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제1 금속을 포함하는 집전체; 및제1 금속과 제2 금속의 합금을 포함하는 합금 활물질층;을 포함하고, 상기 집전체와 합금 활물질층에 포함되는 제1 금속은 동일한 금속이고, 상기 제 1 금속은 Ga, Ge, In, Sn, Sb, Tl, Pb, 및 Bi를 포함하는 군에서 선택된 것이고, 상기 제2 금속은 Na, Li, 및 Mg를 포함하는 군에서 선택된 것이고, 상기 합금 활물질층은 하기 화학식 1 내지 24 중 어느 하나로 표시되는 합금을 포함하는 것인, 음극
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제1항에 있어서, 상기 집전체와 상기 합금 활물질층은 집전체와 합금 활물질층을 연결하는 원자 결합을 가지는 것인, 음극
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제1항에 있어서, 상기 합금 활물질층은 합금 활물질층 100질량% 기준으로 화학식 1 내지 24 중 어느 하나로 표시되는 합금을 97 질량% 이상 포함하는 것인, 음극
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제1항에 있어서, 상기 합금 활물질층은 마이크로 금속 입자가 상하로 적층 결합된 복수의 기둥 구조를 가지는 것인, 음극
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제4항에 있어서, 상기 마이크로 금속 입자는 평균 직경이 0
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제1항에 있어서, 상기 합금 활물질층은 공극도가 50 내지 90 부피%인 것인, 음극
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제1항에 있어서, 상기 집전체 두께 대비 합금 활물질층의 두께(합금 활물질층 두께/집전체 두께)는 0
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제1항에 있어서, 1사이클 방전용량 대비, 100사이클 방전용량의 유지율(retention)이 95% 이상인 것인,음극
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제1항에 있어서, 1사이클 방전용량 대비, 30사이클 방전용량의 유지율(retention)이 92% 이상인 것인,음극
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제1항에 있어서, 1사이클 방전용량과 2사이클 방전용량 차이가 5% 이하인 것인, 음극
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금속 포일 음극, 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속 전극을 포함하는 하프-셀(half-cell)를 구성하는 단계;상기 하프-셀(half-cell)을 방전 그래프 상의 최초 평탄 전압 구간 경계점 미만으로 방전시켜 상기 금속 포일 음극의 일면에 합금 활물질층이 형성하는 단계; 및상기 일면에 합금 활물질층이 형성된 음극, 양극 활물질을 포함하는 양극, 및 전해질을 포함하는 풀-셀(full-cell)를 제조하는 단계;를 포함하고, 상기 금속 포일 음극은 Ga, Ge, In, Sn, Sb, Tl, Pb, 및 Bi 를 포함하는 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 이차 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 합금 활물질층이 형성하는 단계에서 방전용량을 1107mAh/g 미만으로 제어하는 것인, 이차 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 합금 활물질층이 형성하는 단계는 하기 계산식 1을 만족하도록 방전용량을 제어하는 것인,이차 전지의 제조 방법:[계산식 1] 0 003c# 100 * (초기 평탄 전압 구간 경계점의 방전용량/완전 방전시 전체 이론 방전용량) 003c# 100 이다
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제11항에 있어서, 상기 합금 활물질층을 형성하는 단계에서 상기 알칼리 금속이 Li인 경우, 상기 금속 포일 음극은 Sn 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 226mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Bi 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 128mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Ga 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 192mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Ge 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 1623mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 In 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 700mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Sb 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 660mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Tl 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 525mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Pb 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 569mAh/g 미만으로 제어하는 것이고, 상기 알칼리 금속이 Na인 경우, 상기 금속 포일 음극은 Sn 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 226mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Bi 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 128mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Ga 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 96mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Ge 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 369mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 In 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 145mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Sb 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 220mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Tl 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 65mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Pb 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 129mAh/g 미만으로 제어하는 것이고, 상기 알칼리 금속이 Mg인 경우, 상기 금속 포일 음극은 Sn 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 452mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Bi 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 192mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Ga 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 192mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Ge 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 738mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 In 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 116mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Sb 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 330mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Tl 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 131mAh/g 미만으로 제어하거나, 상기 금속 포일은 Pb 금속 포일 음극이고, 방전용량을 0 초과, 및 259mAh/g 미만으로 제어하는 것인, 이차 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 하프-셀(half-cell)를 구성하는 단계 이전에,금속을 압연하여 금속 포일 음극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인, 이차 전지의 제조 방법
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양극; 전해질; 및제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 음극을 포함하는 것인,이차 전지
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제16항에 있어서, 상기 전해질은 금속염, 및 에테르계 용매를 포함하는 것인
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제17항에 있어서, 상기 에테르계 용매는 디메톡시에탄(Dimethoxyethane, DME), 1, 3- 다이옥솔란(1,3-dioxolane), 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(tetraethylene glycol dimethyl ether, TEGDME), 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(Diethylene glycol dimethyl ether, DEGDME), 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(Triethylene glycol dimethyl ether, TEGDME), 폴리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(Polyethylene glycol dimethyl ether, PEGDME), 폴리에틸렌옥사이드(Polyethyleneoxide, PEO), 다이옥솔란(Dioxolane, DOL) 및 이들의 혼합물을 포함하는 군에서 선택된 것인,이차 전지
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