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개시제를 사용하는 화학 기상 증착 방법(initiated chemical vapor deposition; iCVD)을 기반으로 하여, 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate, GMA) 및 2-하이드록시에틸 아클릴산(2-hydroxyethyl acrylate, HEA)의 단량체와 터트-부틸 페록사이드(tert-butyl peroxide, TBPO)의 상기 개시제를 이용한 공중합체 조성에 따른 물성을 조절하여 자가 치유 고분자를 형성하는 단계를 포함하는, 물성 조절이 가능한 자가 치유 고분자 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 자가 치유 고분자를 형성하는 단계는상기 단량체인 상기 글리시딜 메타크릴레이트(GMA) 및 상기 2-하이드록시에틸 아클릴산(HEA) 각각의 유량(flow rate)을 조절하여 공중합체의 조성을 조절하는 것을 특징으로 하는, 물성 조절이 가능한 자가 치유 고분자 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 2-하이드록시에틸 아클릴산(HEA)의 분율이 높은 조성의 공중합체가 상기 글리시딜 메타크릴레이트(GMA)의 분율이 높은 조성의 공중합체에 비해 비교적 빠른 자가 치유 시간을 나타내는, 물성 조절이 가능한 자가 치유 고분자 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 글리시딜 메타크릴레이트(GMA)의 분율이 낮은 조성의 공중합체는30%의 변형 전후로 기계적 물성의 변화가 거의 없고, 150%의 큰 변형에서는 약 20분 만에 물성을 회복하는 것을 특징으로 하는, 물성 조절이 가능한 자가 치유 고분자 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 자가 치유 고분자를 형성하는 단계는상기 자가 치유 고분자 상에 금 전극(gold electrode)를 증착하여 전자기기에 적용시키는 단계를 포함하는, 물성 조절이 가능한 자가 치유 고분자 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 자가 치유 고분자는 공중합체 조성에 무관하게 플랫(flat)하고, 투명한 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는, 물성 조절이 가능한 자가 치유 고분자 형성 방법
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개시제를 사용하는 화학 기상 증착 방법(initiated chemical vapor deposition; iCVD)을 기반으로 하여, 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate, GMA) 및 2-하이드록시에틸 아클릴산(2-hydroxyethyl acrylate, HEA)의 단량체와 터트-부틸 페록사이드(tert-butyl peroxide, TBPO)의 상기 개시제를 이용한 공중합체 조성에 따른 물성 조절로 형성되는 자가 치유 고분자
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