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마이크로웨이브 플라즈마 장치에 이종원소 및 O2 를 함유하는 플라즈마 가스를 주입하고, 금속원료를 투입하는 단계; 및마이크로웨이브 플라즈마 장치에 주입된 금속원료는 플라즈마 가스와 반응하여 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체를 합성하는 단계; 를 포함하는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,이종원소 및 O2 를 함유하는 플라즈마 가스는, O2/N2 혼합가스이며, 합성되는 금속산화물 나노구조체는 질소가 도핑된 금속산화물 나노구조체인 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
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제2항에 있어서,O2/N2 혼합가스는, O2 가스와 N2 가스가 10~90:90~10 의 부피비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,이종원소는, 망간(Mn), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co), 철(Fe), 은(Ag), 납(Pd), 이트륨(Y), 마그네슘(Mg), 주석(Sn), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 세륨(Ce), 네오디뮴(Nd), 탄소(C), 황(S) 및 질소(N)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,금속원료는, 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 세레늄(Se), 주석(Sn), 철(Fe), 규소(Si), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 텔루륨(Te), 바나듐(V), 텅스텐(W) 및 게르마늄(Ge)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체를 합성하는 단계에서, 플라즈마 가스의 유량은 5 내지 30 LPM 범위인 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체를 합성하는 단계는, 500 내지 1500 W 범위의 플라즈마 전력(plasma power)을 5초 내지 30분간 공급하여 수행되는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법은, 연속공정으로 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체를 합성하는 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법
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제1 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체의 제조방법에 의해서 제조되는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체
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제9항에 있어서,질소가 도핑된 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체
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제9항에 있어서,이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체는, 테트라포드(Tetrapod) 형상인 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체
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제9항에 있어서,이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체는, 흡수 파장이 500 내지 700 nm 이며, 질소가 도핑된 것을 특징으로 하는 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체
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제12항에 따른 이종원소가 도핑된 금속산화물 나노구조체를 포함하는 광촉매
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