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선택적 증착법을 이용한 적층가능한 기판의 결합방법

  • 기술번호 : KST2022000805
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 선택적 증착법을 이용한 반도체 등의 기판 간의 결합방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선택적 증착법을 이용함으로써 낮은 온도에서도 접합 면 사이의 기계적 및 전기적 결함의 발생을 최소화하는 기판 간의 결합방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/18 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC H01L 21/185(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/02208(2013.01) H01L 21/02164(2013.01) H01L 2924/01029(2013.01) H01L 2924/01044(2013.01)
출원번호/일자 1020190084617 (2019.07.12)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자 10-2263508-0000 (2021.06.04)
공개번호/일자 10-2021-0007713 (2021.01.20) 문서열기
공고번호/일자 (20210610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김우희 경기도 시흥시 서울대학로 ***-*
2 유봉영 경기도 성남시 분당구
3 박태주 경기도 안산시 상록구
4 김대현 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0717081-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0191721-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0903736-95
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-0177295-64
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0177296-10
7 등록결정서
Decision to grant		 2021.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0446085-62
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번호 청구항
1 1
(a) 각각의 실리콘 산화물 영역 상에 1 이상의 전도성 패턴이 형성된 제1 기판과 제2 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 각각의 상기 실리콘 산화물 영역 표면 상부에 표면 억제제 층을 증착시키는 단계:(c) 상기 전도성 패턴 상부에 전이금속을 증착시키는 단계; 및(d) 상기 표면 억제제 층을 제거하는 단계; 및(e) 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 각각의 전이금속 위치가 서로 대응되도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키는 단계를 포함하며,상기 표면 억제제는 아미노실란계 Si 전구체인 것을 특징으로 하는 선택적 원자층 증착을 이용한 기판의 결합방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전도성 패턴 물질은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 또는 이황화몰리브덴(MoS2)인 것을 특징으로 하는 포함하는 선택적 원자층 증착을 이용한 기판의 결합방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 전도성 패턴 물질은 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 포함하는 선택적 원자층 증착을 이용한 기판의 결합방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 Si 전구체는 DMADMS(Bis(N,N-dimethylamino)dimethylsilane, [(CH3)2N]2Si-(CH3)2) 또는 DMATMS((N,N-dimethylamino)trimethylsilane, [(CH3)2N]Si(CH3)3)인 것을 특징으로 하는 선택적 원자층 증착을 이용한 기판의 결합방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 전이금속은 Ru, Pt, Rh, Ir 또는 Au인 것을 특징으로 하는 선택적 원자층 증착을 이용한 기판의 결합방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 전이금속은 Ru인 것을 특징으로 하는 선택적 원자층 증착을 이용한 기판의 결합방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.