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하부 강자성층;상기 하부 강자성층 상에 형성된 RKKY 유도층; 및상기 RKKY 유도층 상에 형성된 상부 강자성층을 포함하고,상기 RKKY 유도층의 표면과 평행한 방향의 전하 전류의 인가에 의해 상기 하부 강자성층과 상기 상부 강자성층의 자화 방향이 상호간에 반대로 설정되고, 상기 RKKY 유도층은 RKKY 상호작용이 극대로 일어나는 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 합성형 반강자성체
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제1항에 있어서, 상기 하부 강자성층은 CoFeB, NiFe, CoPt, CoPd, FePt 또는 FePd를 가지는 것을 특징으로 하는 합성형 반강자성체
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제2항에 있어서, 상기 상부 강자성층은 상기 하부 강자성층과 동일 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 합성형 반강자성체
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제1항에 있어서, 상기 RKKY 유도층은 비자성 금속 또는 전도성 산화물을 가지는 것을 특징으로 하는 합성형 반강자성체
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제4항에 있어서, 상기 RKKY 유도층은 Ru, W 또는 Ta를 가지고, 상기 RKKY 유도층이 W를 가질 경우, 상기 RKKY 유도층의 두께는 1
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제1항에 있어서, 상기 합성형 반강자성체는 외부 자계아 O Oe 일 때, 자기 모멘트가 O emu의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 합성형 반강자성체
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제1항에 있어서, 상기 하부 강자성체의 하부에 접하는 제1 PMA 유도층; 및상기 상부 강자성체의 상부에 접하는 제2 PMA 유도층이 더 포함되고,상기 제1 PMA 유도층은 상기 하부 강자성체의 수직 자기 이방성을 강화하고, 상기 제2 PMA 유도층은 상기 상부 강자성체의 수직 자기 이방성을 강화하는 것을 특징으로 하는 합성형 반강자성체
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제1 합성형 반강자성체;상기 제1 합성형 반강자성체 상에 형성된 제1 터널 장벽층;상기 제1 터널 장벽층 상에 형성된 제2 합성형 반강자성체;상기 제2 합성형 반강자성체 상에 형성된 제2 터널 장벽층; 및제2 터널 장벽층 상에 형성된 제3 합성형 반강자성체를 포함하고,상기 각각의 합성형 반강자성체는 하부 강자성층;상기 하부 강자성층 상에 형성된 RKKY 유도층; 및상기 RKKY 유도층 상에 형성된 상부 강자성층을 포함하고,상기 RKKY 유도층의 표면과 평행하게 인가되는 프로그램 전류에 의해 상기 하부 강자성층과 상기 상부 강자성층은 수직 자기 이방성을 가지고, 서로 반대 방향의 자기 모멘트를 가지는 것을 특징으로 하는 다중 비트 메모리
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제8항에 있어서, 상기 제1 합성형 반강자성체의 상부 강자성체, 상기 제1 합성형 반강자성체의 상부 강자성체 상에 형성된 상기 제1 터널 장벽층 및 상기 제1 터널 장벽층에 접하는 상기 제2 합성형 반강자성체의 하부 강자성체는 제1 저항 단위체를 형성하고,상기 제2 합성형 반강자성체의 상부 강자성체, 상기 제2 합성형 반강자성체의 상부 강자성체 상에 형성된 상기 제2 터널 장벽층 및 상기 제2 터널 장벽층에 접하는 상기 제3 합성형 반강자성체의 하부 강자성체는 제2 저항 단위체를 형성하는 것을 특징으로 하는 다중 비트 메모리
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제9항에 있어서, 상기 제1 합성형 반강자성체의 제1 RKKY 유도층에 평행하게 흐르는 제1 프로그램 전류 및 상기 제2 합성형 반강자성체의 제2 RKKY 유도층을 평행하게 흐르는 제2 프로그램 전류에 의해 상기 제1 저항 단위체의 저항 상태는 결정되고,상기 제2 프로그램 전류 및 상기 제3 합성형 반강자성체의 제3 RKKY 유도층을 평행하게 흐르는 제3 프로그램 전류에 의해 제2 저항 단위체의 저항 상태는 결정되는 것을 특징으로 하는 다중 비트 메모리
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제10항에 있어서, 상기 제1 프로그램 전류 및 상기 제2 프로그램 전류가 상호 반대 방향이면 상기 제1 저항 단위체는 저저항 상태이며, 상기 제1 프로그램 전류 및 상기 제2 프로그램 전류가 상호 동일 방향이면 상기 제1 저항 단위체는 고저항 상태이고,상기 제2 프로그램 전류 및 상기 제3 프로그램 전류가 상호 반대 방향이면 상기 제2 저항 단위체는 저저항 상태이며, 상기 제2 프로그램 전류 및 상기 제3 프로그램 전류가 상호 동일 방향이면 상기 제2 저항 단위체는 고저항 상태인 것을 특징으로 하는 다중 비트 메모리
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제11항에 있어서, 상기 합성형 반강자성체들의 표면에 수직한 방향으로 전류를 공급하여 상기 제1 저항 단위체 및 상기 제2 저항 단위체의 저항 상태를 확인하는 것을 특징으로 하는 다중 비트 메모리
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제10항에 있어서, 상기 다중 비트 메모리의 읽기 동작시에 전류는 상기 제1 RKKY 유도층, 상기 제2 RKKY 유도층 및 상기 제3 RKKY 유도층에 수직으로 흐르는 것을 특징으로 하는 다중 비트 메모리
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