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기판;상기 기판상에 형성된 희생층;상기 희생층 상에 형성된 제1 전극층;상기 희생층 및 상기 제1 전극층 상에 형성된 제1 폴리머층;상기 희생층 및 상기 제1 전극층 상에 형성되고, 상기 제1 전극층보다 높은 신축성을 갖는 제2 전극층; 및상기 제1 전극층, 상기 제1 폴리머층 및 상기 제2 전극층을 감싸도록 형성되고, 상기 제1 폴리머층보다 높은 신축성을 갖는 제2 폴리머층을 포함하는 인장 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 폴리머층은 상기 제2 폴리머층보다 높은 탄성계수를 갖는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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제1항에 있어서,상기 희생층은 Al, Al2O3, Be, BeO, B, CdSe, C, Cr, Co, Cu, Ga, Ge, GeO2, Au, Hf, HfO2, In, In2O3, Ir, Fe, Fe2O3, ITO, Li, LiF, Mg, MgF2, MgO, Mn, Mo, Nd, Ni, Pd, Pt, Rh, SiO2, SiO, Ag, Ta, Ta2O5, Sn, Ti 및 W 중 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 전극층은 Al, C, Cr, Cu, Au, Fe, ITO, Ni, Pd, Pt, Ag, Ti 및 W 중 어느 하나의 물질로 형성되되, 상기 희생층과 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 폴리머층은 실리콘 베이스(Silicone Base)와 경화제(Crosslinker)의 혼합물인 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 형성되되, 실리콘 베이스:경화제의 중량비율은 5:1 내지 8:1을 갖는 것을 특징으로 하는 인장센서
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제1항에 있어서,상기 제2 전극층은 그래핀(Graphene), 탄소나노튜브(CNT), 금속 나노와이어(Metal-NW) 및 전도성 고분자 중 어느 하나의 물질로 형성되거나, 또는 둘 이상의 혼합된 물질로 형성되되, 상기 전도성 고분자는 폴리아닐린(Polyaniline, PANI), 폴리피롤(Polypyrrole, PPy) 및 폴리아세틸렌(Polyacethlyene, PAc) 물질 중 어느 하나의 물질을 포함하는 인장센서
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제1항에 있어서,상기 제2 폴리머층은 실리콘 베이스(Silicone Base)와 경화제(Crosslinker)의 혼합물인 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 형성되되, 실리콘 베이스:경화제의 중량비율은 10:1 내지 15:1을 갖는 것을 특징으로 하는 인장센서
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제1항에 있어서,상기 제1 폴리머층은 2500kPa 이상의 탄성계수를 갖고, 상기 제2 폴리머층은 1500kPa 이하의 탄성계수를 갖는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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9
제1항에 있어서,상기 제2 전극층은 상기 제1 전극층 상면에서 상기 희생층 상면까지 연장되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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제9항에 있어서,상기 제1 폴리머층은 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층의 일단 및 타단을 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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11
제1항에 있어서,상기 제1 폴리머층은 상기 제1 전극층의 소정 부위를 감싸도록 형성되되, 상기 제2 전극층은 상기 제1 폴리머층의 상면, 상기 제1 폴리머층으로부터 노출된 상기 제1 전극층의 상면 및 상기 희생층 상면에 접하도록 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 전극층은 상기 제2 전극층의 일단 및 타단에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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제1항에 있어서, 상기 제2 폴리머층은,상기 제2 전극층의 중앙 부위를 감싸는 신축 영역;상기 제1 전극층, 상기 제1 폴리머층 및 상기 제2 전극층의 일단과 타단을 감싸는 고정 영역; 및상기 신축 영역과 상기 고정 영역이 서로 연결되도록 형성된 연장 영역을 포함하는 인장 센서
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제13항에 있어서,평면 상에서 상기 신축 영역의 폭은 상기 고정 영역의 폭보다 작은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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제13항에 있어서,평면 상에서 상기 연장 영역의 폭은 상기 고정 영역에서 상기 신축 영역 방향으로 갈수록 점점 감소하는 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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제1항에 있어서,상기 제1 폴리머층의 두께(H)와 상기 제2 폴리머층의 두께(S)에 대한 두께비는(S/H)는 1 내지 15 범위의 두께비를 갖는 것을 특징으로 하는 인장 센서
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기판 상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 상에 상기 제1 전극층보다 높은 신축성을 갖는 제2 전극층과 제1 폴리머층을 형성하는 단계;상기 제1 폴리머층보다 높은 신축성을 갖고, 상기 제1 폴리머층 및 상기 제2 전극층을 감싸도록 제2 폴리머층을 형성하는 단계; 및상기 기판과 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 인장 센서 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 제2 전극층과 제1 폴리머층을 형성하는 단계는,상기 제1 전극층에서 상기 희생층까지 연장되도록 상기 제2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 제2 전극층의 일단 및 타단과 상기 제1 전극층을 감싸도록 상기 제1 폴리머층을 형성하는 단계를 포함하는 인장 센서 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 제2 전극층과 제1 폴리머층을 형성하는 단계는,상기 제1 전극층의 소정 영역을 감싸도록 상기 제1 폴리머층을 형성하는 단계; 및상기 제1 폴리머층 상면에서 상기 희생층 상면까지 연장되도록 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 인장 센서 제조방법
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제19항에 있어서,상기 제2 전극층은 상기 제1 폴리머층 및 상기 제1 폴리머층으로부터 노출된 상기 제1 전극층에 접하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 인장 센서 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 제2 폴리머층을 형성하는 단계는,평면 상에서 상기 제2 전극층의 중앙 부위를 감싸는 상기 제2 폴리머층의 폭이 상기 제1 전극층 및 상기 제1 폴리머층을 감싸는 상기 제2 폴리머층의 폭보다 작은 폭을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 인장 센서 제조방법
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