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하나 이상의 MWW 계열 제올라이트와 하나 이상의 DDR 계열 제올라이트를 포함하고,상기 MWW 계열 제올라이트와 상기 DDR 계열 제올라이트는 서로 교대로 구비되되, 상기 MWW 계열 제올라이트와 상기 DDR 계열 제올라이트 중 적어도 어느 하나 이상은 에피택시얼 성장(epitaxial growth)되는 것을 포함하는 MWW/DDR 계열 기체분리막
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제1항에 있어서,상기 MWW 계열 제올라이트 및 DDR 계열 제올라이트는 독립적으로 층(layer)을 형성하되, 교대로 반복적으로 구비되는 기체분리막
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제1항에 있어서,상기 MWW 계열 제올라이트는 Si:Al의 몰비 기준값이 100:0~10인 기체분리막
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제1항에 있어서,상기 DDR 계열 제올라이트는 Si:Al의 몰비 기준값이 100:0~10인 기체분리막
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제1항에 있어서,상기 MWW 계열 제올라이트 상에 DDR 계열 제올라이트가 제1 조건으로 수열합성법으로 에피택시얼 성장되어 구비되거나,상기 DDR 계열 제올라이트 상에 MWW 계열 제올라이트가 제2 조건으로 수열합성법으로 에피택시얼 성장되어 구비된 것인 기체분리막
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제5항에 있어서,상기 MWW 계열 제올라이트 상에 DDR 계열 제올라이트가 제1 방향으로 구비되는 경우, 상기 MWW 계열 제올라이트는 복수개의 MWW 계열 제올라이트 입자의 집단으로 이루어지되, 상기 MWW 계열 제올라이트 입자는 상기 MWW 계열 방향으로 나란한 평균 길이가 10nm 내지 1㎛이고, 상기 DDR 계열 제올라이트 상에 MWW 계열 제올라이트가 제1 방향으로 구비되는 경우, 상기 DDR 계열 제올라이트는 복수개의 DDR 계열 제올라이트 입자의 집단으로 이루어지되, 상기 DDR 계열 제올라이트 입자는 상기 제1 방향으로 나란한 평균 길이가 0
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제6항에 있어서,상기 제1 조건 및 제2 조건은 독립적으로 100℃ 내지 200℃의 온도로 0
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제1항에 있어서,상기 기체분리막은 기체 혼합물로부터 이산화탄소 기체(CO2)을 분리하는 것인 기체분리막
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제1 구조유도제 및 제1 원료를 포함하는 제1 제올라이트 전구체 용액을 이용하여 수열합성법으로 제조한 복수개의 제1 제올라이트 입자를 지지체 상에 구비시켜 제1 제올라이트를 형성하는 제1 제올라이트 형성단계; 및제2 구조유도제 및 제2 원료를 포함하는 제2 제올라이트 전구체 용액을 이용하여 수열합성법으로 상기 제1 제올라이트 상에 제2 제올라이트를 성장시키는 제2 제올라이트 형성단계;를 포함하고,상기 제1 또는 제2 원료는 각각 Si 및 Al 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하고,상기 제1 제올라이트는 상기 지지체 상에 복수개의 입자의 형태로 구비되고, 상기 제2 제올라이트는 상기 제1 제올라이트 상에서 에피택시얼 성장(epitaxial growth)되는 것을 포함하는 체분리막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제1 제올라이트는 입자의 평균 길이가 10nm 내지 1μm이고, 상기 제1 제올라이트 전구체 용액의 몰 농도의 비율은 Si:Al:구조유도제:용매=100:0~10:10~500:500~20000이고,상기 제2 제올라이트 전구체 용액의 몰 농도의 비율은 Si:Al:구조유도제:용매=100:0~10:1~200:500~20000인 기체분리막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제1 제올라이트는 입자의 평균 길이가 0
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제9항 있어서,상기 제1 및 제2 구조유도제는 독립적으로 헥사메틸렌이민(Hexamethyleneimine, HMI), 피페리딘(Piperidine), 아다맨틸아민(1-adamantylamine), 에틸렌디아민(ethylenediamine), 메틸트로피늄염, 1-TMAdaOH (N,N,N-trimethyl-1-adamantylammonium hydroxide), TMAdaBr (N,N,N-trimethyl-1-adamantylammonium bromide), TMAdaF (N,N,N-trimethyl-1-adamantylammonium fluoride), TMAdaCl (N,N,N-trimethyl-1-adamantylammonium chloride), TMAdaI(N,N,N-trimethyl-1-adamantylammonium iodide), TEAOH (tetraethylammonium hydroxide), TEABr (tetraethylammonium bromide), TEAF (tetraethylammonium fluoride), TEACl (tetraethylammonium chloride), TEAI(tetraethylammonium iodide), 디프로필아민(dipropylamine) 및 사이클로헥실아민(cyclohexylamine) 중 어느 하나 이상을 포함하는 기체분리막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 지지체는 α-알루미나, γ-알루미나, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리설폰, 폴리이미드, 실리카, 글래스, 멀라이트(mullite), 지르코니아(zirconia), 티타니아(titania), 이트리아(yttria), 세리아(ceria), 바나디아(vanadia), 실리콘, 스테인레스 스틸, 카본, 칼슘 산화물 및 인 산화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 기체분리막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제1 제올라이트 형성단계 및 상기 제2 제올라이트 형성단계 사이에는, 상기 제1 제올라이트 형성단계의 복수개의 제1 제올라이트 입자의 적어도 일부를 덮는 버퍼부를 형성시키는 버퍼부 형성단계를 더 포함하고,상기 버퍼부 형성단계는 아다맨틸아민: 에틸레디아민: 흄드실리카(fumed silica):용매가 1~20:100~200:100:1000~20000의 몰 농도로 혼합된 버퍼부 전구체 용액을 이용하여 수열합성법으로 상기 제1 제올라이트 상에 버퍼부를 구비시키는 것인 기체분리막의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 버퍼부 형성단계에서,상기 제1 및 제2 제올라이트는 서로 상이한 종류의 제올라이트로 이루어지되, 상기 버퍼부 전구체 용액에 의하여 형성된 제올라이트 구조는 상기 제2 제올라이트 구조와 동일하게 형성되는 기체분리막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제1 제올라이트 형성단계 및 제2 제올라이트 형성단계는 독립적으로 수열합성 후에 12~40시간동안 0
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제9항에 있어서,상기 제2 제올라이트 형성단계 이후에 700~1200℃의 온도에서 10초~5분 동안 급속 열처리하는 단계를 더 포함하는 기체분리막의 제조방법
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