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1
기판 상에 배치되는 수직 반사 층;상기 수직 반사 층 상에 배치되는 하부 전극 층;상기 하부 전극 층 상에 배치되는 수평 반사 층;상기 수평 반사 층 내에 배치되는 양자 광원; 및상기 수평 반사 층 상에 배치되는 상부 전극 층을 포함하되,상기 수평 반사 층은:상기 양자 광원이 배치되는 중심 부분; 및상기 중심 부분의 외곽을 둘러싸는 복수개의 링 부분들을 포함하는 양자 광원 소자
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제 1 항에 있어서,복수개의 링 부분들은 에어 갭에 의해 중심 부분으로부터 이격하여 배치되는 양자 광원 소자
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제 1 항에 있어서,상기 양자 광원은 상기 수평 반사 층의 두께의 40%의 상대 높이에 배치되는 양자 광원 소자
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제 3 항에 있어서,상기 수평 반사 층의 두께가 125nm일 때, 양자 광원은 상기 수평 반사 층의 하부 면으로부터 50nm의 높이에 배치되는 양자 광원 소자
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극 층은:상기 링 부분들의 최외곽에 배치된 제 1 아크 전극; 및상기 제 1 아크 전극에 연결되고, 상기 링 부분들 및 상기 중심 부분의 일측에 배치되는 제 1 로드 전극을 포함하는 양자 광원 소자
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제 1 항에 있어서,상기 상부 전극 층은:상기 링 부분들의 최외곽에 배치된 제 2 아크 전극; 및상기 제 2 아크 전극에 연결되고, 상기 링 부분들 및 상기 중심 부분의 타측에 배치되는 제 2 로드 전극을 포함하는 양자 광원 소자
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7
제 1 항에 있어서,상기 중심 부분과 상기 복수개의 링 부분들은:제 1 도전형을 갖는 제 1 도핑된 층;상기 제 1 도핑된 층 상에 배치된 진성 층; 및상기 진성 층 상에 배치되고, 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형을 갖는 제 2 도핑된 층을 포함하는 양자 광원 소자
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제 7 항에 있어서,상기 양자 광원은 상기 중심 부분의 상기 진성 층 내에 배치되는 양자 광원 소자
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제 1 항에 있어서,상기 수평 반사 층 GaAs 또는 InP를 포함하는 양자 광원 소자
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10
제 1 항에 있어서,상기 양자 광원은 InAs를 포함하는 양자 광원 소자
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제 1 항에 있어서,상기 수직 반사 층은:제 1 유전체 층들; 및상기 제 1 유전체 층들과 교번하여 적층되는 제 2 유전체 층들을 포함하는 양자 광원 소자
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12
제 1 항에 있어서,상기 수직 반사 층과 상기 수평 반사 층 사이에 배치된 반사 최적화 층을 더 포함하는 양자 광원 소자
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제 11 항에 있어서,상기 반사 최적화 층은 실리콘 산화물을 포함하는 양자 광원 소자
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양자 광원 소자; 및상기 양자 광원 소자에 접합되는 광 섬유를 포함하되, 상기 양자 광원 소자는:기판 상에 배치되는 수직 반사 층;상기 수직 반사 층 상에 배치되는 하부 전극 층;상기 하부 전극 층 상에 배치되는 수평 반사 층;상기 수평 반사 층의 중심 내에 배치되는 양자 광원; 및상기 수평 반사 층 상에 배치되는 상부 전극 층을 포함하되,상기 수평 반사 층은:상기 양자 광원이 배치되는 중심 부분; 및상기 중심 부분의 외곽을 둘러싸는 복수개의 링 부분들을 포함하는 광통신 장치
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제 14 항에 있어서,상기 광섬유와 상기 수평 반사 층 사이에 배치되는 광 도파로를 구비하는 광 회로를 더 포함하는 광통신 장치
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제 14 항에 있어서,상기 광 도파로는 상기 중심 부분에 정렬되는 광통신 장치
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