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반도체 입자; 및 상기 반도체 입자의 표면에 코팅된 폴리페놀계 화합물;을 포함하며, 광조사에 의해 금이온을 선택적으로 흡착하는 것을 특징으로 하는 금이온 흡착제
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제 1항에 있어서,상기 반도체 입자의 전도대(conduction band) 최소 에너지 레벨(energy level)은 상기 폴리페놀계 화합물의 최소 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 레벨 보다 높되, 상기 반도체 입자의 가전자대(valence band)의 최소 에너지 레벨은 상기 폴리페놀계 화합물의 최소 HOMO 에너지 레벨 보다 낮은 것을 특징으로 하는 금이온 흡착제
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제 2항에 있어서,상기 폴리페놀계 화합물의 HOMO(highest occupied molecular orbital)로부터 상기 반도체 입자의 전도대(conduction band)로 전자가 여기되는 것을 특징으로 하는 금이온 흡착제
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제 1항에 있어서,상기 폴리페놀계 화합물은 카테콜기, 갈로일기, 카테콜기 함유 작용기 및 갈로일기 함유 작용기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것인, 금이온 흡착제
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제 1항에 있어서,상기 폴리페놀계 화합물은 탄닌계 화합물 및 폴리도파민계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 금이온 흡착제
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제 5항에 있어서,상기 탄닌계 화합물은 탄닌산(tannic acid), 갈로탄닌(gallotannin) 및 엘라지탄닌(ellagitannins)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 금이온 흡착제
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제 1항에 있어서,상기 반도체 입자의 반도체가 실리콘 게르마늄, 금속 산화물 또는 금속 질화물인 금이온 흡착제
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제 7항에 있어서,상기 금속 산화물이 TiO2, ZnO2, ZnO, CaTiO, WO3, SnO2, MoO3, Fe2O3, InP, GaAs, BaTiO3, KNbO3, SrTiO3 및 Ta2O5로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 금이온 흡착제
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제 7항에 있어서,상기 금속 질화물이 BN, AlN, GaN, InN, CrN, Cr2N, WN, W2N, Mn6N4, Mn4N, Fe4N, Co4N, Ni4N, V3N, Fe3N, Co3N, Ni3N, Cu3N, Ti2N, Cr2N, Mn2N, Fe2N, Co2N, ThN2 및 WN2로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 금이온 흡착제
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제 1항에 있어서,상기 반도체 입자의 평균 직경은 10 nm 내지 10 ㎛인 금이온 흡착제
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제 1항 내지 제 10항에서 선택되는 어느 한 항의 금이온 흡착제를 이용하여 금이온을 금속성 금(metallic Au)으로 회수하는 방법
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제 11항에 있어서,상기 방법은 금이온을 포함하는 용액에 금이온 흡착제를 넣고 광을 조사하는 단계를 포함하는 방법
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제 12항에 있어서,상기 광은 400 ㎚ 이하의 파장 영역을 가지는 자외선을 포함하는 방법
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제 11항에 있어서,상기 방법은 금속성 금(metallic Au)이 형성된 금이온 흡착제를 침출 용액에 넣어 금이온 흡착제로부터 금속성 금을 탈착시키는 단계를 포함하는 방법
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