| 1 |
1
이온전도성 매트릭스; 및 상기 이온전도성 매트릭스에 분산되고 일정 방향으로 배향된 1차원 분산상;을 포함하며,상기 1차원 분산상은 1차원 나노구조체의 코어; 상기 매트릭스와 동종의 이온을 전도하는 이온전도성 물질을 함유하는 표면층; 및 상기 코어와 상기 표면층 사이에 위치하며 양이온성 고분자를 포함하는 중간층을 포함하는 이온전도성 막
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 1차원 나노구조체는 비전도성 나노와이어, 비전도성 나노튜브 및 비전도성 나노막대에서 하나 이상 선택되는 이온전도성 막
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 1차원 나노구조체의 장축 방향과 상기 이온전도성 막의 두께 방향간의 각도는 0 내지 90°인 이온전도성 막
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 분산상은 막의 두께 방향으로 배향된 이온전도성 막
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 1차원 분산상의 배향 방향에 수직인 단면을 기준으로, 상기 이온전도성 막의 단위 면적당 1차원 분산상의 수인 분산상 밀도는 5,000 ~ 1,000,000 개/mm2인 이온전도성 막
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,하기 식 1을 만족하는 이온전도성 막
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 표면층은 상기 1차원 나노구조체를 감싸는 연속층인 이온전도성 막
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,상기 표면층의 두께는 1 내지 100nm인 이온전도성 막
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서,상기 1차원 나노구조체의 종횡비는 5 내지 500인 이온전도성 막
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서,상기 이온전도성 막의 두께인 t를 기준으로, 상기 1차원 나노구조체의 길이는 0
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제 1항에 있어서,상기 이온전도성은 양성자 전도성인 이온전도성 막
|
| 13 |
13
제 1항에 있어서,상기 이온전도성 매트릭스는 이온전도성 수지를 포함하는 이온전도성 막
|
| 14 |
14
제 13항에 있어서,상기 이온전도성 수지 또는 상기 이온전도성 물질은 설폰화된 블럭 공중합체, 측쇄 상에 설포네이트기를 갖는 퍼플루오르화된 중합체 또는 설폰화된 방향족 중합체이며, 상기 이온전도성 수지와 상기 이온전도성 물질은 서로 상이한 이온전도성 막
|
| 15 |
15
제 1항에 있어서,상기 중간층의 표면에 결착된 자성 나노입자를 더 포함하는 이온전도성 막
|
| 16 |
16
망상의 3차원 이온 전도 채널; 및 상기 3차원 이온 전도 채널과 접하며, 1차원 나노구조체상의 표면층을 통해 1차원 나노구조체의 양 단을 잇는 2차원 이온 전도 채널;을 포함하며, 상기 2차원 이온 전도 채널은 상기 1차원 나노구조체의 코어, 상기 망상의 3차원 이온 전도 채널과 동종의 이온을 전도하는 이온전도성 물질을 함유하는 상기 표면층 및 상기 코어와 상기 표면층 사이에 위치하며 양이온성 고분자를 포함하는 중간층을 포함하는 1차원 분산상의 상기 표면층에 의해 제공되고, 상기 2차원 이온 전도 채널은 일정 방향으로 배향된 이온전도성 막
|
| 17 |
17
제 16항에 있어서,상기 2차원 이온 전도 채널은 상기 막의 두께 방향으로 배향된 이온전도성 막
|
| 18 |
18
제 16항에 있어서,상기 3차원 이온 전도 채널과 상기 2차원 이온 전도 채널은 서로 상이한 이온 전도성 물질에 의해 제공되는 이온전도성 막
|
| 19 |
19
제 1항 내지 제 10항 및 제 12항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 따른 이온 전도성 막을 포함하는 장치
|
| 20 |
20
제 19항에 있어서,상기 장치는 연료전지, 레독스 흐름전지, 전기분해 장치, 투석 장치, 수처리 장치 또는 전기화학 이중층 캐패시터인 장치
|
| 21 |
21
이온전도성 매트릭스; 및 상기 이온전도성 매트릭스에 분산되고 일정 방향으로 배향된 1차원 복합구조체;를 포함하며,상기 1차원 복합구조체는 1차원 나노 형상을 제공하는 1차원 나노구조체, 자성을 제공하는 자성 나노입자; 및 상기 매트릭스와 동종의 이온을 전도하는 이온전도성을 제공하는 이온전도성 물질;을 함유하는 이온전도용 복합체
