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평판형 이차전지 스택

  • 기술번호 : KST2022006906
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 평판형 스택을 제공한다. 본 발명에 따른 평판형 스택은, 고체 전해질, 캐소드와 애노드 및 상부캡과 하부캡을 포함하는 복수개의 복수개의 유닛 셀을 적층한 평판형의 유닛 스택, 및 유닛 셀과 유닛 셀의 사이에 배치되고 유닛 셀의 밀봉부에 면압을 일정하게 인가하기 위한 면압 인가부를 포함한다.
Int. CL H01M 10/39 (2006.01.01)
CPC H01M 10/399(2013.01) H01M 2300/0074(2013.01) H01M 2300/0054(2013.01)
출원번호/일자 1020200156455 (2020.11.20)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0069394 (2022.05.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.20)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양충모 경상북도 포항시 남구
2 김현우 경상북도 포항시 남구
3 정기영 경북 포항시 남구
4 박윤철 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-1248503-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5296972-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평판형의 고체 전해질, 상기 고체 전해질의 상, 하면에 각각 배치되는 평판형의 캐소드와 애노드를 상부캡과 하부캡에 의하여 밀봉한 복수개의 유닛 셀을 적층한 평판형의 적어도 하나 이상의 유닛 스택, 및상기 유닛 셀과 상기 유닛 셀의 사이에 배치되고, 상기 유닛 셀의 밀봉부에 면압을 일정하게 인가하기 위한 면압 인가부를 포함하는 평판형 이차전지 스택
2 2
제1항에 있어서,상기 유닛 셀의 밀봉부는, 상기 고체 전해질과 상기 상부캡 및 상기 하부캡 사이에 각각 배치되는 캐소드 밀봉부 및 애노드 밀봉부를 포함하는 평판형 이차전지 스택
3 3
제2항에 있어서,상기 면압 인가부는 상기 캐소드 밀봉부와 상기 애노드 밀봉부에 면압을 일정하게 인가하는 평판형 이차전지 스택
4 4
제3항에 있어서,상기 면압 인가부는 상기 유닛 셀과 이웃하는 유닛 셀 사이에 삽입 결합되는 코일 스프링 또는 웨이브 스프링으로 이루어지는 평판형 이차전지 스택
5 5
제4항에 있어서,상기 코일 스프링 또는 상기 웨이브 스프링은 상기 유닛 셀과 동축 상에 배치되는 평판형 이차전지 스택
6 6
제5항에 있어서,상기 코일 스프링 또는 상기 웨이브 스프링은 유닛 셀의 상기 상부캡 또는 상기 하부캡과, 이웃하는 유닛 셀의 상기 하부캡 또는 상기 상부캡의 사이에 배치되는 평판형 이차전지 스택
7 7
제6항에 있어서,상기 상부캡은, 상기 캐소드의 상면에 배치되고 원통형태로 이루어지는 상부캡 본체와, 상기 캐소드 밀봉부의 상면에 배치되고 상기 코일 스프링이 탄성 지지되기 위한 상부 플랜지부를 포함하는 평판형 이차전지 스택
8 8
제7항에 있어서,상기 상부 플랜지부는 상기 상부캡 본체의 외주면에 하부로 단차지면서 외측으로 연장되어 박판 형태로 이루어지는 평판형 이차전지 스택
9 9
제8항에 있어서,상기 하부캡은, 상기 애노드의 하면에 배치되고 원통형태로 이루어지는 하부캡 본체와, 상기 애노드 밀봉부의 하면에 배치되고 상기 코일 스프링이 탄성 지지되기 위한 하부 플랜지부를 포함하는 평판형 이차전지 스택
10 10
제9항에 있어서,상기 하부 플랜지부는 상기 하부캡 본체의 외주면에 상부로 단차지면서 외측으로 연장되어 박판 형태로 이루어지는 평판형 이차전지 스택
11 11
제10항에 있어서,상기 코일 스프링과 상기 웨이브 스프링은 상기 상부캡 본체와 상기 하부캡 본체의 외경보다 큰 직경을 가지는 평판형 이차전지 스택
12 12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유닛 스택은 상기 유닛 셀을 복수개 수직으로 직렬로 적층한 것인 평판형 이차전지 스택
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 에너지국제공동연구 초저가 ESS 지향 중저온 구동 평판 Na계 이차전지 개발