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제1고분자 및 제2고분 자가 호스트-게스트(Host-guest) 상호 작용으로 결합하여 가역성을 갖는 고분자 복합체 박막
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제 1항에 있어서,상기 제1고분자는 하기 화학식 1로 표시되며 게스트 고분자로 기능하고,상기 제2고분자는 하기 화학식 2로 표시되며 호스트 고분자로 기능하는 고분자 복합체 박막
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제 2항에 있어서,자외선을 조사하면 광분해되는 고분자 복합체 박막
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제 3항에 있어서,자외선이 조사되어 결합이 끊어지면, 상기 제1고분자 및 제2고분자는 물에 용해되는 고분자 복합체 박막
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제 2항에 있어서,상기 제1고분자 및 제2고분자 각각은 물리적으로 절단된 후, 접촉하면 재결합하는 고분자 복합체 박막
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양극 및 음극; 및상기 양극 및 상기 음극 사이에 개재된 고분자 전해질을 포함하고,상기 고분자 전해질은 제1고분자 및 제2고분 자가 호스트-게스트(Host-guest) 상호 작용으로 결합하여 가역성을 갖는 전자 소자
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제 6항에 있어서,상기 제1고분자는 하기 화학식 1로 표시되며 게스트 고분자로 기능하고,상기 제2고분자는 하기 화학식 2로 표시되며 호스트 고분자로 기능하는 전자 소자
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제 7항에 있어서,상기 고분자 전해질은 자외선을 조사하면 광분해되는 전자 소자
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제 8항에 있어서,자외선이 조사되어 결합이 끊어지면, 상기 제1고분자 및 제2고분자는 물에 용해되는 전자 소자
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10
제 7항에 있어서,상기 제1고분자 및 제2고분자 각각은 물리적으로 절단된 후, 접촉하면 재결합하고,상기 양극 및 음극은 전기적으로 연결되는 전자 소자
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(A) 전극 활물질층을 생성하는 단계;(B) 겔 타입 고분자 전해질에 상기 전극 활물질층을 삽입하고 건조하는 단계;(C) 상기 전극 활물질층이 삽입된 전해질을 금속염 수용액에 침지한 후 건조하는 단계;(D) 상기 전극 활물질층 상에 전극 집전체를 배치하여, 전해질에 전극이 연결된 유닛을 형성하는 단계; 및 (E) 상기 유닛을 한 쌍 준비하고, 각각의 전극이 상호 이격되도록 한 쌍의 유닛 각각의 전해질을 결합시키는 단계를 포함하고,상기 (B) 단계에서, 상기 고분자 전해질은 제1고분자 및 제2고분 자가 호스트-게스트(Host-guest) 상호 작용으로 결합하여 가역성을 갖는 전자 소자의 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 (B) 단계에서, 상기 제1고분자는 하기 화학식 1로 표시되며 게스트 고분자로 기능하고,상기 제2고분자는 하기 화학식 2로 표시되며 호스트 고분자로 기능하는 전자 소자의 제조 방법
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