| 1 |
1
칩 영역들 및 상기 칩 영역들 사이의 배선 영역을 포함하는 성장기판을 준비하는 것;상기 칩 영역들 상에 마이크로 엘이디 칩들을 형성하는 것;상기 배선 영역 상에 상기 마이크로 엘이디 칩들 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터들을 형성하는 것;상기 성장기판을 제거하여 상기 마이크로 엘이디 칩들의 하면들을 노출시키는 것; 및상기 마이크로 엘이디 칩들의 상기 하면들 상에 지지기판을 형성하는 것을 포함하는 표시장치의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 칩 영역들 상에 마이크로 엘이디 칩들을 형성하는 것은, 상기 성장기판의 상면 상에 반도체 층들을 형성하는 것 및 상기 반도체 층들의 상면 상에 전극들을 형성하는 것을 포함하는 표시장치의 제조 방법
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 전극들은 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하고,상기 박막 트랜지스터들 중 적어도 하나는 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 표시장치의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터들은 스위칭 트랜지스터 및 드라이빙 트랜지스터를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서,상기 마이크로 엘이디 칩들을 형성하는 것은 상기 성장기판 상에 적층된 반도체 층들을 형성하는 것 및 상기 반도체 층들의 일부를 제거하여 상기 성장기판의 상면의 일부를 노출시키는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서,상기 마이크로 엘이디 칩들이 형성된 상기 성장기판 상에 절연 패턴을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 박막 트랜지스터들은 상기 절연 패턴의 상면 상에 형성되는 표시 장치의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 성장기판이 제거됨에 따라, 상기 절연 패턴의 하면이 노출되는 표시 장치의 제조 방법
|
| 8 |
8
제6 항에 있어서,상기 지지기판은 상기 마이크로 엘이디 칩들의 상기 하면들 및 상기 절연 패턴의 하면 상에 형성되는 표시 장치의 제조 방법
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서,상기 마이크로 엘이디 칩들을 형성하는 것은:상기 성장기판 상에 순차적으로 적층된 제1 및 제2 반도체 층들을 형성하는 것; 및상기 제1 및 제2 반도체 층들의 일부를 제거하되 상기 마이크로 엘이디 칩들의 사이에 상기 제1 반도체 층의 하부를 잔존시키는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서,잔존된 상기 제1 반도체 층의 하부 상에 절연 패턴을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 박막 트랜지스터들은 상기 절연 패턴의 상면 상에 형성되는 표시 장치의 제조 방법
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서,상기 제1 반도체 층의 상기 하부를 제거하여 상기 절연 패턴의 하면을 노출시키는 것을 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
| 12 |
12
제1 항에 있어서,상기 성장기판을 제거하는 것은:제1 레이저 리프트 오프 공정을 수행하는 것 및 상기 제1 레이저 리프트 오프 공정과 다른 파장의 레이저를 이용한 제2 레이저 리프트 오프 공정을 수행하는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
| 13 |
13
몸체부 및 전극들을 포함하는 마이크로 엘이디 칩들을 캐리어 기판으로부터 지지기판의 상면 상에 전사하되, 상기 전극들은 상기 몸체부를 사이에 두고 상기 지지기판의 상면과 이격되는 것; 및상기 지지기판의 상기 상면 상에 상기 마이크로 엘이디 칩들 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터들을 형성하는 것을 포함하되,상기 박막 트랜지스터들은 상기 마이크로 엘이디 칩들의 사이에 형성되는 표시장치의 제조 방법
|
| 14 |
14
제13 항에 있어서,상기 전극들은 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하고,상기 박막 트랜지스터들 중 적어도 하나는 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 표시장치의 제조 방법
|
| 15 |
15
제13 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터들은 스위칭 트랜지스터 및 드라이빙 트랜지스터를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
|
| 16 |
16
제13 항에 있어서,성장기판 상에 상기 마이크로 엘이디 칩들을 형성하는 것; 및상기 전극들이 상기 캐리어 기판을 향하도록 상기 캐리어 기판 상에 상기 마이크로 엘이디 칩을 전사하는 것을 더 포함하는 표시장치의 제조 방법
|
| 17 |
17
제16 항에 있어서,마이크로 엘이디 칩들을 형성하는 것은, 상기 성장기판의 상면 상에 반도체 층들을 형성하는 것 및 상기 반도체 층들의 상면 상에 전극들을 형성하는 것을 포함하는 표시장치의 제조 방법
|
