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프로브 소켓 및 마이크로 LED 검사 장치

  • 기술번호 : KST2022003240
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 프로브 소켓과 마이크로 LED 검사 장치에 관한 것으로서, 도전성 입자를 몰드 상에 단층으로 배열한 후 프로브 기판에 전사시키되, 도전성 입자의 전사 과정에서 공정 온도를 조절함으로써, 도전성 입자가 몰드 상에서의 위치를 그대로 유지하며 프로브 기판 상의 접착층에 관통 방식으로 매립될 수 있다. 따라서 프로브 기판의 전극 패턴과 마이크로 LED 소자의 패드부 사이를 전기적으로 연결하는 도전성 입자를 포함하는 프로브 소켓과, 이를 포함하는 마이크로 LED 검사 장치를 용이하게 구현할 수 있다.
Int. CL G01R 31/28 (2006.01.01) G01R 1/073 (2006.01.01) G01R 1/04 (2006.01.01) G01R 1/067 (2006.01.01) G01R 31/26 (2014.01.01)
CPC G01R 31/2886(2013.01) G01R 31/2863(2013.01) G01R 31/2874(2013.01) G01R 1/073(2013.01) G01R 1/0466(2013.01) G01R 1/0458(2013.01) G01R 1/06761(2013.01) G01R 31/2635(2013.01) G01R 31/282(2013.01)
출원번호/일자 1020200114118 (2020.09.07)
출원인 아주대학교산학협력단, 주식회사 에이엔케이
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0032395 (2022.03.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.09.07)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 주식회사 에이엔케이 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김 재 호 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 서강일 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한)유일하이스트 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0946739-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2021.03.12 수리 (Accepted) 4-1-2021-5085599-34
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.07.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0048080-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0207694-08
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번호 청구항
1 1
유전체층과, 상기 유전체층 상에 배치된 다수의 전극 패턴들을 포함하는 프로브 기판; 및 상기 프로브 기판 상에 배치되는 프로브 소켓을 포함하는 마이크로 LED 검사 장치에 있어서, 상기 프로브 소켓은 접착층 및 상기 접착층에 관통 방식으로 매립된 다수의 도전성 입자들을 포함하고, 상기 도전성 입자 각각은 상기 접착층의 일면에서 상기 다수의 전극 패턴들 중 하나의 전극 패턴과 접촉하고, 상기 접착층의 타면에서 외부로 노출되며, 상기 도전성 입자 각각은 상기 접착층이 제1 온도 구간에서 제1 점도를 갖는 상태일 때 상기 접착층에 가압되어 당해 접착층 내에 배치되고, 상기 접착층이 상기 제1 온도 구간과 상이한 제2 온도 구간에서 상기 제1 점도보다 높은 제2 점도를 갖는 상태가 될 때 상기 접착층에 의해 고정되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 검사 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 제2 온도 구간은 상기 제1 온도 구간보다 높은 온도 구간인 마이크로 LED 검사 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 제2 온도 구간은 상기 제1 온도 구간보다 낮은 온도 구간인 마이크로 LED 검사 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 접착층은 제1 온도 구간에서 반액체 상태이고, 상기 제2 온도 구간에서 고체 상태로 경화되는 마이크로 LED 검사 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 다수의 도전성 입자들은,절연 필름 상에 PDMS를 코팅하고 상기 PDMS 상에 세라믹 입자의 단층을 형성하는 단계;점착제 필름에 포토 마스크를 이용하여 UV 광을 조사하여 전사 필름을 제조하는 단계;상기 세라믹 입자의 단층 상에 상기 전사 필름을 부착한 후 박리하여 상기 PDMS 상의 특정 영역에 위치하는 세라믹 입자를 제거하는 단계;상기 세라믹 입자가 제거된 영역에 상기 도전성 입자를 부착하여 상기 특정 영역에 도전성 입자 단층을 형성한 몰드를 제조하는 단계; 상기 접착층이 상기 제1 온도 구간에서 상기 제1 점도를 갖는 상태일 때 상기 몰드를 상기 접착층 상에 밀착하여 상기 도전성 입자를 전사하는 단계; 및상기 접착층이 제2 온도 구간에서 제2 점도를 갖는 상태일 때 상기 몰드와 상기 접착층을 분리하는 단계를 통해 상기 접착층 내에 관통 방식으로 매립되는 마이크로 LED 검사 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 도전성 입자의 직경은 상기 세라믹 입자의 직경보다 큰 마이크로 LED 검사 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 도전성 입자의 직경은 상기 접착층의 두께보다 큰 마이크로 LED 검사 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 다수의 전극 패턴들 중 동일한 행에 배치된 전극 패턴들이 전기적으로 연결되거나, 동일한 열에 배치된 전극 패턴들이 전기적으로 연결된 마이크로 LED 검사 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 다수의 전극 패턴들 중 어느 하나의 행에 배치된 전극 패턴들이 나머지 행에 배치된 전극 패턴들과 독립적으로 구동되거나, 어느 하나의 열에 배치된 전극 패턴들이 나머지 열에 배치된 전극 패턴들과 독립적으로 구동되는 마이크로 LED 검사 장치
10 10
제1항에 있어서,상기 다수의 전극 패턴들은,일 방향을 따라 전기적으로 연결되고, 제1 구동 신호를 공급받는 다수의 제1 전극 패턴들; 및상기 제1 전극 패턴들과 나란히 배치되고, 상기 일 방향을 따라 전기적으로 연결되며, 상기 제1 구동 신호와 상이한 제2 구동 신호를 공급받는 다수의 제2 전극 패턴들을 포함하는 마이크로 LED 검사 장치
11 11
제10항에 있어서,상기 다수의 도전성 입자들은 상기 다수의 제1 전극 패턴들 각각과 접촉하는 다수의 제1 도전성 입자들과, 상기 다수의 제2 전극 패턴들 각각과 접촉하는 다수의 제2 도전성 입자들을 포함하고,상기 제1 도전성 입자와 상기 제2 도전성 입자는 상기 일 방향과 교차하는 방향을 따라 교번하여 배치되는 마이크로 LED 검사 장치
12 12
제1 온도 구간에서 제1 점도를 갖고, 상기 제1 온도 구간과 상이한 제2 온도 구간에서 상기 제1 점도보다 높은 제2 점도를 갖는 접착층; 및다수의 도전성 입자들로서, 각각의 입자는 상기 접착층이 상기 제1 점도를 가질 때 상기 접착층을 관통하여 배치되고, 상기 접착층이 상기 제2 점도를 가질 때 상기 접착층에 의해 고정되며, 상기 접착층의 일 면에서 상기 접착층의 외부로 노출되는 부분과 상기 접착층의 타 면에서 상기 접착층의 외부로 노출되는 부분을 포함하는 상기 다수의 도전성 입자들을 포함하는 프로브 소켓
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.