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기판의 표면을 RIE(Reactive Ion Etching) 공정을 이용하여 피라미드형 요철 구조를 형성하는 단계; 및상기 요철 구조가 형성된 기판의 표면에 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템을 사용하여 나노 금속박막을 증착하는 단계를 포함하는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 피라미드형 요철 구조를 형성하는 단계는, 상기 기판을 아세톤 및 메탄올에 각각 10분간 세척하고, 5wt% HF(불화수소) 용액에 5분간 식각하여 상기 기판의 자연 산화막을 제거하는 단계를 포함하는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 요철 구조를 형성하는 단계는,금속 메쉬(metal mesh)를 통하여 상기 기판의 표면에 플라즈마를 인가하는 단계를 포함하는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법
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청구항 3에 있어서,상기 금속 메쉬는,상기 인가되는 플라즈마와 상기 기판 사이에 장착되고, 상기 기판과 6 내지 8 mm 사이의 거리를 형성하는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법
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청구항 3에 있어서,상기 금속 메쉬는,복수의 구멍들이 기 설정된 간격으로 전 영역에 균일하게 형성되는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법
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청구항 5에 있어서,상기 금속 메쉬는,140 내지 160 ㎛의 직경의 구멍들이 180 내지 200㎛의 간격으로 전 영역에 균일하게 형성되는, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 RIE 공정의 공정 시간은 40분 내지 60분인, 초소수성 표면을 갖는 기판 제작 방법
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청구항 1에 있어서,상기 나노 금속박막은,상기 기판의 표면에 1
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기판으로서,상기 기판의 표면에 RIE(Reactive Ion Etching) 공정을 이용하여 형성되는 피라미드형 요철 구조; 및상기 피라미드형 요철 구조의 표면에 클러스터 소스 스퍼터(Cluster source sputter) 시스템을 사용하여 증착되는 나노 금속박막을 포함하는, 초소수성 표면을 갖는 기판
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청구항 9에 있어서,상기 기판은,아세톤 및 메탄올에 각각 10분간 세척하고, 5wt% HF(불화수소) 용액에 5분간 식각하여 상기 기판의 자연 산화막이 제거된, 초소수성 표면을 갖는 기판
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청구항 9에 있어서,상기 피라미드형 요철 구조는,상기 RIE 공정에서 금속 메쉬(metal mesh)를 통하여 상기 기판의 표면에 플라즈마가 인가되어 형성되는, 초소수성 표면을 갖는 기판
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청구항 11에 있어서,상기 금속 메쉬는,상기 인가되는 플라즈마와 상기 기판 사이에 장착되고, 상기 기판과 6 내지 8 mm 사이의 거리를 형성하는, 초소수성 표면을 갖는 기판
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청구항 11에 있어서,상기 금속 메쉬는,복수의 구멍들이 기 설정된 간격으로 전 영역에 균일하게 형성되는, 초소수성 표면을 갖는 기판
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청구항 13에 있어서,상기 금속 메쉬는,140 내지 160 ㎛의 직경의 구멍들이 180 내지 200㎛의 간격으로 전 영역에 균일하게 형성되는, 초소수성 표면을 갖는 기판
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청구항 1 내지 8 중 어느 한 항의 방법에 따라 형성된 초소수성 표면을 갖는 기판을 갖춘 표면 구조물
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