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커패시터를 통해 시냅스로부터 입력되는 전류를 충전하여 포텐셜(potential)을 생성하고,상기 생성되는 포텐셜이 임계값을 초과하면, 상기 커패시터에 연결된 p-n-p-n 다이오드를 이용해서, 상기 생성되는 포텐셜에 상응하는 스파이크 전압을 생성하여 출력하는 뉴런 모방 회로
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제1항에 있어서,상기 뉴런 모방 회로는,상기 p-n-p-n 다이오드에 연결되는 적어도 하나 이상의 트랜지스터들을 이용해서 상기 생성된 스파이크 전압을 리셋하는뉴런 모방 회로
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제2항에 있어서,상기 p-n-p-n 다이오드는,애노드단이 상기 커패시터에 병렬 연결되고, 캐소드단이 상기 적어도 하나 이상의 트랜지스터들에 연결되는뉴런 모방 회로
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제3항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 트랜지스터들 중에서
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제4항에 있어서,상기 스파이크 전압은,상기 제1 트랜지스터와 상기 p-n-p-n 다이오드의 전압 분할(voltage division)에 의해서 결정되는 뉴런 모방 회로
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제1항에 있어서,상기 p-n-p-n 다이오드는,애노드 전압에 의해 다이오드 소자 내부에서 생성되는 아발란체 브레이크다운(Avalanche breakdown) 현상을 이용해서 상기 생성되는 포텐셜에 상응하는 스파이크 전압을 생성하는 뉴런 모방 회로
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제4항에 있어서,상기 스파이크 전압은,상기 입력 펄스의 시간 폭에 대한 변화 및 상기 입력 펄스의 크기에 따라 주파수가 변화되는 뉴런 모방 회로
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제6항에 있어서,상기 p-n-p-n 다이오드는,복수의 포텐셜 베리어(potential barriers)를 구비하고, 상기 복수의 포텐셜 베리어(potential barriers)를 이용해서 상기 애노드 전압이 인가되기 전에 전하 캐리어 주입을 차단하는뉴런 모방 회로
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제8항에 있어서,상기 p-n-p-n 다이오드는,상기 애노드 전압이 기설정된 기준전압으로 증가 할 때, 상기 애노드 전압을 통해 밸런스 밴드(valence band)에서 상기 복수의 포텐셜 베리어의 높이가 낮아지도록 유도하며, 상기 복수의 포텐셜 베리어의 높이가 낮아지는 경우의 포텐셜 웰(potential well)에 홀을 주입하도록 동작하는뉴런 모방 회로
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제4항에 있어서,상기 p-n-p-n 다이오드는,상기 제2 트랜지스터의 게이트단에 발생하는 전압에 의해 리셋 전류를 유도하여 상기 스파이크 전압을 감소시키고,상기 제3 트랜지스터의 게이트단에 발생하는 전압에 의해 방전 전류를 유도하여 커패시터에 충전된 전하를 방전시켜 스파이크 전압을 리셋하는뉴런 모방 회로
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11
제9항에 있어서,앞단의 시냅스에서 들어오는 전류 펄스가 커패시터에 축적됨에 따라 상기 애노드 전압이 증가하고,상기 드레인 전압이 증가함에 따라 상기 p-n-p-n 다이오드의 내부에 형성되는 역전압 바이어스 레벨에 의해 형성되는 전위 장벽이 증가하며,상기 전위 장벽이 높아짐에 따라 아발란체 브레이크다운(Avalanche breakdown)이 발생하는 문턱치 전압 이상으로 상기 드레인 전압이 높아지면 래치-업(latch-up) 현상이 발생하는 뉴런 모방 회로
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12
제11항에 있어서,상기 발생된 래치-업(latch-up) 현상에 따라 흐르는 전류에 기인하여 p-n-p-n 다이오드와 제1 트랜지스터와의 전압 분배에 따라 출력 단자(Vspike)에서 전기적 발화(fire)가 발생하는 뉴런 모방 회로
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제12항에 있어서,상기 출력 단자(Vspike)에서 스파이크 전압이 발생하면 상승한 제3 트랜지스터와 제2 트랜지스터의 게이트 전압에 의해 제3 트랜지스터와 제2 트랜지스터가 모두 켜지면서 각각 커패시터에 충전되어 있던 전하와 Vspike의 전압을 방전시켜 리셋 동작을 수행하는 뉴런 모방 회로
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커패시터를 통해 시냅스로부터 입력되는 전류를 충전하여 포텐셜(potential)을 생성하고,상기 생성되는 포텐셜이 임계값을 초과하면, 상기 커패시터에 연결된 p-n-p-n 다이오드를 이용해서, 상기 생성되는 포텐셜에 상응하는 스파이크 전류를 생성하여 출력하며,상기 p-n-p-n 다이오드에 연결되는 적어도 하나 이상의 트랜지스터들을 이용해서 상기 생성된 스파이크 전류를 리셋하는뉴런 모방 회로
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