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ABX3(3D), A4BX6(0D), AB2X5(2D), A2BX4(2D), A2BX6(0D), A2B+B3+X6(3D), A3B2X9(2D) 또는 An-1BnX3n+1(qausi-2D)의 구조(n은 2 내지 6 사이의 정수)를 가지고, 상기 A는 일가(1가) 양이온이고, 상기 B는 금속물질이고, 상기 X는 할로겐 원소인 페로브스카이트이되,톨러런스 계수(t)를 , (RA, RB, RX는 각각 A, B, X의 이온반경)로 정의할 때, 상기 페로브스카이트 구조의 A 자리에 있어서, 톨러런스 계수를 1
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 물질은 용매 내에 분산된 콜로이드형 나노입자 또는 다결정 벌크 박막인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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제1항에 있어서,제1 일가(1가) 양이온은 톨러런스 계수를 1
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제1항에 있어서,A 자리의 일가(1가) 양이온 중, 제2 일가(1가) 양이온(A2)이 차지하는 비율은 제1 일가(1가) 양이온과 제2 일가(1가) 양이온의 혼합물 총량에 대하여 5% 이상 60% 이하인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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제2항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 물질이 나노입자인 경우,상기 나노입자는 여기자 보어 지름보다 같거나 크면서 30 nm 이하의 결정 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 물질은 200 nm 내지 1500 nm 영역의 빛을 발광하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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7
제1항에 있어서,제1 일가(1가) 양이온은 메틸암모늄, 포름아미디늄, 세슘의 조합이고,제2 일가(1가) 양이온은 구아니디늄이며, 상기 구아니디늄은 메틸암모늄, 포름아미디늄, 세슘 및 구아니디늄의 혼합물 총량에 대하여 5% 이상 60% 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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8
제2항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 물질이 나노입자인 경우,상기 페로브스카이트 발광 물질은 여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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제2항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 물질이 나노입자인 경우,상기 페로브스카이트 나노입자 내에서 나노결정을 둘러싸는 복수개의 유기리간드들을 더 포함하고, 유기 용매에 분산이 가능한 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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10
ABX3(3D), A4BX6(0D), AB2X5(2D), A2BX4(2D), A2BX6(0D), A2B+B3+X6(3D), A3B2X9(2D) 또는 An-1BnX3n+1(qausi-2D)의 구조(n은 2 내지 6 사이의 정수)를 가지고, 상기 A는 일가(1가) 양이온이고, 상기 B는 금속물질이고, 상기 X는 할로겐 원소인 페로브스카이트이되,톨러런스 계수(t)를 , (RA, RB, RX는 각각 A, B, X의 이온반경)로 정의할 때, 상기 페로브스카이트 구조의 A 자리에 있어서, 톨러런스 계수를 1
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제10항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 물질은 용매 내에 분산된 콜로이드형 나노입자 또는 다결정 벌크 박막인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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제10항에 있어서,제1 일가(1가) 양이온은 톨러런스 계수를 1
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제10항에 있어서,A 자리의 일가(1가) 양이온 중, 제2 일가(1가) 양이온(A2)이 차지하는 비율은 제1 일가(1가) 양이온과 제2 일가(1가) 양이온의 혼합물 총량에 대하여 5% 이상 60% 이하인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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제11항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 물질이 나노입자인 경우,상기 나노입자는 여기자 보어 지름보다 같거나 크면서 30 nm 이하의 결정 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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제10항에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 물질은 300 nm 내지 1500 nm 영역의 빛을 발광하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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제10항에 있어서,제1 일가(1가) 양이온은 메틸암모늄, 포름아미디늄, 세슘이 모두 포함된 조합이고, 제2 일가(1가) 양이온은 구아니디늄이며, 상기 구아니디늄은 메틸암모늄, 포름아미디늄, 세슘 및 구아니디늄의 4종 양이온 혼합물 총량에 대하여 5% 이상 60%이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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제10항에 있어서,제1 일가(1가) 양이온은 메틸암모늄, 포름아미디늄, 세슘의 조합이고, 제2 일가(1가) 양이온은 구아니디늄이며, 상기 제1 일가(1가) 양이온 중 메틸암모늄은 메틸암모늄, 포름아미디늄, 세슘 및 구아니디늄의 4종 양이온 혼합물 총량에 대하여 1% 이상 20%이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광 물질
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여기광원으로부터 발생된 빛의 파장을 특정 파장으로 변환하는 제8항 또는 제10항의 페로브스카이트 나노입자; 및 상기 페로브스카이트 나노입자를 분산시키는 분산매질을 포함하는 페로브스카이트 파장변환체
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기판; 상기 기판 상에 위치하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 위치하는 발광층; 및 상기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 발광층은 제1항 또는 제10항의 페로브스카이트 발광 물질인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 발광소자
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베이스 구조물; 상기 베이스 구조물 상에 배치되는 소정의 파장의 빛을 방출하는 적어도 하나의 여기 광원; 및 상기 여기 광원의 광로에 배치되는, 제18항의 페로브스카이트 파장변환체를 포함하는 페로브스카이트 발광소자
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