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상부에 금속산화물 완충층이 형성된 기판; 및상기 완충층의 상부에 형성되는 자성재료 박막층을 포함하고,상기 자성재료 박막층은, 상기 완충층 상에 강자성체 물질이 증착되어 형성되되, 상기 금속산화물 완충층에서 생성된 금속수산화물이 제거되면서 상기 강자성 물질의 결정입자간 이격되게 결정입계가 형성되는 강자성 층과, 상기 강자성층의 상부에 상자성체 물질이 증착되되, 상기 이격되게 형성된 강자성층 결정입계 사이에 확산침투되어 형성되는 상자성층을 포함하여 이루어져,이격된 강자성체 결정입계 사이에 상자성체 물질을 포함하는 자성재료 박막층이 형성된 기판
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제 1 항에 있어서, 상기 금속산화물은 MgO 인 것을 특징으로 하는, 자성재료 박막층이 형성된 기판
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제 1 항에 있어서,상기 강자성체 물질은 Fe, Fe 합금 또는 Fe계 화합물인 것을 특징으로 하는, 자성재료 박막층이 형성된 기판
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 금속기판, Al2O3층, Y2O3층 및 MgO층이 순차적으로 형성되어 이루어지는 IBAD 기판인 것을 특징으로 하는, 자성재료 박막층이 형성된 기판
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 장선의 테이프 형상인 것을 특징으로 하는, 자성재료 박막층이 형성된 기판
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제 1 항에 있어서,상기 상자성체 물질은 Cu, SmCu, Zn 또는 La/Cu 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 자성재료 박막층이 형성된 기판
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(a) 상부에 금속산화물 완충층이 형성되는 기판을 준비하는 단계; 및 (b) 상기 완충층의 상부에 자성재료 박막층을 형성되는 단계를 포함하고,상기 자성재료 박막층은, (b-1) 상기 완충층 상에 강자성체 물질을 증착시켜 형성하되, 상기 금속산화물 완충층에서 생성된 금속수산화물이 제거되면서 상기 강자성체 물질의 결정입자간 이격되게 결정입계가 형성되는, 강자성층 증착 단계와, (b-2) 상기 강자성층의 상부에 상자성체 물질이 증착시켜 형성하되, 상기 이격되게 형성된 강자성층 결정입계 사이에 확산침투되어 형성되는 것을 포함하는, 상자성층 증착 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는
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제 6 항에 있어서,상기 (b-1)단계는, 상기 완충층 상에 강자성체 물질을 열증착시켜 형성하되, 증착시 열처리 온도 증가에 따라 강자성체 물질의 결정입자 크기 및 결정입계 간격을 제어하는 것을 특징으로 하는, 이격된 강자성체 결정입계 사이에 상자성체 물질을 포함하는 자성재료 박막층이 형성된 기판의 제조방법
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