|
| 22 |
22
제 21항에 있어서,상기 1차원 복합구조체는 상기 자성 나노입자를 상기 1차원 나노구조체에 고정시키는 결착물질을 더 함유하는 이온전도용 복합체
|
| 23 |
23
제 22항에 있어서,상기 1차원 복합구조체는 1차원 나노구조체; 상기 결착물질로, 상기 1차원 나노구조체에 코팅된 양이온성 고분자를 포함하는 중간층; 정전기적 인력에 의해 상기 중간층에 결합된 자성 나노입자; 상기 이온전도성 물질로, 적어도, 상기 자성 나노입자가 미 결합되어 표면으로 노출된 중간층을 덮으며, 상기 매트릭스와 동종의 이온을 전도하는 이온전도성 물질을 함유하는 표면층을 포함하는 이온전도용 복합체
|
| 24 |
24
제 21항에 있어서,상기 자성 나노입자는 상자성(paramagnetic) 나노입자, 준강자성(ferrimagnetic) 나노입자 또는 강자성(ferromagnetic) 나노입자인 이온전도용 복합체
|
| 25 |
25
제 21항에 있어서,상기 복합체는 막 형상인 이온전도용 복합체
|
| 26 |
26
제 25항에 있어서,상기 복합체는 상기 1차원 복합구조체의 배향 방향에 따라, 자화율(χ, magnetic susceptibility)이 달라지는 이온전도용 복합체
|
| 27 |
27
제 25항에 있어서,상기 1차원 복합구조체는 상기 막의 두께 방향으로 배향된 복합체
|
| 28 |
28
제 27항에 있어서,상기 복합체의 자화율은 150이상인 복합체
|
| 29 |
29
제 21항에 있어서,상기 자성 나노입자의 직경(Dnp)은 상기 1차원 나노구조체의 직경(D1d)을 기준으로 0
|
| 30 |
30
이온전도성 수지; 1차원 복합구조체; 및 용매;를 포함하는 조성물을 도포하여 도포막을 제조하는 도포단계; 및도포된 도포막을 건조하는 건조단계;를 포함하고, 상기 1차원 복합구조체는 1차원 나노 형상을 제공하는 1차원 나노구조체, 자성을 제공하는 자성 나노입자, 상기 자성 나노입자를 상기 1차원 나노구조체에 고정시키는 결착물질 및 상기 이온전도성 수지와 동종의 이온을 전도하는 이온전도성을 제공하는 이온전도성 물질을 함유하며,상기 도포막의 건조 전, 건조와 동시 또는 건조 중 상기 도포막에 자기장을 인가하는 이온전도성 막의 제조방법
|
| 31 |
31
제 30항에 있어서,상기 조성물은 상기 이온전도성 수지가 현탁되고 상기 1차원 복합구조체가 분산된 조성물인 이온전도성 막의 제조방법
|
| 32 |
32
제 30항에 있어서,상기 건조 단계에서 상기 자기장의 인가에 의해 자기장의 인가 방향에 평행하게 상기 1차원 복합구조체가 배향되는 이온전도성 막의 제조방법
|
| 33 |
33
제 30항에 있어서,상기 자기장은 상기 도포막의 두께 방향으로 인가되는 이온전도성 막의 제조방법
|
| 34 |
34
제 30항에 있어서,상기 용매는 1atm 기준, 제1비점을 갖는 제1용매 및 제1비점보다 낮은 제2비점을 갖는 제2용매를 포함하는 이온전도성 막의 제조방법
|
| 35 |
35
제 34항에 있어서,상기 제1용매와 제2용매의 혼합 비율에 의해 상기 자기장 인가시점에서의 도포막 내 1차원 복합구조체의 유동성이 제어되는 이온전도성 막의 제조방법
|
| 36 |
36
제 30항에 있어서,상기 용매는 물, 글리콜계 용매, 글리콜 에테르계 용매, 알콜계 용매, 케톤계 용매, 에스테르계 용매, 아미드계 용매, 술폭시드 또는 술폰계 용매, 페놀릭계 용매 또는 이들의 혼합 용매인 이온전도성 막의 제조방법
|
| 37 |
37
제 30항에 있어서,도포단계 전, 1차원 복합구조체 제조단계를 더 포함하며,1차원 복합구조체 제조단계는, 1차원 나노구조체에 양이온성 고분자를 함유하는 중간층을 형성하는 1단계; 액상 매질 하 정전기적 인력에 의해 자성 나노입자를 중간층 표면에 고정하는 2단계; 및 자성입자가 고정되고 중간층이 형성된 1차원 나노구조체에 이온전도성 물질을 함유하는 표면층을 형성하는 3단계;를 포함하는 이온전도성 막의 제조방법
|
| 38 |
38
제 30항에 있어서,상기 건조 단계 후 수득된 건조막을 활성화시키는 활성화단계;를 더 포함하는 이온전도성 막의 제조방법
|
| 39 |
39
제 38항에 있어서,상기 활성화시 자성 나노입자가 제거되는 이온전도성 막의 제조방법
|
| 40 |
40
제 30항 내지 제 39항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조된 이온전도성 막
|
