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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 금속을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계; 및 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에 제2 금속을 포함하는 제2 전구체를 제공하여, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 반응된 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 합금 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 합금 박막 형성 단계는, 상기 제1 전구체의 리간드 및 상기 제2 전구체의 리간드가 반응된 리간드 반응물이 상기 기판으로부터 제거되고, 상기 기판 상에 상기 제1 전구체의 상기 제1 금속 및 상기 제2 전구체의 상기 제2 금속이 잔존되는 것을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 합금 박막 형성 단계는, 산소(O) 및 질소(N) 중 어느 하나를 포함하는 반응 가스 없이 수행되는 것을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 합금 박막은, 스퍼터링(sputtering) 공정으로 형성된 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 합금 박막보다 스텝 커버리지(step coverage)가 높은 것을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 합금 박막은, 산소(O) 및 질소(N) 중 어느 하나를 포함하는 반응 가스가 사용되어 형성된 상기 제1 금속 및 제2 금속의 합금 박막보다 산소(O)의 비율이 낮은 것을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 금속은, 티타늄(Ti), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 탄탈럼(Ta), 알루미늄(Al), 및 하프늄(Hf) 중 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 금속은, 티타늄(Ti), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 탄탈럼(Ta), 알루미늄(Al), 및 하프늄(Hf) 중 어느 하나를 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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7
제6 항에 있어서, 상기 제1 금속이 티타늄(Ti)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 디메틸 아민(Dimethyl amine)을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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8
제6 항에 있어서, 상기 제1 금속이 루테늄(Ru)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 에틸 벤젠(Ethyl benzene) 및 에틸 싸이클로 헥사다이엔(Ethyl cyclo hexadiene) 중 어느 하나를 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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9
제6 항에 있어서, 상기 제1 금속이 이리듐(Ir)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 싸이클로 프로페닐(Cyclo propanyl)을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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10
제6 항에 있어서, 상기 제1 금속이 탄탈럼(Ta)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 에톡시(Ethoxy)를 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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11
제6 항에 있어서, 상기 제1 금속이 알루미늄(Al)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 메틸(Methyl)을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 제1 금속이 하프늄(Hf)을 포함하는 경우 상기 제1 전구체의 리간드는 에틸메틸 아민(Ethylmethyl amine)을 포함하는, 합금 박막의 제조 방법
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기판, 및 상기 기판 상에 배치된 제1 금속과 제2 금속의 합금 박막을 포함하되, 상기 합금 박막내 탄소(C)의 비율(atomic %)이 산소(O)의 비율(atomic %)보다 높은 것을 포함하는, 합금 박막
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14
제13 항에 있어서, 상기 합금 박막의 두께가 증가함에 따라 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속의 함량이 선형적으로(linearly) 증가되는 것을 포함하는, 합금 박막
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