| 1 |
1
실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하기 위한 식각 조성물로, 상기 식각 조성물 총 중량 기준, 인산을 30 내지 70중량%로 포함하고, 2 내지 20 기압의 가압조건 하에서의 수직 적층구조용 식각 조성물
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,하기 (A) 내지 (C)를 만족하는 식각 조성물:(A)상기 실리콘 질화막의 식각속도는 50Å/분 이상이고,(B)상기 실리콘 산화막의 식각속도는 0 내지 10Å/분이고,(C)상기 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막의 식각 선택비는 2 내지 400이다
|
| 4 |
4
제 3항에 있어서,하기 (D)를 만족하는 식각 조성물:(D)상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 단위층으로 하는 수직 적층구조에서, 식각 후 상기 실리콘 산화막의 내부 두께(Ti) 대비 외부 두께(To)가 하기 식1을 만족한다
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 식각 조성물은,식각 선택비가 10 내지 400인 식각 조성물(상기 식각 선택비는 실리콘 산화막의 식각속도 대비 실리콘 질화막의 식각속도의 비를 의미한다)
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 식각 조성물은,규소 원자(Si)를 포함하는 화합물을 포함하지 않는 것인 식각 조성물
|
| 8 |
8
제 1항, 제 3항, 제 4항, 제 6항 및 제 7항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 식각 조성물을 이용하여, 2 내지 20 기압의 가압조건 하에서 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막을 선택적으로 식각하는 단계;를 포함하는 수직 적층구조에의 적용을 위한 식각방법
|
| 9 |
9
제 8항에 있어서,상기 식각 조성물의 식각대상은,상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이 모두 표면에 노출된 웨이퍼; 또는상기 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 단위층으로 하는 수직 반복 적층구조의 웨이퍼인, 식각방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제 8항에 있어서,상기 식각방법은,100 ℃ 이상의 고온 식각을 위한 것인, 식각방법
|
| 12 |
12
제 1항, 제 3항, 제 4항, 제 6항 및 제 7항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 식각 조성물을 이용하는 반도체 소자의 제조방법
|
