맞춤기술찾기

이전대상기술

모세관력 및 정전기력을 이용한 미세 패턴의 형성 방법 및 미세 패턴을 포함하는 마이크로 니들

  • 기술번호 : KST2022009561
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 기판 상에 고분자 화합물 레지스트 도포하는 단계; 상기 고분자 화합물 레지스트와 미세 패턴 구조를 가지는 주형을 접촉시켜 상기 고분자 화합물 레지스트 상에 상기 미세 패턴의 하부 구조를 형성하는 단계; 상기 기판 상에 전압을 인가하여 상기 미세 패턴의 하부 구조 상에 상기 미세 패턴의 상부 구조를 형성하는 단계; 및 상기 고분자 화합물 레지스트를 경화시키는 단계를 포함하는, 미세 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL B81C 1/00 (2006.01.01) A61M 37/00 (2006.01.01) A61K 9/00 (2006.01.01) B29C 59/02 (2006.01.01)
CPC B81C 1/00111(2013.01) A61M 37/0015(2013.01) A61K 9/0021(2013.01) B29C 59/02(2013.01) B81B 2201/055(2013.01) A61M 2037/0053(2013.01) A61M 2037/0046(2013.01) A61M 2205/0244(2013.01) A61M 2207/00(2013.01) B29C 2059/023(2013.01)
출원번호/일자 1020210001196 (2021.01.06)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0099227 (2022.07.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.06)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강대준 경기도 수원시 장안구
2 황재석 경기도 수원시 장안구
3 전태현 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2021-0012725-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.06.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0026844-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0138487-56
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0417057-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2022-0417044-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 고분자 화합물 레지스트를 도포하는 단계;상기 고분자 화합물 레지스트와 미세 패턴 구조를 가지는 주형을 접촉시켜 상기 고분자 화합물 레지스트 상에 상기 미세 패턴의 하부 구조를 형성하는 단계;상기 기판 상에 전압을 인가하여 상기 미세 패턴의 하부 구조 상에 상기 미세 패턴의 상부 구조를 형성하는 단계; 및상기 고분자 화합물 레지스트를 경화시키는 단계;를 포함하는, 미세 패턴의 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 미세 패턴의 하부 구조를 형성하는 단계에서 상기 하부 구조 상에 에어 포켓이 형성되고, 상기 전압 인가에 의해 상기 에어 포켓이 상기 고분자 화합물 레지스트로 채워져 상기 미세 패턴의 상부 구조가 형성되는 것인, 미세 패턴의 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 미세 패턴의 하부 구조를 형성하는 단계는, 모세관력에 의해 상기 레지스트가 상기 미세 패턴 구조에 흡입되어 상기 하부 구조가 형성되는 것인, 미세 패턴의 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전압은 1
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 절연층이 배치된 것인, 미세 패턴의 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 미세 패턴 구조를 가지는 주형 상에 전압을 인가하기 위한 전극이 배치된 것인, 미세 패턴의 형성 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 미세 패턴 구조를 가지는 주형을 제거하는 단계를 추가 포함하는, 미세 패턴의 형성 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 미세 패턴 구조를 가지는 주형은 폴리디메틸실록산(PDMS, polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 나일론, 에폭시, 폴리이미드, 폴리에스테르, 우레탄, 아크릴, 폴리카보네이트, 요소, 멜라닌, 염화고무, 폴리비닐알콜, 폴리비닐에스테르, 비닐리덴플루오라이드-헥사플루오로프로필렌 코폴리머(PVDF-co-HFP), 폴리비닐리덴플루오라이드(polyvinylidenefluoride: PVDF), 폴리아크릴로니트릴 (polyacrylonitrile), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate), 폴리테트라불화에틸렌(polytetrafluoroethylene: PTFE), 스틸렌부타디엔 고무 (styrenebutadiene rubber: SBR) 또는 에틸렌프로필렌디엔 공중합체(ethylene-propylene-diene copolymer: EPDM)를 포함하는 것인, 미세 패턴의 형성 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 미세 패턴 구조는 피라미드, 프리즘, 정사면체, 반구, 비구면, 및 이들의 조합들로부터 선택된 패턴을 포함하는 것인, 미세 패턴의 형성 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 고분자 화합물 레지스트는 열가소성 고분자를 포함하는 것인, 미세 패턴의 형성 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 열가소성 고분자는 폴리스티렌(PS), ABS수지(acrylonitrile butadiene-styrene), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 셀룰로스아세테이트(CA), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리클로로트리플루오르에틸렌(PCTEF), 불화비닐수지(PVF), 폴리비닐리덴플로우라이드(PVDF), 폴리메틸펜텐(PMP), 폴리아마이드(PA), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리프로필렌(PP), 폴리설폰(PSul), 폴리염화비닐리덴(PVDC), 폴리염화비닐(PVC) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,미세 패턴의 형성 방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 고분자 화합물 레지스트는 수용성 고분자를 포함하는 것인, 미세 패턴의 형성 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 수용성 고분자는 카복시메틸셀룰로오스(carboxymethyl cellulose), 히알루론산(hyaluronic acid), 콘드로이틴황산(chondroitin sulfate), 글리코겐(glycogen), 덱스트린(dextrin), 덱스트란(dextran), 덱스트란 황산(dextran sulfate), 히드록시프로필메틸셀룰로스(hydroxypropyl methylcellulose), 알긴산(alginic acid), 키틴(chitin), 키토산(chitosan), 풀루란(pullulan), 콜라겐(collagen), 젤라틴(gelatin) 및 이들의 가수분해물, 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone), 폴리아크릴산(polyacrylic acid) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인,미세 패턴의 형성 방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 고분자 화합물 레지스트를 경화시키는 단계는 단순 냉각 또는 동결건조에 의해 수행되는 것인, 미세 패턴의 형성 방법
15 15
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 미세 패턴을 포함하는, 마이크로 니들
16 16
제 15 항에 따른 마이크로 니들을 포함하는, 약물 전달 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.