| 1 |
1
안테나;상기 안테나를 전원에 연결하는 복수개의 배선 전극들;상기 안테나와 상기 전원 사이에 상기 배선 전극들에 연결된 커패시터; 및상기 커패시터와 상기 안테나 사이의 상기 배선 전극들에 연결되고, 상기 전원에 대해 상기 커패시터와 병렬 공진 회로로 결합하여 테라헤르츠 파를 생성시키는 복수개의 공진 터널링 다이오드들을 포함하되,상기 커패시터는 상기 공진 터널링 다이오드들 중 어느 하나와 기준 거리 내에 배치되고,상기 공진 터널링 다이오드들의 각각은 상기 기준 거리와 동일한 이격 거리마다 배열되는 테라헤르츠 광원 소자
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 공진 터널링 다이오드들은 5개이상인 테라헤르츠 광원 소자
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 공진 터널링 다이오드들 사이의 배선 전극들에 연결된 저항 소자를 더 포함하는 테라헤르츠 광원 소자
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 기준 거리 및 상기 이격 거리들의 각각은 70㎛인 테라헤르츠 광원 소자
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 공진 터널링 다이오드들의 각각은:기판;상기 기판 상에 배치된 제 1 도핑된 층;상기 제 1 도핑된 층의 일측 상에 배치된 제 1 베리어 층;상기 제 1 베리어 층 상에 배치된 웰 층;상기 웰 층 상에 배치된 제 2 베리어 층; 및상기 제 2 베리어 층 상에 배치된 제 2 도핑된 층을 포함하는 테라헤르츠 광원 소자
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 배선 전극들은:상기 제 1 도핑된 층의 타측 상에 배치되는 제 1 배선 전극; 및상기 제 2 도핑된 층 상에 배치되는 제 2 배선 전극을 포함하되,상기 제 1 및 제 2 배선 전극들은 90Ω의 특성 임피던스를 갖는 테라헤르츠 광원 소자
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서,상기 제 1 도핑된 층의 일측, 상기 제 1 베리어 층, 상기 웰 층, 상기 제 2 베리어 층, 및 상기 제 2 도핑된 층은 메사 구조를 이루는 테라헤르츠 광원 소자
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 메사 구조는 정사각형의 모양을 갖되,상기 정사각형의 한 변은 0
|
| 9 |
9
제 5 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 베리어 층들의 각각은 2nm 이하의 두께를 갖는 테라헤르츠 광원 소자
|
| 10 |
10
제 5 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 베리어 층들의 각각은 알루미늄갈륨나이트라이드를 포함하는 테라헤르츠 광원 소자
|
| 11 |
11
제 5 항에 있어서,상기 웰 층은 3nm 내지 4nm의 두께를 갖는 테라헤르츠 광원 소자
|
