F 11/18(2013.01) H01L 21/304(2013.01) H01L 21/32115(2013.01) H01L 21/7684(2013.01)
출원번호/일자 1020190071069 (2019.06.14)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0143144 (2020.12.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전예령 경기도 수원시 영통구
2 김보연 경기도 화성
3 정택동 경기도 과천시 별양로 **,
4 윤보언 서울특별시 서초구
5 이재경 경기도 수원시 영통구
6 이진영 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0612140-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소 동소체(carbon allotropes) 및 그 유도체로부터 선택되는 물질로 이루어지는 부식 방지제와, 산화제를 포함하는 슬러리 조성물
2 2
제1항에 있어서, 상기 부식 방지제는 카르복실기, 카르보닐기, 에폭시기,히드록시기, 히드로퍼옥시기, 퍼옥시기, 이소시아네이트기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 친수성 기를 포함하는 슬러리 조성물
3 3
제1항에 있어서, 상기 부식 방지제는 산화 그래핀, 산화 처리된 3 차원 탄소 구조체, 풀러레놀(fullerenol), 또는 이들의 조합으로 이루어지는 슬러리 조성물
4 4
제1항에 있어서, 상기 부식 방지제는 상기 슬러리 조성물의 총량을 기준으로 1 내지 5000 ppm의 양으로 포함된 슬러리 조성물
5 5
제1항에 있어서, 상기 부식 방지제는 0 nm 보다 크고 30 nm 이하인 범위 내에서 선택되는 평균 두께를 가지는 산화 그래핀으로 이루어지는 슬러리 조성물
6 6
제1항에 있어서, 상기 산화제는 과요오드산염으로 이루어지는 슬러리 조성물
7 7
제1항에 있어서, 7 내지 11의 범위 내에서 선택되는 pH를 가지는 슬러리 조성물
8 8
제1 금속을 포함하는 제1 금속막과, 상기 제1 금속과 다른 제2 금속을 포함하는 제2 금속막을 포함하는 금속 함유 구조물을 연마하기 위한 CMP(chemical mechanical polishing)용 슬러리 조성물로서, 상기 제1 금속막 및 상기 제2 금속막 중 어느 하나의 선택된 금속막의 표면에 선택적으로 부착되어 상기 선택된 금속막의 부식을 억제하기 위한 부식 방지제와, 상기 제1 금속막 및 상기 제2 금속막 각각을 산화시키기 위한 산화제를 포함하고, 상기 부식 방지제는 탄소 동소체 및 그 유도체로부터 선택되는 물질로 이루어지는 슬러리 조성물
9 9
제8항에 있어서, 상기 부식 방지제는 산화 그래핀, 산화 처리된 3 차원 탄소 구조체, 풀러레놀, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 슬러리 조성물
10 10
제8항에 있어서, 금속 산화물로 이루어지는 연마 입자를 더 포함하는 슬러리 조성물
11 11
기판 상에 서로 다른 금속을 포함하는 제1 금속막 및 제2 금속막을 형성하는 단계와, 상기 제1 금속막 및 상기 제2 금속막이 노출된 연마 대상면을 슬러리 조성물을 이용하여 연마하는 단계를 포함하고, 상기 슬러리 조성물은 탄소 동소체 및 그 유도체로부터 선택되는 물질로 이루어지는 부식 방지제와, 산화제를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 제1 금속막 및 제2 금속막은 Cu, Co, Ru, Ta, Ti, W, Mo, Ni, Mn, 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 서로 다른 금속을 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 연마 대상면을 슬러리 조성물을 이용하여 연마하는 단계에서, 상기 부식 방지제는 산화 그래핀, 산화 처리된 3 차원 탄소 구조체, 풀러레놀, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 집적회로 소자의 제조 방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 연마 대상면을 슬러리 조성물을 이용하여 연마하는 단계에서, 상기 부식 방지제는 카르복실기, 카르보닐기, 에폭시기,히드록시기, 히드로퍼옥시기, 퍼옥시기, 이소시아네이트기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 친수성 기를 가지는 탄소 동소체로 이루어지는 집적회로 소자의 제조 방법
15 15
기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막에 홀을 형성하는 단계와, 제1 금속을 포함하고, 상기 홀의 내부 및 외부에서 상기 층간절연막을 덮는 금속 라이너를 형성하는 단계와, 상기 제1 금속과 다른 종류인 제2 금속을 포함하고, 상기 홀의 내부 및 외부에서 상기 금속 라이너를 덮는 메인 배선층을 형성하는 단계와, 상기 메인 배선층의 일부를 제거하여 상기 메인 배선층의 주위에서 상기 금속 라이너의 일부를 노출시키는 단계와, 상기 금속 라이너 및 상기 메인 배선층이 노출된 연마 대상면을 슬러리 조성물을 이용하여 연마하는 단계를 포함하고, 상기 슬러리 조성물은 탄소 동소체 및 그 유도체로부터 선택되는 물질로 이루어지는 부식 방지제와, 산화제를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 금속 라이너 및 상기 메인 배선층은 Cu, Co, Ru, Ta, Ti, W, Mo, Ni, Mn, 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 서로 다른 금속을 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 부식 방지제는 산화 그래핀, 산화 처리된 3 차원 탄소 구조체, 풀러레놀, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 집적회로 소자의 제조 방법
18 18
제15항에 있어서, 상기 금속 라이너는 Ru을 포함하고, 상기 메인 배선층은 Cu를 포함하고, 상기 부식 방지제는 산화 그래핀을 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
19 19
제15항에 있어서, 상기 연마 대상면을 슬러리 조성물을 이용하여 연마하는 단계에서, 상기 슬러리 조성물은 7 내지 11의 범위 내에서 선택되는 pH를 가지는 집적회로 소자의 제조 방법
20 20
제15항에 있어서, 상기 연마 대상면을 슬러리 조성물을 이용하여 연마하는 단계는 상기 슬러리 조성물을 이용하여 상기 금속 라이너의 일부와 상기 메인 배선층의 일부를 동시에 연마하는 단계를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법
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