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여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 제1 파장변환입자로서 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자;여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 제2 파장변환입자로서 비페로브스카이트계 양자점; 및상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 상기 비페로브스카이트계 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하는 하이브리드 파장변환체
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여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 제1 파장변환입자로서 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자;여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 제2 파장변환입자로서 비페로브스카이트계 형광체; 및상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 상기 비페로브스카이트계 형광체를 분산시키는 분산매질을 포함하는 하이브리드 파장변환체
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 하이브리드 파장변환체는 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 비페로브스카이트계 양자점 또는 비페로브스카이트계 형광체가 분산된 분산매질을 밀봉하는 밀봉부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 파장변환체
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제1항에 있어서,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 상기 비페로브스카이트계 양자점은 0
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제1항에 있어서,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 상기 비페로브스카이트계 양자점은 여기광원으로부터 발생된 빛을 서로 다른 파장으로 변환하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 파장변환체
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제5항에 있어서,여기광원으로부터 발생된 청색광에 대하여 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자는 녹색광을 방출하며, 상기 비페로브스카이트계 양자점은 적색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 파장변환체
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자는 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 내에서 나노결정을 둘러싸는 복수개의 유기리간드들을 더 포함하고, 유기 용매에 분산이 가능한 것을 특징으로 하는 하이브리드 파장변환체
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자는 A2BX4, ABX4, ABX3 또는 An-1BnX3n+1의 구조(n은 2 내지 6사이의 정수)를 포함하고, 상기 A는 유기암모늄이고, 상기 B는 금속물질이고, 상기 X는 할로겐 원소인 것을 특징으로 하는 하이브리드 파장변환체
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자의 크기는 1nm 내지 900nm이고, 밴드갭 에너지는 1 eV 내지 5 eV인 것을 특징으로 하는 하이브리드 파장변환체
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제1항에 있어서,상기 비페로브스카이트계 양자점은 Si계 나노결정, Ⅱ-Ⅳ족계 화합물 반도체 나노결정, Ⅲ-Ⅴ족계 화합물 반도체 나노결정, Ⅳ-Ⅵ족계 화합물 반도체 나노결정, 보론 양자점, 탄소 양자점, 금속 양자점 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 파장변환체
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 분산매질은 에폭시 수지, 실리콘 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 하이브리드 파장변환체
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제3항에 있어서,상기 밀봉부재는 에폭시 수지, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자, 실리콘 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 하이브리드 파장변환체
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분산 용매에 파장변환입자로서 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 비페로브스카이트계 앙자점 또는 비페로브스카이트계 형광체를 혼합하여 제1 분산 용액을 제조하는 단계; 상기 제1 분산 용액에 분산매질을 혼합하여 제2 분산 용액을 제조하는 단계; 및 상기 제2 분산 용액을 기판 상에 코팅하고, 자외선을 조사하여 상기 분산매질을 중합 및 경화시켜 하이브리드 파장변환체를 형성하는 단계를 포함하는 하이브리드 파장변환체의 제조방법
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금속 할라이드 페로브스카이트 전구물질(precursor)을 용매에 용해시켜 금속 할라이드 페로브스카이트 전구물질 용액을 준비하는 단계; 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 전구물질 용액에 비페로브스카이트계 양자점 및 분산매질을 혼합하여 제3 분산 용액을 제조하는 단계; 및 상기 제3 분산 용액을 기판 위에 코팅하여 결정화시키고, 자외선을 조사하여 상기 분산매질을 중합 및 경화시켜 하이브리드 파장변환체를 형성하는 단계를 포함하는 하이브리드 파장변환체의 제조방법
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제1 밀봉부재 및 제2 밀봉부재를 적층하는 단계; 제1 밀봉부재 및 제2 밀봉부재의 일측부를 접착하는 단계; 제1 밀봉부재 및 제2 밀봉부재가 접착되지 않은 타측부의 제1 밀봉부재 및 제2 밀봉부재 사이로 파장변환입자로서 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 및 비페로브스카이트계 양자점이 분산된 분산매질을 주입하는 단계; 및 제1 밀봉부재 및 제2 밀봉부재의 타측부를 접착하여 파장변환입자로서 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 및 비페로브스카이트계 양자점이 분산된 분산매질을 밀봉부재로 밀봉하는 단계를 포함하는 하이브리드 파장변환체의 제조방법
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베이스 구조물; 상기 베이스 구조물 상에 배치되는, 소정의 파장의 빛을 방출하는 적어도 하나의 여기광원; 및 상기 여기광원의 광로에 배치되는, 여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 하이브리드 파장변환체를 포함하고, 상기 하이브리드 파장변환체는 여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 제1 파장변환입자로서 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자, 여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 제2 파장변환입자로서 비페로브스카이트계 양자점, 및 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 상기 비페로브스카이트계 양자점을 분산시키는 분산매질을 포함하며, 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 상기 비페로브스카이트계 양자점은 여기광원으로부터 발생된 빛을 서로 다른 파장으로 변환하는 것을 특징으로 하는 발광장치
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베이스 구조물; 상기 베이스 구조물 상에 배치되는, 소정의 파장의 빛을 방출하는 적어도 하나의 여기광원; 및 상기 여기광원의 광로에 배치되는, 여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 하이브리드 파장변환체를 포함하고, 상기 하이브리드 파장변환체는 여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 제1 파장변환입자로서 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자, 여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 제2 파장변환입자로서 비페로브스카이트계 형광체, 및 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 상기 비페로브스카이트계 형광체를 분산시키는 분산매질을 포함하며, 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 상기 비페로브스카이트계 형광체는 여기광원으로부터 발생된 빛을 서로 다른 파장으로 변환하는 것을 특징으로 하는 발광장치
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제16항 또는 제17항에 있어서,상기 하이브리드 파장변환체는 상기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자와 비페로브스카이트계 양자점 또는 비페로브스카이트계 형광체가 분산된 분산매질을 밀봉하는 밀봉부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치
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제16항 또는 제17항에 있어서,상기 여기광원은 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드이며, 청색광을 발광하는 것을 특징으로 하는 발광장치
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제16항 또는 제17항에 있어서,상기 발광장치는상기 여기광원이 실장될 바닥면 및 반사부가 형성된 측면을 포함하는 홈부; 및상기 홈부를 지지하고, 상기 여기광원과 전기적으로 연결된 전극부가 형성된 지지부를 더 포함하는 발광장치
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