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PEEK(polyetheretherketone)로 구성된 기재; 및상기 기재의 표면에 형성된 HA(hydroxyapatite)로 구성된 코팅층을 포함하고,상기 코팅층은 다공성 나노 복합구조인 것을 특징으로 하는 HA코팅층이 형성된 PEEK기재
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제 1 항에 있어서,상기 HA코팅층의 기공도는 45 % 내지 80 %인 것을 특징으로 하는 HA 코팅층이 형성된 PEEK기재
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제 1 항에 있어서,상기 HA 코팅층의 두께는 50 nm 내지 1,000 nm인 것을 특징으로 하는 HA 코팅층이 형성된 PEEK기재
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제 1 항에 있어서,상기 HA 코팅층은 Ca 및 P를 각각 6 at% 내지 7 at%로 포함하는 것을 특징으로 하는 HA 코팅층이 형성된 PEEK기재
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챔버 내에 HA를 포함하는 타겟 및 PEEK기재를 포함하는 기판을 배치하는 단계;상기 챔버 내부가 진공상태가 되도록 처리하는 단계;상기 챔버 내부에 불활성가스를 주입하는 단계;상기 타겟 및 기판에 동시에 RF 파워를 인가하는 단계; 및상기 PEEK 기재의 표면에 RF 마그네트론 스퍼터링으로 HA를 증착하는 동시에 HA이온주입 현상을 유도하여 HA코팅층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 HA코팅층은 다공성 나노 복합구조인 것을 특징으로 하는 HA코팅층이 형성된 PEEK기재의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 챔버 내부가 진공상태가 되도록 처리하는 단계는 상기 챔버 내부의 압력이 1 X 10-4 Torr 내지 5 X 10-5 Torr가 될 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 HA코팅층이 형성된 PEEK기재의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 챔버 내부에 불활성가스를 주입하는 단계에서,상기 불활성가스는 아르곤(Ar)이고, 상기 챔버의 압력이 0
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제 5 항에 있어서,상기 RF 파워를 인가하는 단계에서, 상기 타겟에 인가하는 RF파워는 100 W 내지 200 W인 것을 특징으로 하는 HA코팅층이 형성된 PEEK기재의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 RF파워를 인가하는 단계에서, 상기 기판에 인가하는 RF 파워는 40 W 내지 60 W인 것을 특징으로 하는 HA코팅층이 형성된 PEEK기재의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 HA코팅층을 형성하는 단계는 10 분 내지 70 분간 수행되는 것을 특징으로 하는 HA코팅층이 형성된 PEEK기재의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 HA코팅층을 형성하는 단계에서, 형성되는 HA코팅층의 기공도는 45 % 내지 80 %인 것을 특징으로 하는 HA코팅층이 형성된 PEEK기재의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 HA코팅층을 형성하는 단계에서, 형성되는 HA코팅층의 두께는 50 nm 내지 1,000 nm인 것을 특징으로 하는 HA코팅층이 형성된 PEEK기재의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 HA코팅층을 형성하는 단계에서, 형성되는 HA코팅층은 Ca 및 P를 각각 6 at% 내지 7 at%로 포함하는 것을 특징으로 하는 HA코팅층이 형성된 PEEK기재의 제조방법
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제 1 항의 HA 코팅층이 형성된 PEEK기재를 포함하는 임플란트
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