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알칼리토금속 카보네이트, 산화철 및 산화금속을 제1차 밀링 하여 전구체 분말을 제조하는 제1단계;고온으로 하소하는 제2단계;제2차 밀링 후 가공하는 제3단계;낮은 산소 분압 분위기에서 고온으로 열처리하는 제4단계; 및소결 후 노냉하는 제5단계;를 포함하여 하기의 [화학식 1]로 표기되는 단일상의 W-타입 헥사페라이트(W-type hexaferrite)를 포함하는 전자파 흡수체의 제조방법
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청구항 1에 있어서,알칼리토금속 카보네이트는 스트론튬 카보네이트(SrCO3) 또는 바륨 카보네이트(BaCO3)인 것을 특징으로 하는 W-타입 헥사페라이트를 포함하는 전자파 흡수체의 제조방법
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청구항 1에 있어서,금속은 Mn, Zn, Mg, Ni, Co, Cu 중 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 W-타입 헥사페라이트를 포함하는 전자파 흡수체의 제조방법
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청구항 1에 있어서,제1단계에서 알칼리 토금속 카보네이트, 산화철, 산화금속의 몰수비는 1 : (18-x)/2 : x 인 것을 특징으로 하는 W-타입 헥사페라이트를 포함하는 전자파 흡수체의 제조방법
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청구항 1에 있어서,제2단계에서 1100℃ 내지 1200℃의 온도에서 하소하는 것을 특징으로 하는 W-타입 헥사페라이트를 포함하는 전자파 흡수체의 제조방법
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청구항 1에 있어서,제4단계에서 산소 및 질소 혼합가스 분위기에서 열처리하되, 산소 분압은 10-3 내지 10-4 atm 인 것을 특징으로 하는 W-타입 헥사페라이트를 포함하는 전자파 흡수체의 제조방법
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청구항 1에 있어서,제5단계에서 1200℃ 내지 1350℃의 온도에서 노냉하는 것을 특징으로 하는 W-타입 헥사페라이트를 포함하는 전자파 흡수체의 제조방법
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청구항 1의 제조방법에 의하여 제조된 W-타입 헥사페라이트를 포함하는 전자파 흡수체로서,하기의 [화학식 1]로 표기되는 단일상의 W-타입 헥사페라이트를 포함하는 전자파 흡수체
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청구항 8에 있어서,Me는 Zn이고, x는 0
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청구항 9에 있어서,W-타입 헥사페라이트는 25~40GHz 주파수 대역에서 복소 유전율이 실수부가 13
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청구항 9에 있어서,W-타입 헥사페라이트는 25~40GHz 주파수 대역에서 투자율이 실수부가 1
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청구항 9에 있어서,W-타입 헥사페라이트의 반사손실(Reflection loss) 값은 -57dB 내지 -16dB인 것을 특징으로 하는W-타입 헥사페라이트를 포함하는 전자파 흡수체
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