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코어부, 쉘부 및 상기 쉘부의 표면에 결합된 리간드를 포함하는 양자점으로서,상기 리간드는 하기 화학식 1로 표시되는 카바메이트 유도체를 적어도 하나 이상 포함하는 것인, 양자점
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제1항에 있어서,상기 화학식 1에서 M은 NR4, PR4 또는 SR3인 것을 특징으로 하는, 양자점
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제1항에 있어서,상기 리간드는 아민 화합물, 카르복실산 화합물 및 포스핀 옥사이드 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점
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제1항에 있어서,상기 코어부 및 쉘부는 각각 독립적으로 Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN
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코어부, 쉘부 및 상기 쉘부의 표면에 결합된 한자리 리간드를 포함하는 양자점을 준비하는 단계, 및상기 한자리 리간드를 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 카바메이트 유도체로 치환하는 단계를 포함하는, 양자점 제조방법
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제5항에 있어서,상기 화학식 1에서 M은 NR4, PR4 또는 SR3인 것을 특징으로 하는, 양자점 제조방법
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제5항에 있어서,상기 한자리 리간드는 아민 화합물, 카르복실산 화합물 및 포스핀 옥사이드 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 양자점 제조방법
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제5항에 있어서,상기 코어부 및 쉘부는 각각 독립적으로 Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 양자점을 포함하는 QD-LED 소자
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