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듀얼 빔을 형성하는 누설파 안테나에 있어서,외부로부터 전원을 공급받는 급전라인; 및상기 급전라인으로부터 빔을 형성하기 위한 신호를 공급받는 금속 플레이트를 포함하고,상기 금속 플레이트의 일측면과 상기 일측면과 마주하는 상기 금속 플레이트의 타측면에는 듀얼 빔을 형성하기 위한 에칭(etching) 패턴이 대칭적으로 형성되며, 상기 일측면과 상기 타측면 사이에는 복수개의 비아가 배치되는 것을 특징으로 하는,누설파 안테나
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제1항에 있어서,상기 에칭 패턴은 사인파 형태의 기설정된 패턴이 상기 금속 플레이트의 일측면을 따라 주기적으로 형성되는 것을 특징으로 하는,누설파 안테나
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제1항에 있어서,상기 복수개의 비아는 상기 금속 플레이트의 일측면을 따라 기설정된 간격만큼 이격되어 일렬로 배치되며, 상기 복수개의 비아 중 적어도 하나는 다이오드와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는,누설파 안테나
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제3항에 있어서,상기 복수개의 비아를 구성하는 복수개의 비아 그룹은 상기 금속 플레이트의 일측면을 따라 일렬로 배치되며, 각 비아 그룹은 다이오드와 전기적으로 연결되지 않은 제1 비아, 다이오드와 전기적으로 연결된 제2 비아 및 다이오드와 전기적으로 연결된 제3 비아가 순차적으로 상기 금속 플레이트의 일측면을 따라 일렬로 배치되는 것을 특징으로 하는,누설파 안테나
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제3항에 있어서,상기 적어도 하나의 다이오드가 켜지는 경우 상기 누설파 안테나는 제1 위상의 빔을 형성하고, 상기 적어도 하나의 다이오드가 꺼지는 경우 상기 누설파 안테나는 제2 위상의 빔을 형성하는 것을 특징으로 하는,누설파 안테나
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제3항에 있어서,상기 에칭 패턴의 크기는 상기 누설파 안테나를 통해 형성하고자 하는 빔의 주파수 대역이 클수록 작아지며, 상기 복수개의 비아의 개수는 상기 누설파 안테나를 통해 형성하고자 하는 빔의 주파수 대역이 클수록 증가하는 것을 특징으로 하는,누설파 안테나
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듀얼 빔을 형성하는 누설파 안테나를 포함하는 전자 장치에 있어서,상기 누설파 안테나는,외부로부터 전원을 공급받는 급전라인; 및상기 급전라인으로부터 빔을 형성하기 위한 신호를 공급받는 금속 플레이트를 포함하고,상기 금속 플레이트의 일측면과 상기 일측면과 마주하는 상기 금속 플레이트의 타측면에는 듀얼 빔을 형성하기 위한 에칭(etching) 패턴이 대칭적으로 형성되며, 상기 일측면과 상기 타측면 사이에는 복수개의 비아가 배치되는 것을 특징으로 하는,전자 장치
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제7항에 있어서,상기 에칭 패턴은 사인파 형태의 기설정된 패턴이 상기 금속 플레이트의 일측면을 따라 주기적으로 형성되는 것을 특징으로 하는,전자 장치
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제7항에 있어서,상기 복수개의 비아는 상기 금속 플레이트의 일측면을 따라 기설정된 간격만큼 이격되어 일렬로 배치되며, 상기 복수개의 비아 중 적어도 하나는 다이오드와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는,전자 장치
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제9항에 있어서,상기 복수개의 비아를 구성하는 복수개의 비아 그룹은 상기 금속 플레이트의 일측면을 따라 일렬로 배치되며, 각 비아 그룹은 다이오드와 전기적으로 연결되지 않은 제1 비아, 다이오드와 전기적으로 연결된 제2 비아 및 다이오드와 전기적으로 연결된 제3 비아가 순차적으로 상기 금속 플레이트의 일측면을 따라 일렬로 배치되는 것을 특징으로 하는,전자 장치
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제9항에 있어서,상기 적어도 하나의 다이오드가 켜지는 경우 상기 누설파 안테나는 제1 위상의 빔을 형성하고, 상기 적어도 하나의 다이오드가 꺼지는 경우 상기 누설파 안테나는 제2 위상의 빔을 형성하는 것을 특징으로 하는,전자 장치
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제9항에 있어서,상기 에칭 패턴의 크기는 상기 누설파 안테나를 통해 형성하고자 하는 빔의 주파수 대역이 클수록 작아지며, 상기 복수개의 비아의 개수는 상기 누설파 안테나를 통해 형성하고자 하는 빔의 주파수 대역이 클수록 증가하는 것을 특징으로 하는,전자 장치
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