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특정 유전율을 가지는 기판;상기 기판의 상부면 및 하부면에 형성된 급전선로;상기 급전선로를 중심으로 상기 상부면과 상기 하부면에 각각 배치되어 좌우 대칭 구조로 이루어진 대수 주기 다이폴 소자;상기 기판의 하부면으로부터 특정 거리만큼 이격되어 배치되며, 특정한 패턴을 가지는 인공자기도체;상기 인공자기도체의 하부면으로부터 특정 거리만큼 이격되어 배치되는 복수개의 접지면; 및상기 기판, 상기 인공자기도체, 상기 복수개의 접지면 사이의 이격거리가 유지되도록 상기 기판과 상기 복수개의 접지면 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지부를 포함하고,상기 인공자기도체와 각 접지면 사이의 이격거리는 서로 상이한 것을 특징으로 하는, 다이폴 배열 안테나
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제1항에 있어서,상기 인공자기도체와 각 접지면 사이의 이격거리는 상기 대수 주기 다이폴 소자 내에서 전류의 흐름이 활성화되는 주파수 대역에 기반하여 결정되고, 상기 대수 주기 다이폴 소자의 전류 흐름이 활성화되는 주파수 대역이 높을수록 상기 인공자기도체와 접지면 사이의 이격거리는 짧아지는 것을 특징으로 하는,다이폴 배열 안테나
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제1항에 있어서,상기 특정한 패턴은 복수 종류의 단위패턴이 주기적으로 배열됨으로써 형성되고, 상기 각 단위패턴의 사이즈는 상기 대수 주기 다이폴 소자 내에서 전류의 흐름이 활성화되는 주파수 대역에 기반하여 결정되며, 상기 대수 주기 다이폴 소자의 전류 흐름이 활성화되는 주파수 대역이 높을수록 상기 단위패턴의 사이즈는 작아지는 것을 특징으로 하는,다이폴 배열 안테나
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4
제1항에 있어서,상기 대수 주기 다이폴 소자는 제1 주파수 대역에서 전류 흐름이 활성화되는 제1 영역, 상기 제1 주파수 대역보다 높은 제2 주파수 대역에서 전류 흐름이 활성화되는 제2 영역, 상기 제2 주파수 대역보다 높은 제3 주파수 대역에서 전류 흐름이 활성화되는 제3 영역으로 구분되고,상기 복수개의 접지면은,상기 인공자기도체와 제1 거리만큼 이격되어 상기 제1 영역과 대응되도록 배치되는 제1 접지면;상기 인공자기도체와 제2 거리만큼 이격되어 상기 제2 영역과 대응되도록 배치되는 제2 접지면;상기 인공자기도체와 제3 거리만큼 이격되어 상기 제3 영역과 대응되도록 배치되는 제3 접지면을 포함하며,상기 제1 거리는 상기 제2 거리보다 크고, 상기 제2 거리는 상기 제3 거리보다 큰 것을 특징으로 하는,다이폴 배열 안테나
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5
제4항에 있어서,상기 인공자기도체는 상기 제1 영역과 대응되며 제1 단위패턴이 주기적으로 배열된 제1 섹션, 상기 제2 영역과 대응되며 제2 단위패턴이 주기적으로 배열된 제2 섹션, 상기 제3 영역과 대응되며 제3 단위패턴이 주기적으로 배열된 제3 섹션으로 구분되고,상기 제1 단위패턴의 사이즈는 상기 제2 단위패턴의 사이즈보다 크고, 상기 제2 단위패턴의 사이즈는 상기 제3 단위패턴의 사이즈보다 큰 것을 특징으로 하는,다이폴 배열 안테나
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 지지부는 나이론(nylon) 재질의 PCB(printed circuit board) 써포트가 적용된 나일론 포스트(nylon post)인 것을 특징으로 하는,다이폴 배열 안테나
