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수분에 안정한 형광 소재, 이를 포함하는 형광 필름 및 발광소자, 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022007781
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수분에 안정한 형광 소재, 이를 포함하는 형광 필름 및 발광소자, 및 이의 제조방법이 개시된다. 상기 형광 소재는, 무기 고분자 매트릭스; 상기 무기 고분자 매트릭스 내에 내포된(embedded) 소수성의 형광 나노입자; 및 상기 무기 고분자 매트릭스 표면에 결합한 페닐 유도체;를 포함한다. 상기 형광 소재는 수분, UV, 열에 대한 안정성이 우수할 뿐만 아니라, 봉지제와 함께 경화되는 특성이 매우 우수하고, 경화된 필름이나 발광소자의 안정성과 광특성 또한 우수하다. 따라서, LED, 디스플레이 등 다양한 분야에 활용될 수 있다.
Int. CL C09K 11/02 (2006.01.01) C09K 11/56 (2006.01.01) C09K 11/88 (2006.01.01) C08K 5/5419 (2006.01.01) C08K 3/36 (2006.01.01) C08K 3/22 (2006.01.01) C08K 3/013 (2018.01.01) C08J 3/12 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC C09K 11/02(2013.01) C09K 11/025(2013.01) C09K 11/565(2013.01) C09K 11/883(2013.01) C08K 5/5419(2013.01) C08K 3/36(2013.01) C08K 3/22(2013.01) C08K 3/013(2013.01) C08J 3/128(2013.01) C08K 2201/005(2013.01) C08K 2201/011(2013.01) B82Y 20/00(2013.01) B82Y 40/00(2013.01)
출원번호/일자 1020200162675 (2020.11.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0075102 (2022.06.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.27)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우경자 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-1283774-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2022.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0086218-17
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번호 청구항
1 1
무기 고분자 매트릭스;상기 무기 고분자 매트릭스 내에 내포된(embedded) 소수성의 형광 나노입자; 및상기 무기 고분자 매트릭스 표면에 결합한 페닐 유도체;를 포함하는 형광 소재
2 2
제1항에 있어서,상기 무기 고분자 매트릭스 표면에 결합한 페닐 유도체는 탄소수 1 내지 6개의 탄화수소 사슬에 의해 연결된 페닐기를 포함하는 형광 소재
3 3
제1항에 있어서,상기 페닐 유도체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 형광 소재:003c#화학식 1003e#R1Si(OR2)3상기 식에서, R1은 페닐기가 결합된 탄소수 1-6의 알킬기이고, R2는 탄소수 1-4의 알킬기이다
4 4
제1항에 있어서,상기 무기 고분자 매트릭스 표면에 결합된 상기 페닐 유도체가, 상기 무기 고분자 매트릭스에 존재하는 극미세 기공 네트워크 채널을 막아 상기 형광 나노입자를 보호하고, 상기 무기 고분자 매트릭스 표면이 소수성을 띠게 되는 형광 소재
5 5
제1항에 있어서,상기 무기 고분자 매트릭스 내에, 표면에 요철 구조의 나노패턴이 형성된 소수성의 기저 입자를 더 포함하는 형광 소재
6 6
제5항에 있어서,상기 소수성의 형광 나노입자의 적어도 일부가 상기 기저 입자 표면의 요철 구조의 오목한 부분에 배치되어 하이브리드 입자를 형성하는 형광 소재
7 7
제6항에 있어서,상기 기저 입자의 표면에 제1 소수성 작용기 또는 리간드를 포함하고, 상기 형광 나노입자의 표면에 제2 소수성 작용기 또는 리간드를 포함하며, 상기 기저 입자 표면의 제1 소수성 작용기 또는 리간드와 상기 형광 나노입자 표면의 제2 소수성 작용기 또는 소수성 리간드 사이에 물리적 결합이 형성된 것인 형광 소재
8 8
제7항에 있어서,상기 제1 소수성 작용기 또는 리간드 및 상기 제2 소수성 작용기 또는 리간드는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20의 탄화수소 사슬을 포함하는 형광 소재
9 9
제5항에 있어서,상기 기저 입자는 실리카, 알루미나 또는 이들의 조합을 포함하는 형광 소재
10 10
제5항에 있어서,상기 기저 입자의 평균입경이 50 nm 내지 200 nm인 형광 소재
11 11
제1항에 있어서,상기 형광 나노입자는 페로브스카이트 나노결정, 반도체 나노결정, 무기 형광체, 형광 염료, 및 염료 도핑된 투명 금속 산화물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 형광 소재
12 12
제1항에 있어서,상기 형광 나노입자의 평균입경이 3 nm 내지 15 nm인 형광 소재
13 13
제1항에 있어서,상기 무기 고분자 매트릭스는 실리카, 알루미나 또는 이들의 조합을 포함하는 형광 소재
14 14
제1항에 있어서,상기 형광 나노입자와 함께 Au, Ag, 이들의 합금, 또는 이들의 조합으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 금속 나노입자를 더 포함하는 형광 소재
15 15
제1항에 있어서,상기 형광 소재가 분말 형태인 형광 소재
16 16
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 형광 소재 및 고분자를 포함하는 형광 필름
17 17
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 형광 소재를 포함하는 발광소자
18 18
제17항에 있어서,상기 발광소자는 발광 다이오드(light-emitting diode), 발광 트랜지스터(light-emitting transistor), 레이저(laser) 및 편광(polarized) 발광 소자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 발광소자
19 19
무기 고분자 매트릭스에 내포된 소수성의 형광 나노입자를 포함하는 제1 형광분말을 알코올/톨루엔 혼합 용매에 분산하여 제 1 용액을 준비하는 단계;상기 제 1 용액에 반응에 필요한 최소량의 물과 암모니아수를 추가하고 혼합하여 제 2 용액을 준비하는 단계: 및상기 제 2 용액에 알콕시실란 전구체와 페닐 유도체가 결합된 알콕시실란 전구체를 시간간격을 두고 순차적으로 가하는 단계; 및상기 혼합된 결과물을 반응시키는 단계;를 포함하는 제1항에 따른 형광 소재의 제조방법
20 20
제19항에 있어서,상기 제 1 용액은 표면에 요철 구조의 나노패턴이 형성된 소수성의 기저 입자를 더 포함하는 형광 소재의 제조방법
21 21
제19항에 있어서,상기 제 2 용액에 알콕시실란을 먼저 가하고, 2 내지 5 분간 반응시킨 후에 페닐 유도체가 결합된 알콕시실란을 가하여 반응시킴으로써, 무기 고분자 매트릭스에 있는 1 내지 2 nm 크기의 극미세 기공 네트워크 채널이 페닐 유도체에 의해 막히게 하는 형광 소재의 제조방법
22 22
제19항에 있어서,상기 반응 단계에서 얻은 결과물을 진공 건조 및 열 건조하는 단계를 더 포함하는 형광 소재의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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