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코어부, 쉘부 및 리간드를 포함하는 양자점으로서,상기 리간드는 하기 화학식 I 내지 III으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 양자점
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제1항에 있어서, 화학식 IV는 하기 화학식 (1) 내지 (21)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 양자점
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제1항에 있어서,화학식 I 내지 III에서, Y는 표면 작용기로서 아민기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점
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제1항에 있어서,상기 화학식 I 내지 III에서, Y는 아민 화합물; 및 니트릴 화합물 및 아크릴레이트 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물의 반응에 의해 형성된 것인, 양자점
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제4항에 있어서,상기 아민 화합물은 하기 화학식 V로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인, 양자점
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제1항에 있어서,상기 코어부 및 쉘부는 각각 독립적으로 Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN
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7
코어부, 쉘부 및 한자리 리간드를 포함하는 양자점을 준비하는 단계; 및상기 한자리 리간드를 하기 I 내지 III으로 표시되는 적어도 하나의 화합물로 치환하는 단계를 포함하는, 양자점 제조방법
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제7항에 있어서,화학식 IV는 하기 화학식 (1) 내지 (21)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 양자점 제조방법
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제7항에 있어서,상기 화학식 I 내지 III에서, Y는 표면 작용기로서 아민기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점 제조방법
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10
제7항에 있어서,상기 화학식 I 내지 III에서, Y는 아민 화합물; 및 니트릴 화합물 및 아크릴레이트 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물의 반응에 의해 형성된 것인, 양자점 제조방법
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제10항에 있어서,상기 아민 화합물은 하기 화학식 V로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인, 양자점 제조방법
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12
제7항에 있어서,상기 코어부 및 쉘부는 각각 독립적으로 Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 양자점을 포함하는 디스플레이 소자
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