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제1항에 있어서,상기 대수 주기 다이폴 소자는 상기 기판의 상부면에 배치되는 제1 대수 주기 다이폴 소자와 상기 기판의 하부면에 배치되는 제2 대수 주기 다이폴 소자를 포함하고,상기 제1 대수 주기 다이폴 소자와 상기 제2 대수 주기 다이폴 소자를 구성하는 각 다이폴은 지그재그 형상을 가지는 것을 특징으로 하는,다이폴 배열 안테나
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8
다이폴 배열 안테나를 포함하는 전자 장치에 있어서,상기 다이폴 배열 안테나는,특정 유전율을 가지는 기판;상기 기판의 상부면 및 하부면에 형성된 급전선로;상기 급전선로를 중심으로 상기 상부면과 상기 하부면에 각각 배치되어 좌우 대칭 구조로 이루어진 대수 주기 다이폴 소자;상기 기판의 하부면으로부터 특정 거리만큼 이격되어 배치되며, 특정한 패턴을 가지는 인공자기도체;상기 인공자기도체의 하부면으로부터 특정 거리만큼 이격되어 배치되는 복수개의 접지면; 및상기 기판, 상기 인공자기도체, 상기 복수개의 접지면 사이의 이격거리가 유지되도록 상기 기판과 상기 복수개의 접지면 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지부를 포함하고,상기 인공자기도체와 각 접지면 사이의 이격거리는 서로 상이한 것을 특징으로 하는,전자 장치
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제8항에 있어서,상기 인공자기도체와 각 접지면 사이의 이격거리는 상기 대수 주기 다이폴 소자 내에서 전류의 흐름이 활성화되는 주파수 대역에 기반하여 결정되고, 상기 대수 주기 다이폴 소자의 전류 흐름이 활성화되는 주파수 대역이 높을수록 상기 인공자기도체와 접지면 사이의 이격거리는 짧아지는 것을 특징으로 하는,전자 장치
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10
제8항에 있어서,상기 특정한 패턴은 복수 종류의 단위패턴이 주기적으로 배열됨으로써 형성되고, 상기 각 단위패턴의 사이즈는 상기 대수 주기 다이폴 소자 내에서 전류의 흐름이 활성화되는 주파수 대역에 기반하여 결정되며, 상기 대수 주기 다이폴 소자의 전류 흐름이 활성화되는 주파수 대역이 높을수록 상기 단위패턴의 사이즈는 작아지는 것을 특징으로 하는,전자 장치
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제8항에 있어서,상기 대수 주기 다이폴 소자는 제1 주파수 대역에서 전류 흐름이 활성화되는 제1 영역, 상기 제1 주파수 대역보다 높은 제2 주파수 대역에서 전류 흐름이 활성화되는 제2 영역, 상기 제2 주파수 대역보다 높은 제3 주파수 대역에서 전류 흐름이 활성화되는 제3 영역으로 구분되고,상기 복수개의 접지면은,상기 인공자기도체와 제1 거리만큼 이격되어 상기 제1 영역과 대응되도록 배치되는 제1 접지면;상기 인공자기도체와 제2 거리만큼 이격되어 상기 제2 영역과 대응되도록 배치되는 제2 접지면;상기 인공자기도체와 제3 거리만큼 이격되어 상기 제3 영역과 대응되도록 배치되는 제3 접지면을 포함하며,상기 제1 거리는 상기 제2 거리보다 크고, 상기 제2 거리는 상기 제3 거리보다 큰 것을 특징으로 하는,전자 장치
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제11항에 있어서,상기 인공자기도체는 상기 제1 영역과 대응되며 제1 단위패턴이 주기적으로 배열된 제1 섹션, 상기 제2 영역과 대응되며 제2 단위패턴이 주기적으로 배열된 제2 섹션, 상기 제3 영역과 대응되며 제3 단위패턴이 주기적으로 배열된 제3 섹션으로 구분되고,상기 제1 단위패턴의 사이즈는 상기 제2 단위패턴의 사이즈보다 크고, 상기 제2 단위패턴의 사이즈는 상기 제3 단위패턴의 사이즈보다 큰 것을 특징으로 하는,전자 장치
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