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고분자 복합체 박막, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022000337
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1고분자 및 제2고분 자가 호스트-게스트(Host-guest) 상호 작용으로 결합하여 가역성을 갖는 고분자 복합체 박막, 이를 포함하는 전자 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H01G 11/56 (2013.01.01) C08G 83/00 (2006.01.01) H01G 11/84 (2013.01.01) H01G 11/36 (2013.01.01) H01G 11/50 (2013.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200158468 (2020.11.24)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0001415 (2022.01.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200079371   |   2020.06.29
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정숙 서울특별시 강남구
2 김재익 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
3 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 권성현 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** 혜산빌딩 *층(시공특허법률사무소)
5 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
2020.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-1261993-18
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-1261360-27
3 보정요구서
Request for Amendment
2020.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0181540-54
4 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-1320107-11
5 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2020.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2020.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2020-0031949-55
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0280806-36
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0656211-08
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2021-0656158-75
10 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2021.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0155021-82
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0814600-64
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-1219659-88
13 등록결정서
Decision to grant
2021.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0984916-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1고분자 및 제2고분 자가 호스트-게스트(Host-guest) 상호 작용으로 결합하여 가역성을 갖는 고분자 복합체 박막
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1고분자는 하기 화학식 1로 표시되며 게스트 고분자로 기능하고,상기 제2고분자는 하기 화학식 2로 표시되며 호스트 고분자로 기능하는 고분자 복합체 박막
3 3
제 2항에 있어서,자외선을 조사하면 광분해되는 고분자 복합체 박막
4 4
제 3항에 있어서,자외선이 조사되어 결합이 끊어지면, 상기 제1고분자 및 제2고분자는 물에 용해되는 고분자 복합체 박막
5 5
제 2항에 있어서,상기 제1고분자 및 제2고분자 각각은 물리적으로 절단된 후, 접촉하면 재결합하는 고분자 복합체 박막
6 6
양극 및 음극; 및상기 양극 및 상기 음극 사이에 개재된 고분자 전해질을 포함하고,상기 고분자 전해질은 제1고분자 및 제2고분 자가 호스트-게스트(Host-guest) 상호 작용으로 결합하여 가역성을 갖는 전자 소자
7 7
제 6항에 있어서,상기 제1고분자는 하기 화학식 1로 표시되며 게스트 고분자로 기능하고,상기 제2고분자는 하기 화학식 2로 표시되며 호스트 고분자로 기능하는 전자 소자
8 8
제 7항에 있어서,상기 고분자 전해질은 자외선을 조사하면 광분해되는 전자 소자
9 9
제 8항에 있어서,자외선이 조사되어 결합이 끊어지면, 상기 제1고분자 및 제2고분자는 물에 용해되는 전자 소자
10 10
제 7항에 있어서,상기 제1고분자 및 제2고분자 각각은 물리적으로 절단된 후, 접촉하면 재결합하고,상기 양극 및 음극은 전기적으로 연결되는 전자 소자
11 11
(A) 전극 활물질층을 생성하는 단계;(B) 겔 타입 고분자 전해질에 상기 전극 활물질층을 삽입하고 건조하는 단계;(C) 상기 전극 활물질층이 삽입된 전해질을 금속염 수용액에 침지한 후 건조하는 단계;(D) 상기 전극 활물질층 상에 전극 집전체를 배치하여, 전해질에 전극이 연결된 유닛을 형성하는 단계; 및 (E) 상기 유닛을 한 쌍 준비하고, 각각의 전극이 상호 이격되도록 한 쌍의 유닛 각각의 전해질을 결합시키는 단계를 포함하고,상기 (B) 단계에서, 상기 고분자 전해질은 제1고분자 및 제2고분 자가 호스트-게스트(Host-guest) 상호 작용으로 결합하여 가역성을 갖는 전자 소자의 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 (B) 단계에서, 상기 제1고분자는 하기 화학식 1로 표시되며 게스트 고분자로 기능하고,상기 제2고분자는 하기 화학식 2로 표시되며 호스트 고분자로 기능하는 전자 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.