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실리콘 기판 상에 금속 촉매층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 상에 주사 탐침 리소그래피(Scanning probe lithography)를 이용하여 금속 패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 패턴을 촉매로 이용한 금속-보조 화학적 식각(Metal-assisted chemical)을 이용하여 실리콘 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 촉매층 상에 주사 탐침 리소그래피(Scanning probe lithography)를 이용하여 금속 패턴을 형성하는 단계는,상기 금속 촉매층 상에 탐침을 이용하여 제1 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 레지스트 패턴이 형성되지 않은 상기 금속 촉매층을 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 촉매층 상에 주사 탐침 리소그래피(Scanning probe lithography)를 이용하여 금속 패턴을 형성하는 단계는,상기 금속 촉매층 상에 탐침을 이용하여 제2 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 레지스트 패턴이 형성되지 않은 상기 금속 촉매층 상에 제1 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 레지스트 패턴을 세정하여 상기 제2 레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및상기 제2 레지스트 패턴이 제거된 영역 하부에 형성된 상기 금속 촉매층을 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 촉매층 상에 주사 탐침 리소그래피(Scanning probe lithography)를 이용하여 금속 패턴을 형성하는 단계는,상기 금속 촉매층 상에 제1 레지스트를 도포하는 단계;탐침으로 상기 제1 레지스트를 선택적으로 제거하여 제1 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 레지스트 패턴이 형성되지 않은 상기 금속 촉매층을 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 실리콘-온-인슐레이터(Silicon-On-Insulator, SOI)인 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 주사 탐침 리소그래피는 1차원 또는 2차원 배열된 탐침을 사용하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 주사 탐침 리소그래피는 2개 내지 100개의 탐침이 일렬로 배치된 탐침 어레이 또는 이차원으로 배열된 탐침 어레이를 사용하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 주사 탐침 리소그래피는 z-피에주 바이어스 값에 따라 상기 실리콘 패턴의 크기가 조절되는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 주사 탐침 리소그래피는 탐침의 접촉력(contact force)에 따라 실리콘 패턴의 크기가 조절되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속-보조 화학적 식각은 식각 속도 및 상기 금속 촉매층의 접착력을 조절하여 식각 정밀도가 제어되는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속-보조 화학적 식각은 불산(HF) 및 과산화수소(H2O2) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 식각액을 사용하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 실리콘 기판 상에 금속 촉매층을 형성하는 단계는,상기 금속 촉매층을 130℃ 내지 250℃의 온도에서 열처리를 진행하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 촉매층은 하부에 접촉층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 패턴 사이의 간격은 50 nm 내지 10 cm인 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속-보조 화학적 식각의 식각 시간에 따라 상기 실리콘 패턴의 높이가 조절되는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 실리콘 두께에 따라 상기 실리콘 패턴의 높이가 조절되는 것을 특징으로 하는 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법
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청구항 제1항에 따른 주사 탐침 리소그래피 및 금속-보조 화학적 식각을 이용한 미세 패턴의 제조 방법에 의해 제조된 실리콘 패턴은, 음각 패턴, 양각 패턴 또는 입자 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 미세 패턴
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제17항에 있어서, 상기 실리콘 패턴의 지름은 50 nm 내지 1000 ㎛인 것을 특징으로 하는 미세 패턴
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제17항에 있어서, 상기 실리콘 패턴의 높이는 1 nm 내지 500 ㎛인 것을 특징으로 하는 미세 패턴
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