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제1 전원과 전력 반도체 소자를 연결하거나 연결 해제하는 제1 스위치;상기 제1 전원과 상기 전력 반도체 소자의 연결에 따라 충전되고, 상기 연결 초기 충전에 상응하는 전류를 상기 전력 반도체 소자에 제공하는 커패시터; 및 상기 제1 전원과 상기 전력 반도체 소자의 연결이 해제되면 상기 커패시터에 충전된 전하를 방전시키기 위해 턴온되는 제2 스위치; 를 포함하는 게이트 드라이버
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제1항에 있어서,상기 제2 스위치의 턴온에 따라 상기 커패시터의 전하를 방전시키는 방전저항;을 더 포함하는 게이트 드라이버
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제1항에 있어서,상기 제2 스위치는, 내부저항을 포함하는 NMOS(N-channel MOS)로 형성되고, 상기 제2 스위치의 턴온에 따라 상기 내부저항이 상기 커패시터의 전하를 방전시키는, 게이트 드라이버
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 스위치와 연결되고, 상기 제1 전원과 상기 전력 반도체 소자가 연결되면, 상기 제1 전원에 의한 정상 상태 구동 전류를 상기 전력 반도체 소자에 공급하기 위한 제1 저항;을 더 포함하되,상기 제1 저항은 상기 제2 스위치의 턴온 시점에서 상기 커패시터의 전하를 방전시키는, 게이트 드라이버
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 스위치와 연결되고, 상기 제1 전원과 상기 전력 반도체 소자가 연결되면, 초기 충전 전류를 제한하기 위한 제2 저항;을 더 포함하되,상기 제2 저항은 상기 제2 스위치의 턴온 시점에서 상기 커패시터의 전하를 방전시키는, 게이트 드라이버
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제2항에 있어서,상기 제2 스위치는, NMOS(N-channel MOS)로 형성되되,상기 NMOS의 드레인(Drain)은 상기 방전저항에 직렬 연결되고, 상기 NMOS의 소스(Source)는 상기 전력 반도체 소자와 연결되고, 상기 NMOS의 게이트(Gate)는 게이트 저항과 연결되며, 상기 게이트 저항은 그라운드(GND)와 연결되는, 게이트 드라이버
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제5항에 있어서,상기 방전저항의 일단에 상응하는 노드는 상기 제2 스위치에 연결되고, 상기 방전저항의 타단에 상응하는 노드는 상기 커패시터 및 상기 제2 저항과 연결되는, 게이트 드라이버
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8
제1항에 있어서,제2 전원과 상기 전력 반도체 소자를 연결하거나 연결 해제하되, 상기 제1 스위치와 교차적으로 동작하는 제3 스위치;를 더 포함하는 게이트 드라이버
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제8항에 있어서,상기 제2 스위치의 턴온에 따라 상기 커패시터의 전하를 방전시키는 방전저항; 및 상기 제3 스위치와 연결되고, 상기 제2 전원에 의한 전류를 상기 전력 반도체 소자에 공급하기 위한 제3 저항;을 더 포함하되,상기 방전저항의 일단에 상응하는 노드는 상기 제2 스위치에 연결되고, 상기 방전저항의 타단에 상응하는 노드는 상기 커패시터 및 상기 제3 저항과 연결되는, 게이트 드라이버
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