| 1 |
1
케이스의 상단에 결합되고, 피가열체가 상면에 배치되는 커버 플레이트;상기 케이스의 내부에 설치되고, 상기 피가열체를 유도 가열하는 워킹 코일;상기 워킹 코일의 일단에 연결되어 스위칭 동작을 수행하는 제1 및 제2 스위칭 소자를 포함하며, 상기 스위칭 동작을 통해 상기 워킹 코일에 공진 전류를 인가하는 인버터부;상기 워킹 코일의 타단에 연결된 제1 및 제2 공진 커패시터를 포함하는 공진 커패시터부; 및상기 인버터부의 상기 스위칭 동작을 제어하는 제어부를 포함하되,상기 제1 및 제2 스위칭 소자는 각각 와이드 밴드갭(Wide Band-Gap) 반도체 소자를 포함하는유도 가열 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 와이드 밴드갭 반도체 소자는 SiC, GaN, Ga2O3 및 AIN 중 어느 하나를 포함하는유도 가열 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 워킹 코일의 턴수는 12번 내지 14번 중 어느 하나이고, 상기 공진 커패시터부의 커패시턴스(capacitance)는 0
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 피가열체가 약자성체보다 자성이 강한 자성체인 경우, 상기 워킹 코일의 등가 인덕턴스(inductance)는 20uH ~ 30uH 사이인유도 가열 장치
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,상기 피가열체가 약자성체인 경우, 상기 워킹 코일의 등가 인덕턴스는 15uH ~ 25uH 사이인유도 가열 장치
|
| 6 |
6
제3항에 있어서,상기 피가열체가 약자성체일 때의 상기 인버터부의 동작 주파수 및 상기 피가열체가 약자성체보다 자성이 강한 자성체일 때의 상기 인버터부의 동작 주파수 간 주파수 차이는 가청주파수보다 큰유도 가열 장치
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 주파수 차이는 20kHz ~ 40kHz 사이인유도 가열 장치
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 약자성체는 STS304를 포함하고, 상기 약자성체보다 자성이 강한 자성체는 STS430을 포함하는유도 가열 장치
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 제어부는 상기 워킹 코일에 흐르는 공진 전류의 감쇄 정도를 감지하고, 상기 감지 결과를 토대로 상기 피가열체의 재질을 판단하며, 상기 판단 결과를 토대로 상기 인버터부의 동작 주파수를 결정하는유도 가열 장치
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 인버터부는 하프-브릿지(half-bridge) 형태로 구현된유도 가열 장치
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,교류 전력을 출력하는 전원부;상기 전원부에서 출력된 교류 전력을 직류 전력으로 정류하는 정류부;상기 정류부에서 정류된 직류 전력의 리플을 저감하고, 상기 리플이 저감된 직류 전력을 상기 인버터부로 제공하는 직류 링크 커패시터; 및상기 커버 플레이트의 상면에 평편하게 매립되도록 설치되고, 사용자로부터 터치 입력을 수신하여 상기 제어부로 전달하며, 특정 이미지를 표시하는 입력 인터페이스를 더 포함하는유도 가열 장치
|
