맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

강건구조를 가지는 SiC MOSFET 제조방법

  • 기술번호 : KST2021000258
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 강건구조를 가지는 SiC MOSFET 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 강건구조를 가지는 SiC MOSFET 제작방법은, 에피층의 양측 상단에 표면으로부터 소정의 깊이까지 순차적으로 제1영역과 제2영역으로 구분하여 상기 제1영역 및 상기 제2영역에 각각 다른 농도로 이온이 주입되어 p형 베이스를 형성시키는 제1단계; 상기 p형 베이스의 제1영역에 이온주입을 통해 n형 소스를 형성시키는 제2단계; 상기 p형 베이스와, 상기 n형 소스, 상기 에피층을 덮으면서 상기 p형 베이스의 양측 단부만을 노출시키는 제3영역의 상단부에 식각마스크를 패터닝시키는 제3단계; 상기 식각마스크를 이용하여 상기 p형 베이스에 상기 n형 소스보다 깊은 제4영역까지 물리적식각을 수행하는 제4단계; 상기 식각마스크를 제거하고, 상기 물리적식각을 수행한 위치에 이온주입을 통해 깊이방향으로 제5영역까지로 에피층에 접하고, 측면 방향으로는 상기 n형 소스 및 상기 p형 베이스와 접하도록 p형 소스를 형성시키는 제5단계;를 포함한다. 본 발명에 의하면, 기생저항을 감소시켜 기생 바이폴라 트랜지스터가 턴온되는 것을 막아 차단모드 상태에서 유입되는 서지전압에 대한 내성을 강화시킬 수 있을 뿐만 아니라 낮은 이온주입 에너지로 고농도의 p형 소스를 형성할 수 있어서 공정단가를 낮추는 효과를 얻을 수 있다. 또한 p형 베이스의 표면농도와 바닥농도를 다르게 할 수 있기 때문에 문턱전압도 낮출 수 있어 MOSFET의 도통성능을 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/033 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/265 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/1608(2013.01) H01L 21/0337(2013.01) H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/265(2013.01)
출원번호/일자 1020190078607 (2019.07.01)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0002834 (2021.01.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강인호 경상남도 진주시 강남로 **,
2 김형우 경상남도 창원시 성산구
3 문정현 경상남도 김해시 율하*로 **, *
4 방욱 경상남도 창원시 성산구
5 석오균 부산광역시 강서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0669899-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.12.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5288766-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SiC MOSFET 제조방법에 있어서,에피층의 양측 상단에 표면으로부터 소정의 깊이까지 순차적으로 제1영역과 제2영역으로 구분하여 상기 제1영역 및 상기 제2영역에 각각 다른 농도로 이온이 주입되어 p형 베이스를 형성시키는 제1단계;상기 p형 베이스의 제1영역에 이온주입을 통해 n형 소스를 형성시키는 제2단계;상기 p형 베이스와, 상기 n형 소스, 상기 에피층을 덮으면서 상기 p형 베이스의 양측 단부만을 노출시키는 제3영역의 상단부에 식각마스크를 패터닝시키는 제3단계;상기 식각마스크를 이용하여 상기 p형 베이스에 상기 n형 소스보다 깊은 제4영역까지 물리적식각을 수행하는 제4단계;상기 식각마스크를 제거하고, 상기 물리적식각을 수행한 위치에 이온주입을 통해 깊이방향으로 제5영역까지로 에피층에 접하고, 측면 방향으로는 상기 n형 소스 및 상기 p형 베이스와 접하도록 p형 소스를 형성시키는 제5단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 강건구조를 가지는 SiC MOSFET 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 p형 베이스는,상기 제1영역의 이온농도가 상기 제2영역의 이온농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 강건구조를 가지는 SiC MOSFET 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 제1영역의 이온농도는 1×1016cm-3 ~ 2×1017cm-3 으로 되고, 상기 제2영역의 이온농도는 1×1018cm-3 ~ 1×1019cm-3 으로 되는 것을 특징으로 하는 강건구조를 가지는 SiC MOSFET 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 정부출연금사업 고전압, 고전류밀도 SiC기반 차세대 전력소자 개발